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发明专利:13实用新型: 2外观设计: 0
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申请号:201810040505.9 公开号:CN108315697A 主分类号:C23C14/24(2006.01)I
申请人:电子科技大学 申请日:2018.01.16 公开日:2018.07.24
摘要:本发明属于薄膜制备技术领域,具体涉及一种双面双轴织构MgO薄膜的制备方法。本发明通过螺旋翻面卷绕的方式实现了在单离子源单蒸发源的条件下,通过一次走带在基带的正反两面制备MgO薄膜,基带的双面在同一制备环境,保证了双面一致性;设计了独特的掩板结构,使其在制备IBAD‑MgO过程中,待沉积基带边缘贴合掩板的固定基带边缘滑行,极大地减少了基带因为与掩板的摩擦而造成的磨损,同时也阻隔了MgO气体对背面造成的破坏。本发明实现了一次性制备双面双轴织构MgO薄膜,且薄膜具有高度的双面一致性和表面光洁无摩擦损坏等优点。
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申请号:201810618364.4 公开号:CN108796474A 主分类号:C23C18/12(2006.01)I
申请人:电子科技大学 申请日:2018.06.15 公开日:2018.11.13
摘要:本发明属于薄膜制备技术领域,涉及在镀有IBAD‑MgO的金属基带上制备同质外延MgO薄膜的方法,具体为一种基于溶液法同质外延MgO薄膜的制备方法。本发明用低成本的溶液沉积法完全替代了传统高成本工艺复杂PVD方法,且制备的同质外延MgO薄膜表面形貌相比传统方法更优。
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申请号:201810817978.5 公开号:CN108977791A 主分类号:C23C14/54(2006.01)I
申请人:电子科技大学 申请日:2018.07.24 公开日:2018.12.11
摘要:本发明涉及高温下薄膜沉积制备的领域,具体涉及一种用于高温下卷绕沉积薄膜的通电加热装置。本发明重新设计了电极轮盘组;金属基带置于电极轮盘的绝缘滚筒上穿过各对电极棒间,并与各对电极棒良好接触;绝缘滚筒对金属基带的支撑作用使得金属基带不会被电极棒夹持受力的情况下发生形变,保证了其产品的后期应用;轴承使金属基带与绝缘滚筒间没有相对摩擦,以免损伤金属基带表面;绝缘滚筒与金属基带直接贴合接触,随着金属基带的移动而滚动,完成连续卷绕的过程。本发明适用于各种金属衬底的加热,且升温速率高,且温度分布均匀,能效高,同时可实现多层薄膜的连续卷绕制备。
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申请号:201810994465.1 公开号:CN109023276A 主分类号:C23C14/35(2006.01)I
申请人:电子科技大学 申请日:2018.08.29 公开日:2018.12.18
摘要:本发明属于薄膜制备技术领域,涉及在两面同时镀有IBAD(离子束辅助沉积)‑MgO/SDP‑Y2O3的哈氏合金柔性基带上两面同时制备同质外延MgO薄膜,具体为一种基于中频(MF)磁控反应溅射制备双面同时同质外延MgO薄膜。本发明采用气体分散管内对称结构的通气孔,均匀的分散混合气体,从而解决中频磁控反应溅射制备的薄膜结构不均匀的问题;通气孔的单向设计还使得靶材表面不直接接触氧气以避免金属靶被氧化,此种进气方式提高了溅射效率,有利于保证两面同时生长的MgO薄膜的均匀性和一致性。相比采用传统高成本工艺复杂物理气相沉积(PVD)方法,中频自外延MgO节约缓冲层成本,提高超导带材性价比,且沉积速率高。
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申请号:201810995176.3 公开号:CN109097756A 主分类号:C23C16/46(2006.01)I
申请人:电子科技大学 申请日:2018.08.29 公开日:2018.12.28
摘要:本发明属于薄膜制备技术领域,具体为一种用于薄金属的高温薄膜沉积的加热装置。本发明重新设计了电极组单元;金属基带经过N个特殊设定的导电金属棒,被其支撑并与其良好接触,且导电金属棒不随金属基带的移动而滚动。导电金属棒与金属基带成线性接触导电,并对金属基带起支撑作用使其不发生形变,避免产生打火现象,保证了薄膜的后期应用。本发明适用于不同宽度厚度的单面金属基带的加热;并且升温速率高,温度分布均匀,能效高,同时可实现多层薄膜的连续制备。这些优势对于薄膜的工业化制备尤为重要,可以提高制备薄膜的质量,并降低成本。
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申请号:202010153656.2 公开号:CN111188018A 主分类号:C23C14/35
申请人:【中文】西南交通大学【EN】SOUTHWEST JIAOTONG University 申请日:2020.03.06 公开日:2020.05.22
摘要:【中文】本发明涉及磁控溅射技术领域,具体涉及一种第二代高温超导带材金属溅射靶材保护装置及基片薄膜制作方法,所述保护装置包括保护壳体、升降驱动装置和磁控溅射枪,保护壳体内设置有保护腔室,磁控溅射枪设置在保护腔室内,保护壳体的底部设置有闸板阀,所述闸板阀用于封闭保护腔室,所述升降驱动装置设置在保护壳体的顶部,所述磁控溅射枪通过伸缩杆与升降驱动装置连接。本发明通过保护腔室保护安装在磁控溅射枪上的靶材,让靶材处于保护腔室的真空保护状态,在更换基片或基带的过程中避免靶材氧化,减少换取基片样品过程中靶材氧化的相关影响,对促进易氧化靶材的连续制备研究,特别是第二代高温超导带材金属靶的高质量制备研究具有重要意义。 【EN】The invention relates to the technical field of magnetron sputtering, in particular to a second-generation high-temperature superconducting strip metal sputtering target material protection device and a substrate film manufacturing method. The target material arranged on the magnetron sputtering gun is protected by the protection chamber, the target material is in a vacuum protection state of the protection chamber, the target material is prevented from being oxidized in the process of replacing the substrate or the base band, the related influence of the target material oxidation in the process of replacing the substrate sample is reduced, and the method has important significance for promoting the continuous preparation research of the target material easy to be oxidized, in particular the high-quality preparation research of the second-generation high-temperature superconducting strip metal target.
