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[发明]
一种分相调压式三裂解整流变压器
申请号:
201010281580.8
公开号:CN102403112A 主分类号:H01F30/12(2006.01)I
申请人:
保定天威集团(江苏)五洲变压器有限公司
申请日:2010.09.14 公开日:2012.04.04
发明人:
金吉昌
;
刘艳丽
摘要:本发明涉及一种分相调压式三裂解整流变压器,包括有网侧绕组,在网侧绕组的对应工作端设有阀侧绕组,特点是:采用的网侧绕组在轴向上裂解为三个独立绕组,每个独立绕组上设有单独的分接开关。与之对应的是,本发明采用的阀侧绕组亦裂解为三个独立分支。这样,与传统的三个变压器整流形式相比,三分裂式整流变压器降低了损耗和占地面积,为用户创造了可观的经济效益和社会效益。更为重要的是,通过独立分支的阀侧绕组上均设置有至少三个独立的变频机组,能够有效与现有市场上所销售的各种变频机组配合,实现推广应用。
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12:
[发明]
用于海洋恶劣环境下使用的无极照明灯
申请号:
201210233093.3
公开号:CN102705742A 主分类号:F21S2/00(2006.01)I
申请人:
威海东兴电子有限公司
申请日:2012.07.06 公开日:2012.10.03
发明人:
张现金
;
汤丽艳
摘要:本发明涉及一种用于海洋恶劣环境下使用的无极照明灯,属于照明装置领域。设有反光器固定架,其特征是,反光器固定架经连接螺杆与电器箱固定在一起,电器箱内设有无极灯电子镇流器,无极灯电子镇流器与反光器固定架内的无极灯灯管电连接,钢化玻璃罩经锁紧抱箍将无极灯灯管密封在反光器固定架内,钢化玻璃罩上套装有防爆固定网。本发明使用寿命长,节能效果好,无频闪,无眩光,免维护,抗风好,耐腐蚀性强,可在海洋恶劣环境下使用。
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13:
[发明]
一种八仙花植株快速繁育的方法
申请号:
201710281422.4
公开号:CN107018900A 主分类号:A01H4/00(2006.01)I
申请人:
中国科学院合肥物质科学研究院
申请日:2017.04.26 公开日:2017.08.08
发明人:
侯金艳
;
吴丽芳
摘要:本发明公开了一种八仙花植株快速繁育的方法,包括如下步骤:取材,外植体的预处理,外植体不定根的诱导处理,外植体的定植,外植体的成苗管理。本发明的优点在于:其一,取材方便,材料丰富;其二,步骤简单、操作方便;其三,繁殖速度快(20天即可成苗),繁育成本低;其四,不定根诱导为最关键步骤,严格优化并控制化学药剂的种类和浓度,使其成为八仙花植株不定根诱导的最佳浓度;其五,预处理、定植及成苗管理步骤中的消毒剂、营养补液以及培养基质等的种类和浓度选择也严格与八仙花植株生长过程中所需的必要元素相配合,同时避免有害元素的引入。
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14:
[发明]
一种快速繁育乌桕植株的方法
申请号:
201710284650.7
公开号:CN107041309A 主分类号:A01H4/00(2006.01)I
申请人:
中国科学院合肥物质科学研究院
申请日:2017.04.26 公开日:2017.08.15
发明人:
吴丽芳
;
侯金艳
摘要:本发明公开了一种快速繁育乌桕植株的方法,包括如下步骤:取材,外植体的预处理,外植体不定根的诱导处理,外植体的定植,外植体的成苗管理。本发明的优点在于:其一,节约种质材料,提高繁殖效率;其二,取材方便,材料丰富,且所产生的植株可保持母本植株原有的优良性状;其三,获得幼苗速度快,快繁速度快;其四,避免了季节、地域等自然因素的影响和限制,也避免了乌桕组织培养繁育过程的繁琐和后续组培再生苗驯化移栽成活率低的缺陷;其五,生产再生小苗成本低,操作方法简单,适于乌桕的工厂化育苗;其六,严格优化并控制生根促进液的成分和浓度;其七,消毒剂、营养补液以及营养基质等的种类和浓度选择也严格与乌桕生长过程相配合。
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15:
[发明]
一种金花葵植株高效繁育的方法
申请号:
201711170657.2
公开号:CN107950391A 主分类号:A01H4/00(2006.01)I
申请人:
中国科学院合肥物质科学研究院
申请日:2017.11.22 公开日:2018.04.24
发明人:
侯金艳
;
吴丽芳
摘要:本发明公开了一种金花葵植株高效繁育的方法,取成熟饱满的金花葵种子作为初始材料,进行表面消毒;将消毒后的种子接种到萌发培养基中,光照培养,获得无菌苗;无菌条件下,将金花葵无菌苗的茎段切段,接种于不定芽诱导培养基中,光照培养后,茎段两端切口处诱导出不定芽丛;将带有不定芽丛的茎段转接于伸长培养基中进行不定芽的伸长培养;待不定芽长至完整叶片时,转至生根培养基中进行生根培养,光照培养后,获得根系健壮的金花葵试管苗。进行金花葵种苗的繁育可以不必通过种子育苗,从而解除了金花葵育苗的时间限制,提高了种苗繁育系数,为后期金花葵优良株系的规模化繁育及品种改良研究奠定了基础。
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16:
