摘要：本发明涉及纺织工程中的织造机械，特别涉及织机多臂机构。本发明的技术方案是一种用于织机多臂机构的双开口方法及其装置，其特征在于由二个提棕臂组成前提棕臂和后提棕臂，当前提棕臂或后提棕臂单一通过开口绳拉动开口轮，使提拉绳提升棕框形成梭口中位开口，达到半开口功能，以克服现有技术存在的多臂机构不能要求梭口半开口功能的缺陷，本发明的新结构，有利于老机的改造，在变动不多、资金投入较少的情况下达到在普通织机上提花和起绒时梭口能全开和半开口功能，完全满足了新结构的纺织组织在提花和起绒经纱上要求梭口能全开和半开口功能，成为一种理想的新型面料，大大提高了附加值，增加了企业的经济效益。

摘要：本发明涉及一种直接碳燃料电池技术和装置。本发明主要利用炭黑，活性炭，焦炭为燃料,其它碳源如煤炭,木炭,生物质碳等也可利用，本发明的燃料电池装置采用平板型设计,采用阴极在上，阳极在下的结构，同时应用了多电解质层：以稀土氧化物混合物为阴极,固体氧化物为隔氧的电解质层,碳酸盐为电解质,燃料碳为阳极，整个电池装置搭建在陶瓷坩埚上。电池的工作温度区间较宽,在中温区都可发电。其效果是：(1)本发明开发出了一种新型的直接碳燃料电池结构,填补了国内空白;(2)能量转化率高,理论效率为100%,远高于现有火力发电的能量利用率;(3)与之前的同类专利相比，在600-650℃即可达到较高的70-80mW/cm2功率输出，主工作温度区间有所降低。

摘要：本发明涉及一种以液态金属锡为阳极的直碳燃料电池装置。本发明的圆筒型容器的顶部设有盖，外面有加热圈包裹，圆筒型容器内底部有导热垫片，电池单体置于其上，留出阴极气体流过的流道，使阴极气透过陶瓷上的孔道与阴极接触，由密封垫圈将圆筒型容器分隔成阴极区和阳极区；圆筒型容器下部为阴极区，由气泵经阴极进气导管将阴极气导入，阴极尾气由阴极出气导管导出；圆筒型容器上部为阳极区，阳极载气经阳极进气管导入，由阳极出气管导出。有益效果是：以液态金属锡为阳极，而非现有的含碳燃料混合物与电流收集器构成的阳极结构，提高了阳极传质性能；同时，可依据这一新结构进行大功率直碳燃料电池堆的研究与开发。

摘要：本发明涉及一种以多孔陶瓷材料为支撑的直碳燃料电池装置。本发明由阳极出气管、气泵、阴极进气导管、圆筒型容器、导热垫片、阳极进气管、阴极出气导管、电池单体、加热圈组成，其中，电池单体从下到上依次为多孔陶瓷片，电池阴极，阴极电解质过渡层，电解质层，用高温密封胶与碳燃料仓粘连密封，在其内装入碳燃料，为阳极，通过阴极集流导线和阳极集流导线连接外部负载。有益效果是：以多孔陶瓷材料为支撑，而非现有的以阳极，电解质或者阴极为支撑的燃料电池结构，在提高电池机械强度的同时，节约了电极和电解质材料，并减小了电池内部阻抗的消耗。同时，可依据这一新结构进行大功率直碳燃料电池堆的研究与开发。

摘要：本发明公开了一种型钢矫直机压辊调整拆装方法，改进点在于，将联轴器的连接轴改为两个半轴靠一个套筒用花键实现对接，在调整时先将连接轴断开，然后再将联轴器端部的十字连接头断开后，可以方便快捷地实现压辊水平度的调整。本发明具有改进简单，实施方便，成本低廉，可以提高装卸便捷性，节省装卸时间等优点。

摘要：本发明公开了一种滑块油膜润滑结构，其特征在于，包括位于拉钢车车体上表面四个角落位置正对滑块的上方设置的油槽，油槽底部竖直向上螺纹连接有连接螺钉，连接螺钉下端穿入连接到滑块内，滑块下表面设置有一个上凹的油膜槽，所述连接螺钉中部具有竖向的通孔且连通到油膜槽内，所述滑块上表面具有安装凸台并限位安装在车体下表面的安装槽内。还公开了一种采用了上述滑块油膜润滑结构的型钢拉钢车。本发明中采用结构简单的中空螺钉实现滑块连接安装的同时实现油槽供油，提高润滑度，降低了摩擦磨损，保证了拉钢车运行顺畅度；同时还具有能够实现机械式拉钢，结构简单且不会产生电气故障，与钢丝绳连接更加快捷可靠等优点。

摘要：本发明公开一种遮蔽栅金属氧化物半导体场效晶体管及其制造方法，其中该遮蔽栅金属氧化物半导体场效晶体管，包括具有第一导电态的一外延层、位于外延层中的数个沟槽、位于沟槽内的遮蔽栅极、位于沟槽内的遮蔽栅极上的控制栅极、位于遮蔽栅极与外延层之间的一绝缘层、位于控制栅极与外延层之间的一栅极氧化层、位于遮蔽栅极与控制栅极之间的栅间氧化层、位于沟槽底部的外延层内的一第一掺杂区与位于沟槽底部与第一掺杂区之间的一第二掺杂区。所述第一掺杂区具有第二导电态，所述第二掺杂区具有所述第一导电态，通过所述第二掺杂区的存在来减少漏电路径，以改善击穿电压。

摘要：本发明公开一种半导体结构，其包括基底、第一栅极结构以及第二栅极结构。基底包括彼此间隔开来的至少一第一沟槽群组和至少一第二沟槽群组。第一沟槽群组包括在第一方向上彼此间隔开来且沿不同于第一方向的第二方向延伸的多个第一沟槽。第二沟槽群组包括在第二方向彼此间隔开来且沿第一方向延伸的多个第二沟槽。第一栅极结构设置在每个第一沟槽中且沿第二方向延伸。第二栅极结构设置在每个第二沟槽中且沿第一方向延伸。

摘要：本发明公开一种晶体管结构，包括基底结构、屏蔽电极、栅极、第一介电层、氮化硅层、第二介电层与第三介电层。在基底结构中具有沟槽。屏蔽电极设置在沟槽中。栅极设置在沟槽中且设置在屏蔽电极上。第一介电层设置在屏蔽电极与栅极之间。氮化硅层设置在第一介电层与屏蔽电极之间。第二介电层设置在屏蔽电极与基底结构之间。第三介电层设置在栅极与基底结构之间。

摘要：本发明公开一种晶体管元件及其制造方法，其中该晶体管元件包括基底结构、屏蔽电极、第一介电层、栅极与栅极介电层。在基底结构中具有沟槽。屏蔽电极设置在沟槽中。第一介电层设置在屏蔽电极与基底结构之间。栅极设置在沟槽中与屏蔽电极上。栅极介电层设置在栅极与基底结构之间以及栅极与屏蔽电极之间。栅极介电层包括第二介电层与第三介电层。第二介电层设置在栅极的底部的转角与基底结构之间。第三介电层设置在栅极与基底结构之间、栅极与第二介电层之间以及栅极与屏蔽电极之间。