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发明专利:22实用新型: 4外观设计: 0
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申请号:201911054800.0 公开号:CN110719021A 主分类号:H02M1/44
申请人:北京交通大学 申请日:2019.10.31 公开日:2020.01.21
摘要:本发明公开了一种并网三相逆变器共模EMI滤波器优化设计方法,包括:在并网三相逆变器中使用混沌SPWM调制,并且通过线性稳定阻抗网络得到变换器所需衰减的共模EMI频谱;分析并网三相逆变器的共模EMI通路以得到戴维南或者诺顿等效电路,根据等效电路求得共模EMI滤波器的插入损耗曲线;根据插入损耗曲线与共模EMI频谱的切点的参数及共模EMI滤波器转的折频率表达式得到所需电感值和所需电容值。该方法相较于使用定频SPWM调制的并网三相逆变器,可以提高所需共模EMI滤波器的转折频率,从而降低所需电感和电容值,降低共模E
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申请号:201911079755.4 公开号:CN110739875A 主分类号:H02M7/483
申请人:北京交通大学 申请日:2019.11.07 公开日:2020.01.31
摘要:本发明公开了一种消除MMC(modularmultilevelconverter,模块化多电平换流器)共模电压的六段式最近电平逼近调制方法,包括:将一个工频周期等分为满足预设条件的第一至第六控制区域;在任一相的控制区域内,获取其他两相上桥臂和下桥臂投入的目标子模块数;根据其他两相上桥臂投入的目标子模块数得到任一相上桥臂投入的目标子模块数,并根据其他两相下桥臂投入的目标子模块数得到任一相下桥臂投入的目标子模块数,以抑制MMC共模电压。该方法能消除共模电压,有效降低系统漏电流和共模噪声,有效解决了现有MMC中存在着高频共模电压能通过杂散电容产生漏电流、共模干扰,危害电机轴承、通信系统等的技术问题。
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申请号:202010119350.5 公开号:CN111404411A 主分类号:H02M7/483
申请人:北京交通大学 申请日:2020.02.26 公开日:2020.07.10
摘要:本发明公开了一种抑制SiC MOSFET串扰的三电平有源驱动电路,其中,该三电平有源驱动电路与SiC MOSFET的栅源极连接,可以用于SiC等宽禁带半导体器件在上下桥臂电路中的高速驱动,包括:驱动推挽电路、驱动电阻、脉冲产生电路和零压钳位电路。其中,推挽电路用于产生控制SiC MOSFET的栅源级电压,脉冲产生电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一电容和第一电压比较器,零压钳位电路包括第一P沟道MOSFET,第一二极管。该三电平有源驱动电路能够通过优化驱动电压有效地抑制桥臂电路中SiC MOSFET的栅源级电压产生的串扰问题,使得正负向栅源电压尖峰均保持在安全阈值之内。
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申请号:202011102001.9 公开号:CN112436725A 主分类号:H02M1/32
申请人:北京交通大学;泰科天润半导体科技(北京)有限公司 申请日:2020.10.15 公开日:2021.03.02
摘要:本发明提供了一种基于跨导增益负反馈机理的栅源电压扰动抑制电路,用于驱动被驱动功率MOSFET(Q1),被驱动功率MOSFET(Q1)通过驱动芯片作开关动作,包括一驱动管(Q2);通过驱动管(Q2)的跨导增益,经过被驱动功率MOSFET(Q1)内部寄生电阻,产生位移电流,对被驱动功率MOSFET(Q1)的寄生输入电容充放电,基于跨导增益构建负反馈调节机制,在外界干扰下,控制栅源电压保持稳定,同时抑制栅源电压正向和负向电压发散振荡。
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申请号:202011102468.3 公开号:CN112421940A 主分类号:H02M1/32
申请人:北京交通大学;泰科天润半导体科技(北京)有限公司 申请日:2020.10.15 公开日:2021.02.26
摘要:本发明提供了一种MOSFET栅极负反馈有源驱动电路,用于SiC、GaN等宽禁带半导体器件在桥臂电路中的高速驱动。基于负反馈控制原理,在不牺牲开关速度的前提下,自动抑制栅源电压干扰,实现高速开关下的栅压稳定。所述电路包括:驱动推挽电路、驱动电阻、辅助电容和辅助MOSFET。其中驱动推挽电路为普通的MOSFET驱动芯片,驱动电阻为电阻R,辅助电容为电容C,辅助MOSFET为P沟道MOSFET Qp。该MOSFET栅极负反馈有源驱动电路结构简单,易于实现,可在不牺牲SiC、GaN等宽禁带半导体器件开关速度的前提下,自动抑制栅源电压干扰,实现高速开关下的栅压稳定。
