摘要：一种制造用于EUV光刻术的隔膜组件的方法，所述方法包括：提供包括平坦衬底和至少一个隔膜层的叠层，其中所述平坦衬底包括内部区域和围绕所述内部区域的边界区域；以及选择性地移除所述平坦衬底的所述内部区域。所述隔膜组件包括：由所述至少一个隔膜层形成的隔膜；和保持所述隔膜的边界，所述边界由所述平坦衬底的所述边界区域形成。所述叠层设置有机械保护材料，所述机械保护材料被配置成在选择性地移除所述平坦衬底的所述内部区域的步骤期间以机械的方式保护所述边界区域。

摘要：一种用于制造用于EUV光刻术的隔膜组件的方法，所述方法包括：提供包括平坦衬底和至少一个隔膜层的叠层，其中所述平坦衬底包括内部区和围绕所述内部区的边框区；将所述叠层定位于支撑件上，使得曝光所述平坦衬底的所述内部区；和使用非液体蚀刻剂来选择性地移除所述平坦衬底的所述内部区，使得所述隔膜组件包括：由所述至少一个隔膜层形成的隔膜；和保持所述隔膜的边框，所述边框由所述平坦衬底的所述边框区形成。

摘要：一种用于制造用于EUV光刻的隔膜组件(80)的方法，所述方法包括：设置叠层(40)，所述叠层包括介于支撑衬底(41)与附接衬底(51)之间的隔膜层(45)，其中所述支撑衬底包括内部区和第一边界区；加工所述叠层，包括选择性地移除所述支撑衬底的所述内部区，以形成隔膜组件，所述隔膜组件包括：隔膜(45)，所述隔膜由至少所述隔膜层形成；和支撑件(81)，所述支承件保持所述隔膜，所述支撑件至少部分地由所述支撑衬底的所述第一边界区形成。所述附接衬底可被结合至所述叠层的其余部分。

摘要：一种用于EUV光刻术的隔膜，所述隔膜具有不大于200nm的厚度并且包括叠层，所述叠层包括：至少一个硅层；和至少一个硅化合物层，由硅和选自由硼、磷、溴组成的组中的元素的化合物组成。

摘要：一种用于EUV光刻术的隔膜，所述隔膜具有不大于200nm的厚度并且包括叠层，所述叠层包括：至少一个硅层；和至少一个硅化合物层，由硅和选自由硼、磷、溴组成的组中的元素的化合物组成。

摘要：本发明涉及一种用于制造用于作为燃料电池堆叠(1)的燃料电池单元(1)的隔膜电极组件(6)的方法，所述方法具有以下步骤：提供各一个质子交换器膜(5)，提供各一个第一子衬垫(53)作为密封层(41)，提供各一个第二子衬垫(54)作为密封层(41)，将各一个质子交换器膜(5)布置在各第一子衬垫与各第二子衬垫(53，54)之间，将各一个质子交换器膜(5)与各第一子衬垫和/或各第二子衬垫(53，54)连接，使得各一个质子交换器膜(5)的各一个层状的内部区域(38)被作为密封层(41)的各一个第一和第二子衬垫(53，54)包围，其中，提供所述质子交换器膜(5)、所述第一子衬垫(53)和所述第二子衬垫(54)，其方式是：将所述质子交换器膜、所述第一子衬垫和所述第二子衬垫作为质子交换器膜带(65)、第一子衬垫带(63)和第二子衬垫带(64)从存放装置(58，59，60)取出，并且在所述第一子衬垫(53)作为第一子衬垫带(63)和所述第二子衬垫(54)作为第二子衬垫带(64)的状态下实施，将所述质子交换器膜(5)布置在所述第一与第二子衬垫(53，54)之间，并且将所述质子交换器膜(5)与所述第一和/或第二子衬垫(53，54)连接，使得在所述布置和连接期间，将所述第一子衬垫(53)以相互连接的方式布置在所述第一子衬垫带(63)上，并且将所述第二子衬垫(54)以相互连接的方式布置在所述第二子衬垫带(64)上。

摘要：一种用于EUV光刻术的隔膜，所述隔膜具有不大于200nm的厚度并且包括叠层，所述叠层包括：至少一个硅层；和至少一个硅化合物层，由硅和选自由硼、磷、溴组成的组中的元素的化合物组成。

摘要：一种制造用于EUV光刻术的隔膜组件的方法，所述方法包括：提供包括平坦衬底和至少一个隔膜层的叠层，其中所述平坦衬底包括内部区域和围绕所述内部区域的边界区域；以及选择性地移除所述平坦衬底的所述内部区域。所述隔膜组件包括：由所述至少一个隔膜层形成的隔膜；和保持所述隔膜的边界，所述边界由所述平坦衬底的所述边界区域形成。所述叠层设置有机械保护材料，所述机械保护材料被配置成在选择性地移除所述平坦衬底的所述内部区域的步骤期间以机械的方式保护所述边界区域。

摘要：一种制造用于EUV光刻术的隔膜组件的方法，所述方法包括：提供包括平坦衬底和至少一个隔膜层的叠层，其中所述平坦衬底包括内部区域和围绕所述内部区域的边界区域；以及选择性地移除所述平坦衬底的所述内部区域。所述隔膜组件包括：由所述至少一个隔膜层形成的隔膜；和保持所述隔膜的边界，所述边界由所述平坦衬底的所述边界区域形成。所述叠层设置有机械保护材料，所述机械保护材料被配置成在选择性地移除所述平坦衬底的所述内部区域的步骤期间以机械的方式保护所述边界区域。

摘要：本发明涉及一种用于制造电极‑隔膜组件(ESV)的方法，所述电极‑隔膜组件是用于电池电芯的电极‑隔膜堆栈(1)的构件，所述电极‑隔膜组件(ESV)由至少一个电极层和至少一个隔膜层(S)组成，其中，所述方法具有以下工序步骤：铺设工序，其中，电极层和隔膜层(E1、S、E2)上下依次地铺设；和连接工序，借助所述连接工序在电极层与隔膜层(E1、S、E2)之间构成粘接。根据本发明，所述连接工序具有等离子体处理，其中，借助等离子体进行对电极层和/或隔膜层(E1、S、E2)的表面活化，从而提供各个连接配对件之间的粘接。

摘要：一种制造用于EUV光刻术的隔膜组件的方法，所述方法包括：提供包括平坦衬底和至少一个隔膜层的叠层，其中所述平坦衬底包括内部区域和围绕所述内部区域的边界区域；以及选择性地移除所述平坦衬底的所述内部区域。所述隔膜组件包括：由所述至少一个隔膜层形成的隔膜；和保持所述隔膜的边界，所述边界由所述平坦衬底的所述边界区域形成。所述叠层设置有机械保护材料，所述机械保护材料被配置成在选择性地移除所述平坦衬底的所述内部区域的步骤期间以机械的方式保护所述边界区域。