摘要：本发明公开一种隧穿场效晶体管结构与其制作方法。该隧穿场效晶体管的制作方法，包含提供一基底，其上包含有一鳍状结构，其中该鳍状结构包含有一第一导电型态，接着形成一介电层位于该基底以及该鳍状结构上，并形成一栅极凹槽于该介电层中，然后在该栅极凹槽内形成一第一功函数金属层，该第一功函数金属层至少定义有一左部分、一右部分以及一中央部分，之后进行一蚀刻步骤，以移除该第一功函数金属层的该中央部分，并形成一凹槽于该第一功函数金属层的该左部分以及该右部分之间，以及形成一第二功函数金属层，至少填入该凹槽。

摘要：本发明公开一种具有伸张应力的鳍状结构的制作方法与互补式鳍状晶体管结构，其具有伸张应力的鳍状结构的制作方法，包含提供一基底包含一N型晶体管区和一P型晶体管区，接着形成二第一沟槽和二第二沟槽于基底中，第一沟槽出定义一鳍状结构，第二沟槽截断第一沟槽，然后进行一流动型化学气相沉积步骤，以形成一氧化硅层填入第一沟槽和第二沟槽，之后形成一图案化掩模只位于N型晶体管区，图案化掩模只重叠位于第二沟槽内的氧化硅层，然后以图案化掩模为掩模，去除部分的氧化硅层直至曝露出的氧化硅层的上表面低于鳍状结构的上表面。