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申请号:202010196210.8 公开号:CN111334760A 主分类号:C23C14/30
申请人:电子科技大学 申请日:2020.03.19 公开日:2020.06.26
摘要:本发明属于薄膜制备技术领域,具体涉及一种多晶或非晶基底上制备原子层热电堆薄膜的方法。本发明采用IBAD法在非晶基底上获得双轴织构;并通过改变通常所用的离子束入射方向与MgO蒸发源入射方向相对于基底的夹角,薄膜形成类似于斜切单晶表面c轴倾斜于基底法线的结构,最终得到具有c轴倾斜晶粒的薄膜。本发明适用于多晶和非晶的表面,不仅可以使用厚度薄、柔性高、导热性好的金属带材代替现有技术的单晶作为基底,又可应用于在被测件表面直接沉积薄膜制成集成的原子层热电堆传感器,为复杂外形表面的热流测试提供全新的技术手段。
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申请号:202110151100.4 公开号:CN112962075A 主分类号:C23C14/35
申请人:西南交通大学 申请日:2021.02.04 公开日:2021.06.15
摘要:本发明涉及高温超导材料技术领域,具体涉及一种三靶共溅射制备第二代高温超导带材的方法,采用磁控溅射进行制备前驱体预制膜,然后将前驱体预制膜进行氧化处理,得到第二代高温超导带材,在磁控溅射过程中,采用三个溅射枪同时朝向基底进行溅射,三个溅射枪处于同一平面,且溅射枪之间的连线构成正三角形,第一个溅射枪以钡作为靶材,第二溅射枪以铜作为靶材,第三个溅射枪以稀土元素作为靶材。本发明相较于现有技术,提高了靶材的利用率,降低了制备成本,提高了高温超导带材的制备效率;同时制备的前驱体预制膜元素比可控,提高了实验重复性,并且,该方法能够对稀土金属靶材进行掺杂其他金属元素,提升薄膜的钉扎效果,进而提升第二代高温超导带材在磁场下的应用。
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申请号:202110153748.5 公开号:CN112962076A 主分类号:C23C14/35
申请人:西南交通大学 申请日:2021.02.04 公开日:2021.06.15
摘要:本发明涉及高温超导材料技术领域,具体涉及一种二代高温超导带材金属前驱膜的制备方法,采用磁控溅射方法制备金属前驱膜,在进行磁控溅射过程中,使用叠成靶作为溅射靶材,叠成靶包括自上而下依次叠加设置的钡靶层、稀土元素靶层和铜靶层。本发明采用的叠成靶由稀土元素(Re,可以是Y,Gd,Sm,Dy)、钡(Ba)和铜(Cu)三种不同金属、不同形状的靶材叠加而成,不需要对易氧化难加工的钡进行精加工,直接将靶材叠通过直流磁控溅射方式就能够制备得到用于制备二代高温超导带材的金属前驱膜,制备成本低,制备薄膜效率高,相比于其他方法制备YBCO薄膜具有更高的性价比,对促进二代高温超导带材的发展和研究具有重要意义。
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申请号:202210286974.5 公开号:CN114639768A 主分类号:H01L35/32
申请人:电子科技大学 申请日:2022.03.22 公开日:2022.06.17
摘要:本发明属于热流传感器领域,具体涉及一种原子层热电堆热流传感器及其批量制备方法。本发明提出的原子层热电堆热流传感器稳定性好;批量制备技术设计思路简单易行,在一英寸以上大面积的倾斜单晶基底上,通过特殊的图形化结构设计,一次性可批量生产上千个小型ALTP热流传感器,易于工业化大批量生产,大大提高工作效率,降低了成本。同时,可切割出包含2m、nm等根功能层线条的阵列样品,便于在测试时,根据不同需求选择不同个数样品进行测试,能够有效应对大热流场的测量需求应用场景,便于形成集成传感器芯片模块,充分发挥微系统可标准化批量化生产的特点,符合当今时代电路发展规律。
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