全部专利 发明专利 实用新型专利 外观设计专利
排序方式:
当前查询到1条专利包含查询词 "超低导通电阻LDMOS的制作方法" ,搜索用时0.125秒!
发明专利:1实用新型: 0外观设计: 0
1 条,当前第 1-1 条 返回搜索页
申请号:201911154068.4 公开号:CN112838118A 主分类号:H01L29/06
申请人:上海先进半导体制造有限公司 申请日:2019.11.22 公开日:2021.05.25
发明人:林威;刘建华
摘要:本发明公开了一种超低导通电阻LDMOS的制作方法,该制作方法包括:在高压N型阱中形成N型漂移区和P阱;在高压N型阱上形成SiO2层;在SiO2层上积淀多晶硅层;在多晶硅层上涂光刻胶,对光刻胶进行曝光,显影后将掩膜图案转移到多晶硅层表面;对未被光刻胶覆盖的闸极多晶硅区域进行高阻注入;对未被光刻胶覆盖的闸极多晶硅区域进行高能注入;对P阱靠近闸极一侧区域和N型漂移区靠近STI区域进行N型注入;对P阱中STI区域之间进行P型注入;在闸极靠近N型漂移区一侧以及N型漂移区的上方形成合金阻挡层。本发明通过将高阻注入引入LDMOS制式提高LDMOS的表现,降低了制造超低导通电阻的成本,同时维持了关态击穿电压。
详细信息 法律状态 下载全文

1 条,当前第 1-1 条 返回搜索页
©2021 Patent9.com All rights reserved.