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申请号:202011102501.2 公开号:CN112290778A 主分类号:H02M1/08
申请人:北京交通大学;泰科天润半导体科技(北京)有限公司 申请日:2020.10.15 公开日:2021.01.29
摘要:本发明提供了一种用于串扰抑制的非线性阻抗驱动电路,用于功率半导体器件Q的关断,连接于驱动芯片以及功率半导体器件Q之间,包括基于功率半导体器件Qa的非线性阻抗驱动网络,功率半导体器件Qa用于负责跟随功率半导体器件Q开关状态,改变非线性阻抗驱动网络的输出阻抗,稳定功率半导体器件Q的栅源电压;所述功率半导体器件Q和功率半导体器件Qa具有对偶的沟道特性,利用功率半导体器件Qa与功率半导体器件Q的沟道互补特性,采用一路驱动信号,就可以实现功率半导体器件Qa和功率半导体器件Q的互补开通。
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申请号:202011377790.7 公开号:CN112615535A 主分类号:H02M1/36
申请人:北京交通大学 申请日:2020.11.30 公开日:2021.04.06
摘要:本发明提出一种用于交错直流变换器的软启动电路及其控制方法,其中,软启动包括:辅助二极管Da、辅助开关管Sa、辅助电阻Ra,其中,所述辅助二极管Da的阳极与外部电路连接,所述辅助电阻Ra的一端分别与外部电路连接,所述辅助开关管Sa的漏极或集电极与所述辅助二极管Da的阴极相连,所述辅助开关管Sa的源极或发射极与所述辅助电阻Ra的另一端相连。其中,控制方法包括以开关周期为单位定步长变移相占空比、互补占空比。由此,较好的抑制交错直流变换器启动电流尖峰,降低了对交错直流变换器的功率损耗,提高了软启动的可靠性,扩展了交错直流变换器的应用前景。
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申请号:202011565442.2 公开号:CN112614826A 主分类号:H01L25/07
申请人:北京交通大学;泰科天润半导体科技(北京)有限公司 申请日:2020.12.25 公开日:2021.04.06
摘要:本发明提供了一种双栅型功率金属氧化物半导体场效应晶体管及其驱动电路,包括主功率单元以及辅助稳定单元,所述主功率单元为第一MOSFETQ1,所述辅助稳定单元为第二MOSFETQ2;在较高的漏源电压电流变化率条件下,保持MOSFET栅源电压稳定性,让MOSFET获得鲁棒免疫高开关速度干扰的特性。采用该功率半导体器件的电力电子变换器系统能够可靠工作于更高频率、更高电压的环境。
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申请号:202110043527.2 公开号:CN112946447A 主分类号:G01R31/26
申请人:北京交通大学 申请日:2021.01.13 公开日:2021.06.11
摘要:本申请提出一种基于漏源导通电压积分的SiC MOSFET短路检测电路,涉及电力电子技术领域,包括:电压互感器(PT)一次侧并联在电力电子电路中的SiC MOSFET的漏极和源极;积分电阻(R)一端与电压互感器(PT)二次侧一端连接,积分电阻(R)另一端、积分电容(C)一端、开关管(S1)一端与运算放大器的反相输入端连接;电压互感器(PT)的二次侧的另一端和运算放大器同相输入端接地,积分电容(C)另一端、开关管(S1)另一端与运算放大器的输出端连接,运算放大器的输出端与比较器的反相输入端连接,比较器的同相输入端与参考电压连接。由此,可以快速检测SiC MOSFET短路情况并输出短路信号,且母线电压越大时短路保护动作越迅速,能够提高电力电子系统的可靠性。
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申请号:202110184242.0 公开号:CN112953174A 主分类号:H02M1/08
申请人:北京交通大学 申请日:2021.02.08 公开日:2021.06.11
摘要:本申请提出一种基于dv/dt检测的抑制SiC MOSFET串扰的钳位有源驱动电路,涉及电力电子技术领域,钳位有源驱动电路包括:驱动推挽电路、驱动电阻Rg、dv/dt检测电路和钳位电路,可以通过检测dv/dt变化率,将其转化为电压信号并作为钳位电路的输入,通过钳位电路使得被驱动功率SiC MOSFET栅源电压在受到干扰后能快速稳定至关断偏置电压VEE,解决高频大功率变换器中SiC MOSFET应用中出现的串扰问题,可以保护被驱动SiC MOSFET在发生正向串扰时不会误导通,在发生负向串扰时不会过压击穿,有效地抑制桥臂电路中SiC MOSFET的栅源极电压产生的串扰问题。
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