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发明专利:1447实用新型: 1122外观设计: 65
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申请号:200610147669.9 公开号:CN1976082 主分类号:H01L45/00(2006.01)I
申请人:复旦大学 申请日:2006.12.21 公开日:2007.06.06
发明人:林殷茵;陈邦明
摘要:本发明属微电子技术领域,具体是一种采用CuxO作为存储介质的电阻随机可存取存储器的结构及其制备方法。该存储器中,作为存储介质的CuxO位于通孔正下方并深入到下层铜引线内部,下层铜引线是下电极,CuxO上方则通过位于通孔中的铜栓塞与上层铜引线连接,上层铜引线是上电极。CuxO用等离体氧化工艺制作。制备方法与双大马士革铜互连技术兼容。
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申请号:200610162323.6 公开号:CN101203106 主分类号:H05K7/02(2006.01)I
申请人:宇瞻科技股份有限公司 申请日:2006.12.11 公开日:2008.06.18
发明人:林敏龙;陈建邦
摘要:一种用于装配在计算机上的电子数据存取装置,包括壳体、由该壳体水平延伸而出的接头座、设置在该接头座上并由其一侧突伸而出的USB接头、以及设置在该壳体内的存取记忆单元;其中,该存取记忆单元包含电路板和设置在该电路板上的存储芯片,且与USB接头电连接,而USB接头与壳体垂直设置,由此当插置在计算机设备的USB插座上时,该壳体能贴近于该计算机设备的侧壁。
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申请号:200710036818.9 公开号:CN101013597 主分类号:G11C11/56(2006.01)I
申请人:林殷茵;陈邦明 申请日:2007.01.25 公开日:2007.08.08
发明人:林殷茵;陈邦明
摘要:本发明属于集成电路技术领域,具体为一种电阻随机存储器及对这种存储器进行存储操作的方法。采用二元或者二元以上的多元金属氧化物作为存储电阻,每个存储单元中都包括两个或两个以上存储电阻,每个存储电阻的第一电极都与同一个选通器件连接,第二电极与不同的位线耦连,形成若干个存储电阻共享同一个选通器件的结构。本发明可大大提高存储集成密度。
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申请号:200710042333.0 公开号:CN101097778 主分类号:G11C13/00(2006.01)I
申请人:复旦大学 申请日:2007.06.21 公开日:2008.01.02
发明人:林殷茵;陈邦明
摘要:本发明属于集成电路技术领域,具体为一种基于金属氧化物存储介质的编程单元复用的FPGA器件。该器件由可编程逻辑功能块CLB、输入输出模块IOB和可编程互联资源组成,其中可编程逻辑功能块CLB和可编程互联资源都应用编程单元复用的结构,由复用的编程单元控制各编程点。复用的编程单元以金属氧化物作为存储介质,并由一个传统的SRAM与多个存储电阻和一个参考电阻构成。工作时,通过一个译码器控制与各存储电阻上电极连接的nmos选通管,从而实现对同一编程单元的各个不同的存储电阻的读写操作。使用本发明器件,大量的配置数据一次下载即可,用户每次只需导入少量功能数据,可以节省大量时间。
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申请号:200710045933.2 公开号:CN101425333 主分类号:G11C11/56(2006.01)I
申请人:林殷茵;陈邦明 申请日:2007.09.13 公开日:2009.05.06
发明人:林殷茵;陈邦明
摘要:本发明属于集成电路技术领域,具体为一种电阻转换存储器及对这种存储器进行存储操作的方法。本发明采用二元或者二元以上的多元金属氧化物(如CuxO 1<x≤2、WOx 2≤x≤3、钛的氧化物、镍的氧化物、锆的氧化物、铝的氧化物、铌的氧化物、钽的氧化物等)作为存储电阻,每个存储单元中都包括两个或两个以上存储电阻,每个存储电阻的第一电极都与同一个选通器件连接,第二电极与不同的位线耦连,形成同一存储单元中若干个存储电阻共享同一个选通器件的结构。存储操作方法包括写操作方法和读操作方法。本发明的存储器可以大大提高存储集成密度,本发明方法进行存储操作时对其它单元不产生干扰。
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申请号:200710045934.7 公开号:CN101692348 主分类号:G11C11/56(2006.01)I
