摘要：一种具抗菌性及吸水性聚谷氨酸纤维的制备方法，其步骤包含：提供一聚谷氨酸纤维浸泡在次氯酸钠水溶液中，其中该聚谷氨酸纤维浸泡时间T与该次氯酸钠水溶液的浓度X间，具有如下式所示的关系式I：10.2≤(T-64.55X2+50X)≤15.2(I)其中，X＝0.006-0.4wt％。

摘要：本发明公开一种闪存存储器存储单元，包含一基底、一存储器栅极，设于基底上、一电荷存储层，介于存储器栅极与基底间、一选择栅极，邻近存储器栅极、一选择栅极介电层，设于选择栅极与基底间、一第一氧化物‑氮化物间隙壁，介于存储器栅极与选择栅极间，及一第二氧化物‑氮化物间隙壁。选择栅极包含一上端部位及一下端部位。第二氧化物‑氮化物间隙壁仅介于第一氧化物‑氮化物间隙壁与选择栅极的上端部位间。

摘要：本发明提供一种音圈马达特性参数获取装置及方法。本发明提供的音圈马达特性参数获取装置，包括：音圈马达，所述音圈马达包括第一端和第二端；驱动器，所述驱动器包括连接端和输出端，其中，所述第一端和所述第二端中的其中一者与所述连接端连接并作为检测端，用于接收驱动信号并输出电压信号，另一者与所述输出端连接；以及信号处理器，与所述检测端电性连接，用于根据所述检测端的电压信号计算得到所述音圈马达的特性参数。解决了如现有技术中依赖昂贵的测量仪器而增加测量成本的问题；并且，现有技术中的测量方式周期也较长，因此本发明提供的音圈马达特性参数获取装置还缩短了测量时间，有利于提高生产效率。

摘要：【中文】本发明公开一种半导体元件及其制造方法。所述半导体元件包括第一栅极、栅介电层、一对第二栅极、第一间隙壁以及第二间隙壁。所述第一栅极配置于基底上。所述栅介电层配置于所述第一栅极与所述基底之间。所述一对第二栅极配置于所述基底上且分别位于所述第一栅极的二侧，其中所述一对第二栅极的顶面高于所述第一栅极的顶面。所述第一间隙壁配置于所述一对第二栅极的自所述第一栅极的顶面凸出的侧壁上，且覆盖所述第一栅极的顶面。所述第二间隙壁配置于所述栅介电层与所述一对第二栅极之间、所述第一栅极与所述一对第二栅极之间以及所述第一间隙壁与所述一对第二栅极之间。 【EN】The invention discloses a semiconductor element and a manufacturing method thereof. The semiconductor element comprises a first grid electrode, a grid dielectric layer, a pair of second grid electrodes, a first gap wall and a second gap wall. The first grid is configured on the substrate. The gate dielectric layer is disposed between the first gate and the substrate. The pair of second gates is disposed on the substrate and respectively located at two sides of the first gate, wherein top surfaces of the pair of second gates are higher than that of the first gate. The first gap wall is configured on the side wall of the pair of second grid electrodes protruding from the top surface of the first grid electrode and covers the top surface of the first grid electrode. The second spacers are disposed between the gate dielectric layer and the pair of second gates, between the first gate and the pair of second gates, and between the first spacers and the pair of second gates.

摘要：【中文】本发明公开一种存储器结构，包括基底、至少一个堆叠栅极结构、第一间隙壁导体层与第一接触窗。堆叠栅极结构位于基底上，且包括控制栅极。控制栅极在第一方向上延伸。第一间隙壁导体层位于控制栅极的一侧壁上，且电性绝缘于控制栅极。第一间隙壁导体层包括第一合并间隙壁部与第一非合并间隙壁部。第一合并间隙壁部的线宽大于第一非合并间隙壁部的线宽。第一接触窗连接至第一合并间隙壁部。上述存储器结构可具有较大的接触窗制作工艺裕度。 【EN】The invention discloses a memory structure, which comprises a substrate, at least one stacked gate structure, a first spacer conductor layer and a first contact window. The stacked gate structure is located on the substrate and includes a control gate. The control gate extends in a first direction. The first spacer conductor layer is located on a sidewall of the control gate and electrically insulated from the control gate. The first spacer conductor layer includes a first merged spacer portion and a first non-merged spacer portion. The line width of the first merged gap wall portion is larger than the line width of the first non-merged gap wall portion. The first contact window is connected to the first merged gap wall portion. The memory structure can have larger manufacturing process margin of the contact window.

摘要：本公开涉及一种图像处理方法和装置。该方法包括：确定纹理填充区域的形状；至少根据所述纹理填充区域的形状，在纹理素材库中确定与所述纹理填充区域形状匹配的目标纹理样图，所述纹理素材库中包括与所述纹理填充区域的语义标签相一致的多个纹理样图；根据所述目标纹理样图，在所述纹理填充区域中进行纹理合成。本公开可以通过综合考虑纹理填充区域的形状准确确定目标纹理样图，从而可以有效提高基于目标纹理样图对纹理填充区域进行纹理填充的准确性。

摘要：本公开涉及一种图像生成方法和装置。该方法包括：接收用户输入的第一语义分割图像，所述第一语义分割图像中包括至少一类目标场景物体；确定所述第一语义分割图像对应的第一边缘线条图像，所述第一边缘线条图像中包括毎类目标场景物体的边缘信息；将所述第一语义分割图像和所述第一边缘线条图像输入第一条件生成对抗神经网络模型，生成所述第一语义分割图像对应的具备目标风格的图像，所述第一条件生成对抗神经网络模型是根据具备所述目标风格的多个样本图像训练得到的。本公开可以实现根据用户输入的语义分割图像，快速为用户生成具备目标风格且场景内容丰富完整的图像。

摘要：本发明公开一种虚置闪存存储器结构之间的电阻包含一基底，基底包含一电阻区和一闪存存储器区，一第一虚置存储栅极结构和一第二虚置存储栅极结构设置在电阻区内的基底上以及一多晶硅电阻设置于第一虚置存储栅极结构和第二虚置存储栅极结构之间并且多晶硅电阻接触第一虚置存储栅极结构和第二虚置存储栅极结构。

摘要：本发明提供一种热塑性聚氨酯发泡材料，其包含二苯基甲烷二异氰酸酯、聚四亚甲基醚二醇、1,4‑丁二醇、一成核剂及一降黏剂，且降黏剂具有如式(I)所示的一结构，式(I)中各符号是如说明书中所定义者。藉此，通过使用特定的降黏剂，有助于增加超临界氮气在热塑性聚氨酯发泡材料中的溶解度，进而减少发泡产品的外观缺陷并有效降低密度，以达到轻量化的需求。