摘要:一种K
4(B
3O
3F
6)(NO
3)化合物及非线性光学晶体,晶体结构不具有对称中心,属于立方晶系,空间群为P2
13,晶胞参数

Z=8,单胞体积为

可采用助熔剂自发成核或助熔剂顶部籽晶方法生长晶体,助熔剂为KNO
3-KF;该晶体具有非线性光学效应,可用于制备激光输出频率转换的激光器;用于制备对波长1064nm的激光光束产生2倍频,3倍频,4倍频或5倍频的谐波光输出的谐波发生器;用于制备产生波长低于200nm的谐波光输出的谐波发生器;用于制备紫外区的谐波发生器、光参量振荡与光参量放大器件及光波导器件;谐波发生器为从红外到深紫外区的光参量振荡与光参量放大器件。
摘要:分子式为K
4M
5P
4Mo
4HO
27磷钼酸盐,粉末倍频强度与KDP相当;M为K时,其为磷钼酸氢钾,晶体属四方晶系,空间群为I-4c2,晶胞参数

α=β=γ=90°,Z=4,单胞体积为

M为Rb时,其为磷钼酸氢铷钾,晶体亦属四方晶系,空间群为I-4c2,晶胞参数

α=β=γ=90°,Z=4,单胞体积为

二晶体均采用助熔剂自发成核法或助熔剂顶部籽晶法生长;二晶体均具非线性光学效应;为非同成分熔融化合物;可作为红外至紫外波段非线性光学晶体用于制备激光输出频率转换激光器;或用于制备对波长1064nm激光光束产生2、3、4或5倍频谐波发生器。
摘要:一种双层坩埚:底部设晶体淘汰结构的坩埚内层置于坩埚外层内;位于外层顶端的外层封头;封头上设与抽气系统相连的直管;直管与坩埚外层和内层相通;封头与坩埚外层顶端熔封以使坩埚外层完全包纳坩埚内层;其氟硼酸铯晶体生长步骤:将晶体生长原料装内层中;将内层置外层之中;将封头与外层熔封;通过直管抽真空,抽真空条件下将直管熔封;或抽真空度后再通过直管向坩埚外层和内层充惰性气体,在惰性氛围下将外层直管熔封,以使坩埚外层完全密闭包纳坩埚内层;熔封后的双层坩埚置入坩埚下降生长炉中,通过坩埚下降法进行氟硼酸铯晶体生长;本该双层坩埚综合了石英坩埚、惰性金属和碳基坩埚优点并克服了其缺点,从而高效地用于氟硼酸铯晶体生长。
摘要:一种双层坩埚:底部设晶体淘汰结构的坩埚内层置于坩埚外层内;位于外层顶端的外层封头;封头上设与抽气系统相连的直管;直管与坩埚外层和内层相通;封头与坩埚外层顶端熔封以使坩埚外层完全包纳坩埚内层;其氟硼酸铯晶体生长步骤:将晶体生长原料装内层中;将内层置外层之中;将封头与外层熔封;通过直管抽真空,抽真空条件下将直管熔封;或抽真空度后再通过直管向坩埚外层和内层充惰性气体,在惰性氛围下将外层直管熔封,以使坩埚外层完全密闭包纳坩埚内层;熔封后的双层坩埚置入坩埚下降生长炉中,通过坩埚下降法进行氟硼酸铯晶体生长;本该双层坩埚综合了石英坩埚、惰性金属和碳基坩埚优点并克服了其缺点,从而高效地用于氟硼酸铯晶体生长。