申请人:林殷茵;陈邦明 申请日:2007.09.13 公开日:2010.04.07
发明人:林殷茵;陈邦明
摘要:本发明属于集成电路技术领域,具体为一种单极编程电阻存储器及其存储操作的方法。本发明采用二元或者二元以上的多元金属氧化物(如CuxO(1<x≤2)、WOx(2≤x≤3)等)作为存储电阻的电阻转换存储器结构,每个存储单元中包括一个选通器件和两个或两个以上的上述存储电阻和二极管。存储电阻与二极管串联连接形成一个模块,每个模块的第一输出电极与上述的同一个选通器件连接,并通过该选通器件与字线耦连;每个上述模块的第二输出电极与不同的位线耦连,形成若干个存储电阻和二极管共享上述的同一个选通器件的结构。二极管通过p型金属氧化物半导体与n型金属氧化物半导体直接连接形成具有单向导通的pn异质结。该存储器具有高存储密度和存储操作时不会产生交叉串扰的特点。
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申请号:200810091342.3 公开号:CN101556822 主分类号:G11C7/10(2006.01)I
申请人:宇瞻科技股份有限公司 申请日:2008.04.08 公开日:2009.10.14
发明人:陈建邦;林敏龙
摘要:本发明公开一种具有SATA接口的随身盘,用以与电子装置进行数据传输,其包含:控制器;存储单元,其与控制器相连接;供电组件,其与控制器相连接,用以提供控制器运作所需的电压;以及SATA连接端口,其与控制器连接;其中,控制器用以处理及存取存储于存储单元中的数据,并通过SATA连接端口与电子装置进行数据传输。本发明提供的随身盘能解决已知随身盘传输速度受限,造成等待传输时间较长以及使用上的不便等缺点。
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申请号:201710764250.6 公开号:CN107409882A 主分类号:A01G16/00(2006.01)I
申请人:上海衍畅环境科技有限公司 申请日:2017.08.30 公开日:2017.12.01
发明人:陈邦林
摘要:本发明公开了一种秸秆全量还田时改善水稻种植环境的方法,水稻种植过程中采用纳微气液界面技术将纳微米气液分散相水体加入水稻灌溉水中进行水稻灌溉,并在停止灌溉后将稻田内之混合水以不同方式扩散输移,以继续保有纳微米气液分散混合水体可提高土壤胶体的电动电位,改变土壤的物理化学性能,大大改善了秸秆全量还田时的土壤环境,缓解和抑制秸秆全量还田的土壤厌氧效应。
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申请号:202011112101.X 公开号:CN112473368A 主分类号:B01D59/02
申请人:陈邦林;诸旭辉 申请日:2020.10.16 公开日:2021.03.12
发明人:陈邦林;诸旭辉
摘要:本发明涉及一种纳米气泡同位素分离方法及分离装置和级联,该方法首先制得含纳米气泡的液体,然后纳米气泡在上升的过程中与液体发生接触,当纳米气泡上升至一定高度后,即可获得较重的同位素浓缩产品,而较轻的同位素浓缩产品在分离圆筒的液相中,从而实现了同位素分离。本发明的分离装置包括纳米气泡发生器、圆筒分离器和供取料装置,级联是多个分离装置的串并联组合。本发明可应用于各种元素的同位素分离,特别适用于轻同位素的分离,尤其是锂同位素分离。本发明还具有投资少、能耗低、原料廉价、快速达产、规模灵活和无污染等优点。
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申请号:202211170495.3 公开号:CN115295570A 主分类号:H01L27/146
申请人:合肥晶合集成电路股份有限公司 申请日:2022.09.26 公开日:2022.11.04
发明人:陈维邦;林智伟
摘要:本发明提供一种CMOS图像传感器的制作方法。该制作方法包括:提供包括第一区和第二区的基底,基底上表面形成有硬掩模层;在硬掩模层上形成芯模结构;在芯模结构的侧壁形成侧墙,去除芯模结构,第一区上相邻的侧墙之间具有第一间距,第二区上相邻的侧墙之间具有第二间距;以第一区和/或第二区作为修整区,通过刻蚀工艺修整修整区上的侧墙的轮廓;以侧墙为掩模,刻蚀硬掩模层和基底,在第一区和第二区的基底中分别形成深度不同的第一沟槽和第二沟槽,其中,通过修整修整区上的侧墙的轮廓,以形成设定截面形状的沟槽。如此,可以同时形成尺寸较小且深度不同的沟槽,且沟槽的截面形状可控。
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