摘要：本发明公开一种中压晶体管结构及其制作方法，其中该中压晶体管结构包含一基底，一栅极结构设置于基底上，一源极轻掺杂区和一漏极轻掺杂区埋入于栅极结构的两侧的基底中，一导电结构接触漏极轻掺杂区，一第一间隙壁环绕栅极结构以及一第二间隙壁环绕导电结构，第一间隙壁接触第二间隙壁。