[发明]
一种南京椴株系高效繁育的方法
申请号:
201711251953.5
公开号:CN107750950A 主分类号:A01H4/00(2006.01)I
申请人:
中国科学院合肥物质科学研究院
申请日:2017.12.01 公开日:2018.03.06
发明人:
侯金艳
;
吴丽芳
摘要:本发明公开了一种南京椴株系高效繁育的方法,剪取带腋芽的茎段作为外植体,经表面消毒后,接种于初代培养基中培养;剪取腋芽,转接于增殖培养基中,至腋芽诱导出不定芽;将不定芽分离成单个芽,然后转接于伸长培养基中;将伸长的不定芽移出组培室,在自然光照条件下炼苗;将炼苗后的伸长芽冲洗后,剪成适宜大小的微切段,然后进行生根预处理;将经生根促进液处理后的茎段形态学的下端,定植于营养基质中,在温室大棚中进行南京椴植株的成苗培养。本发明将南京椴伸长苗的扩大繁育过程、生根过程与驯化过程结合到一起,扩大了南京椴的繁育系数,提高了组培苗的存活率,加速了种苗繁殖的进程,有利于实现南京椴的工厂化育苗。
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17:
[发明]
一种镍金属配位聚合物及其制备方法
申请号:
201811406146.0
公开号:CN109651620A 主分类号:C08G83/00
申请人:
延安大学
申请日:2018.11.23 公开日:2019.04.19
发明人:
张美丽
;
郑艳金
摘要:本发明公开的一种镍金属配位聚合物,具有三维多孔的超分子网络结构,化学式为{[Ni(ppda)(mbib)]·H
2
O}
n
,其中,ppda代表对苯二乙酸,bib代表1,3‑双(1‑咪唑基)苯,该配位聚合物属于正交晶系,空间群为Pna21。对苯二乙酸的羧基以“V”形式与金属Ni桥连形成一维环,相邻的一维环通过氢键结合形成二维超分子层,通过1,3‑双(1‑咪唑基)苯)配体的苯环之间的π‑π作用,形成三维多孔超分子网络结构,对Ni配位聚合物的电化学拓展研究奠定了一定的基础。本发明采用水热合成的制备方法,其操作简单,条件温和、产率高、可重现性好并且能够了解反应过程。
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18:
[发明]
基于间苯二乙酸的Cd(II)配合物及制备方法
申请号:
201811406710.9
公开号:CN109535186A 主分类号:C07F3/08(2006.01)I
申请人:
延安大学
申请日:2018.11.23 公开日:2019.03.29
发明人:
张美丽
;
郑艳金
摘要:本发明公开的基于间苯二乙酸的Cd(II)配合物,具有三维结构,化学式为[Cd(mpda)(mbib)]
n
,其中,pda代表间苯二乙酸,bib代表1,3‑双(咪唑‑1‑甲基)苯;该配合物属于单斜晶系,空间群为P2
1
/n,晶胞参数为
β=104.732(1)°,
Z=4,μ=1.028mm
‑1
,R
1
a
=0.0268,wR
2
b
=0.0797。本发明还公开了该配合物的制备方法,该制备方法操作简单,条件温和、产率高、可重现性好并且能够了解反应过程。
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19:
[发明]
一种金丝楠木离体再生的方法及其应用
申请号:
201811587167.7
公开号:CN109566414A 主分类号:A01H4/00(2006.01)I
申请人:
中国科学院合肥物质科学研究院
申请日:2018.12.25 公开日:2019.04.05
发明人:
侯金艳
;
吴丽芳
摘要:本发明公开了一种金丝楠木离体再生的方法,包括以下步骤:以金丝楠木种子实生苗的茎段为外植体;将茎段经高锰酸钾溶液消毒;将消毒后的茎段的形态学下端浸于生根促进液中进行不定根诱导处理;将经不定根诱导处理后的金丝楠木茎段定植;将定植后的茎段盖上塑料盖,置于温室中进行成苗培养,最终获得完整的再生植株。本发明还公开所述金丝楠木离体再生的方法在金丝楠木繁育中的应用。本发明具有取材少,取材方便,繁殖系数高且繁殖不受季节限制等优势,对于金丝楠木种苗的繁育及后期优良株系的规模化繁殖具有重要意义。
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20:
[发明]
一种压滤型离子交换膜电渗析装置
申请号:
201910199270.2
公开号:CN109954405A 主分类号:B01D61/48
申请人:
苏州聚智同创环保科技有限公司
申请日:2019.03.15 公开日:2019.07.02
发明人:
金艳
;
宋兴福
;
李丽
摘要:一种压滤型离子交换膜电渗析装置,包括阴极板和阳极板,在阴极板和阳极板之间交替排列设置了若干块淡室隔板和浓室隔板,淡室隔板和浓室隔板都为长方形平板且它们的板中间部分都为镂空部分,淡室隔板和浓室隔板的两侧板面都分别设置有阴离子交换膜和阳离子交换膜,阴离子交换膜和阳离子交换膜将镂空部分包围形成空腔区域,同时在淡室隔板和浓室隔板上都设置布水口和空腔区域连通,本方案设计的压滤型离子交换膜电渗析装置,通过改变浓室隔板空腔区域的面积,使其小于淡室隔板的空腔区域面积,在避免隔板空腔区域外围离子交换膜结垢的同时,还能保证足够的离子交换膜有效通电面积;缓解离子交换膜表面中性搅乱现象,提高使用寿命。
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