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1:
[发明]
存储器及其形成方法、半导体器件
申请号:
201710508179.5
公开号:CN109148376A 主分类号:H01L21/8242(2006.01)I
申请人:
长鑫存储技术有限公司
申请日:2017.06.28 公开日:2019.01.04
发明人:
不公告发明人
摘要:本发明提供了一种存储器及其形成方法、半导体器件。利用对应字线图形的第一掩膜层自对准地形成掩膜支撑体和牺牲层,并结合第二掩膜层自对准地形成一空腔,以界定出存储节点接触和位线接触的形成区域,进而在掩膜支撑体和牺牲层的隔离屏障的作用下,能够在空腔中依次形成存储节点接触和位线接触。即,在形成存储节点接触和位线接触的过程中,仅利用了一道光刻工艺,减少了光刻工艺的执行次数,避免了由于多次光刻工艺而产生较大位移偏差的问题,进而可减小存储节点接触和存储节点接触区之间、以及位线接触和位线接触区之间的接触电阻。
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2:
[发明]
一种填充沟槽形成触点的方法
申请号:
201810649760.3
公开号:CN108962894A 主分类号:H01L27/108(2006.01)I
申请人:
长鑫存储技术有限公司
申请日:2018.06.22 公开日:2018.12.07
发明人:
王宏付
摘要:本发明提供一种填充沟槽形成触点的方法,通过控制刻蚀反应压力使得沟槽上部的阶梯覆盖膜的刻蚀移除量大于沟槽下部的阶梯覆盖膜的刻蚀移除量,以降低沟槽形貌的深宽比;藉由沉积及刻蚀循环的方式,完成较高深宽比的无缝隙薄膜填充,避免了缝隙对薄膜结构和电性能的影响;在同一反应室内完成沉积及刻蚀工艺,降低工艺成本;本发明制备动态随机存取存储器的方法可以制备具有无缝隙薄膜填充位线接触沟槽的动态随机存取存储器,并降低工艺复杂性及成本,提高所述动态随机存取存储器的存储能力。
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3:
[发明]
灵敏放大器及应用其的存储装置和时序控制方法
申请号:
201810757347.9
公开号:CN109065090A 主分类号:G11C16/08(2006.01)I
申请人:
长鑫存储技术有限公司
申请日:2018.07.11 公开日:2018.12.21
发明人:
不公告发明人
摘要:本发明提供一种灵敏放大器及应用其的存储装置和时序控制方法,该灵敏放大器包括:连接于第一字线和位线的第一存储单元;连接于伪字线和预充信号线的第一降压单元,它通过位线连接于第一存储单元,用于在电荷分享阶段与第一存储单元以及位线上的寄生电容进行电荷分享,以使位线上的电压从预充电压下降至第一电压;连接于第二字线和反位线的第二存储单元;连接于伪字线和预充信号线的第二降压单元,它通过反位线连接于第二存储单元,用于在电荷分享阶段,与反位线上的寄生电容进行电荷分享,以使反位线上的电压从预充电压下降至第二电压,其中,在电荷分享阶段,预充信号线和第二字线关闭,第一字线和伪字线开启,本发明可以提高电路灵敏度。
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4:
[发明]
电容阵列结构及其制备方法
申请号:
201810796237.3
公开号:CN109065501A 主分类号:H01L21/77(2017.01)I
申请人:
长鑫存储技术有限公司
申请日:2018.07.19 公开日:2018.12.21
发明人:
不公告发明人
摘要:本发明提供一种电容阵列结构及其制备方法,包括:于半导体衬底上形成叠层结构;刻蚀叠层结构形成电容孔;刻蚀叠层结构使得叠层结构具有垂直于半导体衬底的平坦外侧壁;形成下电极层、阵列边界层及具有多个开口的第三掩膜层;基于开口去除叠层结构中的牺牲层;形成电容介质层、上电极层及导电填充层,导电填充层具有垂直于半导体衬底平坦的外侧壁;去除电容阵列所在区域外围的导电材料。本发明通过阵列边界层的设置,使电容阵列的边缘具有垂直于半导体衬底的平坦表面,提高电容阵列外围绝缘材料层的沉积质量,避免绝缘材料层中出现缝隙,进而避免电容阵列与导电栓塞的短路以及导电栓塞之间的短路,以此提高半导体器件的良率。
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5:
[发明]
光刻方法、刻蚀方法及半导体结构
申请号:
201810836430.5
公开号:CN109062011A 主分类号:G03F7/20(2006.01)I
申请人:
长鑫存储技术有限公司
申请日:2018.07.26 公开日:2018.12.21
发明人:
不公告发明人
摘要:本发明提供一种光刻方法、刻蚀方法及半导体结构,光刻方法包括如下步骤:1)提供一晶圆,晶圆包括有效区域及边缘区域;有效区域内包括若干个间隔分布的芯片区以及芯片区之间的第一切割道,边缘区域内包括若干个间隔分布的畸零区以及畸零区之间的第二切割道,芯片区和畸零区之间形成有第三切割道;2)于晶圆上形成牺牲阻挡层,覆盖边缘区域的畸零区及至少一第二切割道;3)于步骤2)所得结构的上形成第一光刻胶层,连续式覆盖有效区域及边缘区域上牺牲阻挡层;4)进行晶圆曝光及显影,以将第一光刻胶层进行图形化处理;显影后,保留牺牲阻挡层的覆盖图形。本发明可以避免边缘缺陷的产生,艺简单,可以显著提高产量,节约生产成本,便于量产。
