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发明专利:9实用新型: 2外观设计: 0
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申请号:201910312268.1 公开号:CN111834188A 主分类号:H01J37/30
申请人:北京北方华创微电子装备有限公司 申请日:2019.04.18 公开日:2020.10.27
发明人:鲁艳成
摘要:本发明提供一种观察窗组件及半导体加工设备,包括观察窗和底座,所述底座用于固定安装在腔室壁上;在所述底座中设置有容纳观察窗的空腔,并且在所述底座上,且位于所述空腔的两侧分别设置有用于显露所述观察窗的开口。本发明提供的观察窗组件,其可以简化拆装过程,提高维护效率。
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申请号:202010213082.3 公开号:CN111403256A 主分类号:H01J37/32
申请人:北京北方华创微电子装备有限公司 申请日:2020.03.24 公开日:2020.07.10
发明人:鲁艳成
摘要:本申请实施例提供了一种半导体工艺装置。该半导体工艺装置包括:工艺腔室、等离子体源、以及设置在工艺腔室内的调压组件及匀流组件;工艺腔室内形成有反应腔,反应腔内设置有用于承截晶圆的卡盘;调压组件设置于工艺腔室的顶板上,等离子体源通过调压组件与反应腔连通设置,用于产生等离子体;调压组件用于在等离子体源与反应腔之间形成压力梯度;匀流组件设置于反应腔顶部;匀流组件包括匀流板,匀流板设置于反应腔内且位于卡盘的上方,匀流板与卡盘之间的间距可调节设置。本申请实施例可以使等离子体气流更加均匀,不但能提高工艺均匀性和速率,也可减少本申请实施例的运行成本。
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申请号:202011299759.6 公开号:CN112509901A 主分类号:H01J37/32
申请人:北京北方华创微电子装备有限公司 申请日:2020.11.19 公开日:2021.03.16
摘要:本发明提供了一种工艺腔室及半导体工艺设备。该工艺腔室应用于半导体工艺设备,包括:腔室本体、基座及卡盘组件;腔室本体内形成有反应腔,基座位于反应腔内,卡盘组件与基座连接,以用于承载待加工工件;基座包括基座本体和多个悬臂,悬臂分别连接反应腔的内壁和基座本体的外壁,且多个悬臂沿基座本体的周向间隔且均匀设置;腔室本体、基座本体和悬臂为一体成型结构,且由具有导电性和导热性的材质制成。本发明实现了大幅提高工艺腔室的射频回路均匀性及整体温度均匀性,进而大幅提高待加工工件的良率。
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4:[发明] 工艺腔室
申请号:202111298473.0 公开号:CN113745135A 主分类号:H01L21/67
申请人:北京北方华创微电子装备有限公司 申请日:2021.11.04 公开日:2021.12.03
发明人:鲁艳成
摘要:本发明提供一种工艺腔室,包括腔体和腔体中的基座,基座包括基座本体和基座本体底部的支撑柱,腔体的底部形成有固定通孔,支撑柱的底端固定设置在固定通孔中,且支撑柱内部的容纳孔通过固定通孔与工艺腔室的外部连通。固定通孔包括形成在腔体底壁上的定位槽和定位槽底部的连通孔,支撑柱的外壁上形成有定位盘,定位盘设置在定位槽中,定位盘的下表面与定位槽的底部之间设置有环形隔热件,支撑柱的底端通过固定组件与腔体的外壁固定连接且受到向下的预紧力。在本发明中,支撑柱的底端受向下的预紧力,使定位盘通过环形隔热件与定位槽的底面相抵,在固定基座的同时,降低了基座向腔体传热的效率,降低了基座的热负载,并提高了腔室温度场的稳定性。
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5:[发明] 半导体腔室
申请号:202111417497.3 公开号:CN114156211A 主分类号:H01L21/67
申请人:北京北方华创微电子装备有限公司 申请日:2021.11.25 公开日:2022.03.08
发明人:鲁艳成
