摘要：本发明属于温场测量技术领域，尤其涉及一种高温升温环境下石墨坩埚温场的延展测量方法，本方法包括按照升温热场中石墨坩埚高度将其平均分为若干段，在分段的石墨坩埚每段设置一个测温用热电偶，若升温热场中石墨坩埚在500℃～1500℃范围内，通过采样记录测温数据并形成{每一时刻的测温采样数据，N个热电偶温值}为集合的采样数据表，将采样数据表中每一时刻的测温采样数据对应的热电偶温值通过数据拟合方法拟合为升温规律曲线，延展升温规律曲线的定义域与值域并形成扩展升温规律曲线，本发明解决了现有技术采用常规的热电偶测温，当温度超过2000℃时，测温设备由于过热而失效的问题，具有解决了高温石墨坩埚难以测温的工程问题、测量均匀且精度高的有益技术效果。

摘要：本发明公开了一种碳化硅复合材料及其制备方法，由碳化硅作为主原料，所述制备方法包括：依次加入水、铝粉和镁粉在搅拌机内进行混合，然后加入粘结剂继续搅拌、混合；装入模具中冷压成型，施加的压强为10‑25MPa，冷压时间为20min；卸压脱模，将压制好的试样放在烘干箱中以40‑90摄氏度的温度进行烘干；本发明将压制好的不同碳化硅质量的样品分为五组，放入真空热压炉内在不同的温度点进行高温烧结，可以得出五组相应的数据，从而便于使用者对碳化硅的烧结状态进行观察和记录，方便后续改进，通过将碳化硅成品浸泡于耐高温涂料中，可以增加碳化硅成品的耐高温性能，使其可以在高温环境下正常作业。

摘要：本发明公开了一种用于碳化硅密封件的清洗设备及其操作方法，包括支撑架体，所述支撑架体的顶部后侧面通过螺栓固定安装有升降机构，所述升降机构的后侧驱动面上固定连接有连接板的底部前侧面，所述连接板的顶部通过螺栓固定连接有“Z”字形且为中空结构的升降框架，所述升降框架的底部与支撑架体的顶部之间固定安装有伸缩杆，所述第二固定板的下表面固定安装有二十个结构相同的内洗机构。该用于碳化硅密封件的清洗设备，在实际使用时，可在一次清洗工作中，对二十个碳化硅密封件进行清洗处理，提高了工作效率，另外，该清洗装置可同时对密封件的内外表面进行清洗，在保证了密封件清洗质量的同时，又节约了能耗。

摘要：本发明公开了一种碳化硅冶炼的加工工艺，具体加工工艺为以下步骤：1)：材料收集；2)：破碎；3)：烘干；4)：混料；5)：装炉；6)：冶炼；7)：冷却降温；8)：废气处理。本发明科学合理，操作方便，在碳化硅冶炼过程中对其产生的废气进行降温处理，实现其热量的回收利用，且冷却降温过程中产生的热水用于烘干处理，节省能源，降低生产成本，进一步的，冷却降温后的气体通过废气处理装置进行过滤除尘净化工作，防止碳化硅冶炼过程中产生的气体直接排入大气造成环境污染，降低其污染系数，同时达到节能环保的效果，本工艺流程有效提高碳化硅产品的密度及品质，生产成本低，不仅节约资源，而且节能环保效果较好。