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6:
[发明]
晶片测试装置及测试方法
申请号:
201811019070.6
公开号:CN108957300A 主分类号:G01R31/28(2006.01)I
申请人:
长鑫存储技术有限公司
申请日:2018.09.03 公开日:2018.12.07
发明人:
不公告发明人
摘要:本公开是关于一种晶片测试装置及方法,该晶片测试装置包括:介面卡,所述介面卡包括:信号合成装置、多个第一接口和第二接口;信号合成装置用于将多个检测仪发出的第一信号合成第二信号,并将所述第二信号发送给晶片插座;多个第一接口设置在所述信号合成装置的输入端,用于连接所述多个检测仪;第二接口设置在所述信号合成装置的输出端,用于连接晶片插座。通过信号合成装置将多个检测仪输出的低频率的第一信号合成为高频率的第二信号,利用了多个低频检测仪实现了晶片的高频测试。
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7:
[发明]
电源系统及半导体封装集合体
申请号:
201811132407.4
公开号:CN109147834A 主分类号:G11C5/14(2006.01)I
申请人:
长鑫存储技术有限公司
申请日:2018.09.27 公开日:2019.01.04
发明人:
不公告发明人
摘要:本公开的实施例提出一种电源系统及半导体封装集合体。该电源系统包括:内部电压产生电路,用于产生至少一个内部电压;芯片使能电路,用于根据所述至少一个内部电压生成芯片使能信号;其中,所述至少一个内部电压用于通过电源芯片互连结构提供给至少一个半导体芯片,所述芯片使能信号用于将所述至少一个内部电压同步输入至所述至少一个半导体芯片。
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8:
[发明]
电源系统及半导体封装集合体
申请号:
201811132440.7
公开号:CN109147835A 主分类号:G11C5/14(2006.01)I
申请人:
长鑫存储技术有限公司
申请日:2018.09.27 公开日:2019.01.04
发明人:
不公告发明人
摘要:本公开的实施例提出一种电源系统及半导体封装集合体。该电源系统包括:内部电压产生电路,用于产生至少一个内部电压;其中,所述至少一个内部电压用于通过电源芯片互连结构提供给至少一个半导体芯片。
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9:
[发明]
电容结构及其形成方法
申请号:
201811146201.7
公开号:CN109148426A 主分类号:H01L23/64(2006.01)I
申请人:
长鑫存储技术有限公司
申请日:2018.09.29 公开日:2019.01.04
发明人:
王晓玲
摘要:本发明提供一种电容结构及其形成方法,该电容结构包括:一基板,具有多个间隔的电容触点;多个电容柱,电容柱形成于所述基板上,并与电容触点接合,电容柱由内而外包括第一上电极层、第一介电层、下电极层、第二介电层及第二上电极层;顶部支撑层,平行于所述基板,多个电容柱贯穿于顶部支撑层,形成位于顶部支撑层上方的电容柱延伸部和下方的电容柱本体部;固定层,形成于所述电容柱延伸部的外围,固定层在垂直于所述基板方向上全部或部分地覆盖所述电容柱延伸部。该电容结构改善了加高的空心电容柱本身不稳定、易倒塌的问题,同时也避免了其形成过程中湿法刻蚀易出现的晃动及倒塌现象,大大提高了电容结构的稳定性和器件性能。
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10:
[发明]
电容结构及其形成方法
申请号:
201811146228.6
公开号:CN109148427A 主分类号:H01L23/64(2006.01)I
申请人:
长鑫存储技术有限公司
申请日:2018.09.29 公开日:2019.01.04
发明人:
王晓玲
摘要:本发明提供一种电容结构及其形成方法,该电容结构包括:一基板,具有多个间隔的电容触点;多个电容柱,电容柱形成于基板上,并与电容触点接合,电容柱由内而外包括第一上电极层、第一介电层、下电极层、第二介电层及第二上电极层;固定层,平行于所述基板,多个电容柱贯穿于所述固定层,形成位于固定层上方的电容柱延伸部和下方的电容柱本体部,固定层在垂直于所述基板方向上全部或部分地覆盖所述电容柱延伸部。该电容结构改善了加高的空心电容柱本身不稳定、易倒塌的问题,避免了形成过程中湿法刻蚀易出现的晃动及倒塌现象,此外,该电容结构无顶部支撑层,在保证电容器件性能稳定的前提下又节约了工艺成本,具有很好的工业化前景。
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