摘要:本发明公开一种半导体腔室,包括腔室本体(100)、承载台(200)、支撑柱(300),所述腔室本体(100)的底板中心开设有抽气通道(110);所述承载台(200)设置于所述腔室本体(100)内,所述承载台(200)的中心轴线和所述抽气通道(110)的中心轴线相重合;所述支撑柱(300)设置于所述腔室本体(100)内,所述支撑柱(300)具有第一端和第二端,所述第一端与所述底板相连接,所述第二端与所述承载台(200)的底面相连接,所述支撑柱(300)用于支撑所述承载台(200),且位于所述承载台(200)的边缘。上述方案能够解决晶圆的去胶均匀性较差的问题。
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申请号:202111522809.7 公开号:CN114141691A 主分类号:H01L21/687
申请人:北京北方华创微电子装备有限公司 申请日:2021.12.14 公开日:2022.03.04
发明人:鲁艳成;韦刚;刘建
摘要:本发明提供一种半导体工艺设备,包括工艺腔室和抽气组件,工艺腔室包括腔室本体和设置在腔室本体内的承载装置,承载装置包括承载盘和基座组件;承载盘固定在基座组件上,用于承载晶圆;承载盘设置有气孔和多个容纳顶针的顶针通道,气孔用于向晶圆和承载盘之间通入导热气体,每个顶针通道背离基座组件的一端设置有密封结构,密封结构的上表面用于与晶圆的背面相接触,阻挡导热气体进入顶针通道;承载盘内设置有与多个顶针通道连通的第一连通通道,第一连通通道与抽气组件连通,用于排出泄漏至各顶针通道内的导热气体。本发明提供的半导体工艺设备能够降低导热气体在顶针通道内电离的概率,改善工艺结果,提高设备稳定性。
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申请号:202210014882.1 公开号:CN114050101A 主分类号:H01J37/32
申请人:北京北方华创微电子装备有限公司 申请日:2022.01.07 公开日:2022.02.15
摘要:本申请公开一种反应腔室及半导体工艺设备,所述反应腔室包括腔体、内门组件和升降机构,其中:所述腔体的内腔设置有内衬,所述内衬设有与所述腔体的侧壁开口相对的传片口;所述升降机构包括连杆和轴套组件,所述连杆穿设于所述腔体的底壁,并与所述内门组件相连,所述连杆用于带动所述内门组件升降移动,以遮挡或者避让所述传片口;所述轴套组件固定设置于所述内腔中,且位于所述传片口的下侧,所述轴套组件邻近所述传片口设置,并套设于所述连杆外侧。上述方案能够解决相关技术中的反应腔室存在的连杆偏斜、维护难度大的问题。
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申请号:202210180594.3 公开号:CN114400194A 主分类号:H01L21/67
申请人:北京北方华创微电子装备有限公司 申请日:2022.02.25 公开日:2022.04.26
发明人:崔少飞;鲁艳成
摘要:本申请公开一种半导体工艺设备,包括整机支架、上电极系统、反应腔室、真空系统、电气小车和电气柜,其中:上电极系统、反应腔室和真空系统均设于整机支架上;电气小车包括车架、第一支撑装置和至少两个移动装置,电气柜设于车架上;车架的一端部铰接于整机支架,以使电气小车可在工作位置和避让位置之间转动切换;至少两个移动装置设于车架的底部;整机支架具有承载平台,第一支撑装置设于车架的底面,且位于车架的铰接侧边缘;第一支撑装置背离车架的一端与承载平台的顶面相抵接,第一支撑装置可随电气小车转动而在承载平台的顶面上移动。上述方案能够优化对电气小车的车架底部的支撑效果。
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申请号:202210589076.7 公开号:CN114823426A 主分类号:H01L21/67
申请人:北京北方华创微电子装备有限公司 申请日:2022.05.26 公开日:2022.07.29
发明人:鲁艳成
摘要:本发明提供一种半导体工艺设备,包括传输腔室和至少一组工艺腔室,每组工艺腔室沿传输腔室的一侧依次分布,工艺腔室包括反应腔室、真空组件和至少一个容纳盒,真空组件设置在对应的反应腔室下方,容纳盒用于容纳实现半导体工艺设备功能的功能模块,容纳盒设置于真空组件背离传输腔室的一侧,且能够沿对应组内的工艺腔室的腔室排布方向移动。在本发明中,容纳盒能够沿腔室排布方向移动,灵活利用维护通道容纳功能模块,相邻工艺腔室之间无需预留用于容纳功能模块的空间,缩小了传输腔室及其机械手的尺寸以及半导体工艺设备的占地面积。
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