摘要：本发明公开一种半导体结构及其制作工艺，其制作工艺包含有下述步骤。首先，形成一牺牲层于一基底上。接着，蚀刻牺牲层以及基底，以形成一沟槽于牺牲层及基底中。接续，填入一第一绝缘材料于沟槽，因而形成一第一绝缘结构。继之，图案化牺牲层，以形成多个牺牲图案。续之，形成多个间隙壁分别于此些牺牲图案侧边。而后，移除此些牺牲图案。之后，将此些间隙壁的布局转移至基底，以形成多个鳍状结构于基底中。然后，移除此些间隙壁。

摘要：本发明公开一种照明系统以及使用其形成鳍状结构的方法。该照明系统包括用于产生一光线的一光源以及一不透明板。不透明板设置于光源以及一光掩模之间，且不透明板包括一环形开口以及一双极开口。环形开口具有一内侧边以及一外侧边。双极开口包括至少一第一开口以及至少一第二开口，其中第一开口与第二开口分别与环形开口相连接，并分别从环形开口的外侧边延伸出，且第一开口与第二开口对称于环形开口的一中心点设置。

摘要：本发明公开一种形成半导体结构的方法，其包含以下步骤。首先，在一目标层上形成多个轴心体。接着，在该些轴心体的两侧形成紧邻该些轴心体的多个第一衬垫层。之后，在该些第一衬垫层的两侧形成紧邻该些第一衬垫层的多个第二衬垫层。并且，在该些第二衬垫层的两侧形成紧邻该些第二衬垫层的多个第三衬垫层。后续，同时移除该些轴心体以及该些第二衬垫层。

摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法。该半导体元件的制作方法为，首先提供一基底，该基底上设有至少一鳍状结构，其中鳍状结构包含一上半部以及一下半部。然后形成一栅极结构于鳍状结构上，形成一遮盖层于栅极结构未覆盖的鳍状结构的上半部上方，进行一退火制作工艺将遮盖层内的锗原子趋入鳍状结构的上半部，去除遮盖层，最后再形成一外延层于鳍状结构的上半部周围。

摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法。该半导体元件包含：一基底，二栅极结构，设置在该基底的一通道区的上方，一外延层，设置该两栅极结构之间的该基底内，以及一第一错位，位于该外延层内，其中该第一错位的剖面由至少两不平行的斜线组成，以及一第二错位，该第二错位邻近于该外延层的一上表面，且该第二错位的剖面由至少两不平行的斜线组成。

摘要：本发明公开一种半导体元件图案的形成方法，包括：提供一基底材料层具有一第一区域和第二区域；设置多个第一芯轴于基底材料层上方并对应于第一区域；设置多个第二芯轴于基底材料层上方并对应于第二区域；形成第一侧壁间隔物于第一芯轴的侧壁，且形成第二侧壁间隔物于第二芯轴的侧壁，其中该些第一侧壁间隔物形成一第一图案，该些第二侧壁间隔物形成一第二图案，且位于相邻两第二芯轴之间的第二侧壁间隔物彼此相互融合；和转移包括该些第一侧壁间隔物的第一图案和该些第二侧壁间隔物的第二图案至基底材料层，以形成一图案化基底材料层。

摘要：本发明公开一种半导体结构及其制造方法。所述半导体结构包括基底、掺杂层以及介电层。所述基底具有多个鳍部分与至少一个凹陷部分。所述凹陷部分位于所述鳍部分之间。所述掺杂层配置于所述鳍部分的侧壁、所述基底的表面以及所述凹陷部分的侧壁与底部上。所述介电层配置于所述掺杂层上。所述掺杂层的顶面与所述介电层的顶面低于每一鳍部分的顶面。

摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法。制作半导体结构的方法的步骤包含分别在第一区域、第二区域以及虚置区域上形成多个鳍结构、在第一区域中形成一第一固态掺质来源层以及一第一绝缘缓冲层、在第二区域以及虚置区域中形成一第二固态掺质来源层以及一第二绝缘缓冲层、以及进行一蚀刻制作工艺削减该虚置区域中的鳍结构。

摘要：一种照护装置，用于照护坐、卧、躺置于载台的人体，包含辅助件、移动单元，及供气单元，利用该移动单元及该辅助件的支撑，让该人体的至少部分可与该载台不相接触形成透气间隙，并再配合该供气单元提供气体至该透气间隙，调节该人体与该载台接触位置的干/湿度及温度，以减低卧床患者的不适感。

摘要：本发明公开一种裸片密封环结构，其主要包含一金属内连线结构设于一基底上，其中金属内连线结构又细部包含一金属间介电层设于基底上以及第一金属层设于金属间介电层内。更具体而言，第一金属层的第一边于俯视角度下包含一梳状部，第一金属层的第二边包含一直线，第一金属层的第三边包含一直线，且第一金属层的第四边包含一直线。