摘要：本发明提供一种耐热偏移性优良且带电性能没有不均、适合用作静电荷像显影用色粉的色粉及其制造方法。首先，至少对包含四氢呋喃不溶解成分的交联树脂和着色剂进行干式混炼。然后将得到的树脂混炼物与预先配制的分散剂水溶液混合加热，在树脂混炼物和分散剂水溶液的混合液中生成含着色剂的树脂粒子。然后冷却该混合液，最后从该混合液中分离含着色剂的树脂粒子。

摘要：本发明提供一种作为糖尿病治疗药有用的(2S)-2-苄基-3-(顺式全氢异吲哚啉-2-羰基)丙酸的新的制造方法。本发明涉及一种(2S)-2-苄基-3-(顺式全氢异吲哚啉-2-羰基)丙酸的制造方法，其特征在于：在由用通式(I)表示的吡咯烷二膦化合物(I)和铑化合物制备的不对称催化剂的存在下，使2-亚苄基-3-(顺式全氢异吲哚啉-2-羰基)丙酸进行催化还原反应，制造所述的(2S)-2-苄基-3-(顺式全氢异吲哚啉-2-羰基)丙酸，(式中，R¹分别表示可具有取代基的碳数为1～10的直链或支链的烷基、环烷基、芳烷基或芳基。R²和R³独立地表示可具有取代基的芳基。吡咯烷环上的*标记表示该位置的碳原子为S构型)。

摘要：本发明提供一种调色剂及其制造方法、双成分显影剂、显影装置及图像形成装置。在至少含有粘合树脂及着色剂的调色剂中，累计个数分布中自大粒径侧开始的累计个数为50％及84％的粒径D_50P及D_84P中的、D_50P除以D_84P的值为1.43以上、1.64以下，体积平均粒径1μm以上4μm以下的调色剂粒子中的平均圆形度为0.940以上0.960以下，且体积平均粒径1μm以上4μm以下的调色剂粒子内平均圆形度为0.850以下的调色剂粒子的含有率为10个数％以下。

摘要：一种显示媒介，包括：一对基板；密封在该一对基板之间的分散介质；分散在该分散介质中的泳动颗粒群；以及设置在所述一对基板的相对表面中的至少一个表面上的表面层，并且该表面层包含高分子化合物，该高分子化合物为含有下述构成单元(A)和构成单元(B)的共聚物：其中在构成单元(A)和(B)中，X表示含有硅氧烷链的基团，Ra1和Ra2各自独立地表示氢原子或甲基，Rb2表示含有被取代或未被取代苯基的有机基团，n1和n2各自表示所述构成单元相对于整个共聚物所占的摩尔％，并且分别满足0＜n1＜50和0＜n2＜80，n表示大于或等于1且小于或等于3的自然数。

摘要：本发明提供一种显示媒介，包括：一对基板；密封在该一对基板之间的分散介质；分散于该分散介质中的泳动颗粒群；以及设置在所述一对基板的相面对表面中的至少一个表面上的表面层，并且该表面层包含高分子化合物，该高分子化合物为含有下述构成单元(A)和构成单元(B)的共聚物：在构成单元(A)和(B)中，X表示含有硅氧烷链的基团，Ra1和Ra2各自独立地表示氢原子或甲基，Rb2表示含有氟原子的有机基团，n1和n2各自表示构成单元相对于整个共聚物所占的摩尔％，并且分别满足0＜n1＜50和0＜n2＜50，n表示大于或等于1且小于或等于3的自然数。本发明还提供包含该显示媒介的显示装置。

摘要：一种涂覆组合物，其特征在于，包含：水、闪点为80℃以上且200℃以下且溶解氟树脂的水溶性有机溶剂、氟树脂、亲水性二氧化硅粒子和疏水性二氧化硅粒子。优选在涂覆组合物中包含0.001质量％以上且1质量％以下的亲水性二氧化硅粒子。亲水性二氧化硅粒子的平均粒径优选为5nm以上且30nm以下。

摘要：本方法具有：电缆制造步骤，制造电力电缆，该电力电缆具有导体以及设置为覆盖导体的外周的绝缘层；薄片形成步骤，通过在电力电缆的轴向上的一部分中以预定厚度以向内螺旋的方式切割绝缘层来形成用于检查的薄片；以及检查步骤，通过测量用于检查的薄片的预定电气特性来检查电力电缆。

摘要：本发明涉及一种防振构造，止动橡胶具有第一突起部和第二突起部，第一突起部从壳体部的后端面起朝后侧突出，第二突起部从该后端面起朝后侧突出并布置为与第一突起部之间留有间隙，而使得第二突起部与第一突起部处于非接触状态，第二突起部的在前后方向上的厚度比第一突起部薄，在前后方向上，第二突起部的突出端面与后侧脚部的抵接面之间的距离比第一突起部的突出端面与该抵接面之间的距离长。由此，能够做到：减小处于抵接到抵接部件上的状态的止动部的在与主载荷输入方向正交的方向的动态弹簧常数，并且即使输入了主载荷输入方向上的大载荷，橡胶弹性体也不会发生很大的变形，抑制振动源位移。

摘要：本发明涉及温度检测器件、温度检测器件分发装置及温度检测方法。温度检测器件包括：基材；及温度指示器，其设于基材，包括在常温环境中具有变色温度滞后性的可逆热变色性组成材料，当检测温度为阈值以下时，该温度指示器变色。

摘要：一种掩埋型半导体光学装置，包括：半导体基板；台面条带部分，包括在半导体基板上的多量子阱层；掩埋层，由第一部分和第二部分组成，第一部分覆盖台面条带部分的一侧，第二部分覆盖所述台面条带部分的另一侧，并且第一部分和第二部分覆盖半导体基板的表面；和电极，其被配置为使电流流过台面条带部分，所述掩埋层从半导体基板的表面开始包括第一子层、第二子层和第三子层，第一子层、第二子层和第三子层均由半绝缘InP组成，第一子层和第二子层形成成对结构，第二子层从半导体基板的表面位于多量子阱层的上方，并且第二子层由选自InGaAs、InAlAs、InGaAlAs、InGaAsP和InAlAsP的一层或多层组成。