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1:
[发明]
半导体结构及其制造方法
申请号:
201510247125.9
公开号:CN106298912A 主分类号:H01L29/78(2006.01)I
申请人:
联华电子股份有限公司
申请日:2015.05.15 公开日:2017.01.04
发明人:
萧世楹
;
张凯焜
;
游焜煌
摘要:本发明公开一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括一基板、一漏极区、一源极区、一栅极以及一虚拟接触结构。漏极区及源极区形成于基板中。栅极形成于基板上且位于漏极区和源极区之间。虚拟接触结构形成于基板上,虚拟接触结构包括多个虚拟插塞,此些虚拟插塞具有多个深度,此些深度朝向漏极区递减。
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2:
[发明]
高压金属氧化物半导体晶体管元件及其制造方法
申请号:
201510585089.7
公开号:CN106531794A 主分类号:H01L29/78(2006.01)I
申请人:
联华电子股份有限公司
申请日:2015.09.15 公开日:2017.03.22
发明人:
萧世楹
;
张凯焜
摘要:本发明公开一种高压金属氧化物半导体晶体管元件及其制造方法。首先,提供一半导体基底以及依序堆叠于半导体基底上的一介电层与一导电层。然后,图案化导电层,以形成一栅极以及一虚置栅极,其中虚置栅极设置于栅极的一第一侧。接着,在栅极与虚置栅极之间形成一第一间隙壁,且形成一第二间隙壁于栅极相对于第一侧的一第二侧,其中第一间隙壁包括一第一凹陷。随后,移除虚置栅极。
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3:
[发明]
高压元件
申请号:
201710505678.9
公开号:CN109148606A 主分类号:H01L29/872(2006.01)I
申请人:
联华电子股份有限公司
申请日:2017.06.28 公开日:2019.01.04
发明人:
萧世楹
;
张凯焜
;
杨庆忠
摘要:本发明公开一种高压元件,包含有一半导体基底、一离子阱、一萧基二极管,设于所述离子阱中、一绝缘结构,设于所述离子阱中,且环绕所述萧基二极管、以及一辅助栅极,环绕所述萧基二极管。所述辅助栅极仅设于所述绝缘结构上方,而不会直接接触到所述离子阱。
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4:
[发明]
一种半自动装箱机及装箱方法
申请号:
202110833114.4
公开号:CN113501177A 主分类号:B65B51/00
申请人:
红云红河烟草(集团)有限责任公司
申请日:2021.07.22 公开日:2021.10.15
发明人:
杨利
;
高福生
;
王焜
;
张文慧
;
郑凯泽
;
张廷龙
摘要:本发明公开了一种半自动装箱机及装箱方法,半自动装箱机的条烟堆叠装置的条烟输送机构包括输送带;条烟举升机构包括举升驱动单元和举升支架,举升驱动单元用于驱动举升支架移动;条烟支撑机构的支撑组件包括限位支架、支撑件驱动单元和支撑件,支撑件驱动单元用于驱动支撑件移动;条烟推送装置的条烟推送机构包括条烟推送单元和推送支架,条烟推送单元用于驱动推送支架移动;烟箱支撑装置的烟箱支撑支架用于支撑并定位烟箱,烟箱支撑支架驱动单元用于驱动烟箱支撑支架作旋转运动。本公开的条烟堆叠装置可将条烟堆叠码垛在一起后,再通过条烟推送装置将多层条烟推送至烟箱支撑装置上的烟箱内,再通过人工封箱,完成半自动装封箱。
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5:
[发明]
高压晶体管及其制作方法
申请号:
202210117553.X
公开号:CN116613067A 主分类号:H01L21/336
申请人:
联华电子股份有限公司
申请日:2022.02.08 公开日:2023.08.18
发明人:
张凯焜
摘要:本发明公开一种高压晶体管及其制作方法,该制作方法包含提供一高压晶体管,高压晶体管包含一基底,一栅极结构设置在基底上,一源极漂移区和一漏极漂移区分别位于栅极结构两侧并且埋入于基底中,一源极设置于源极漂移区中,一漏极设置于漏极漂移区中,其中漏极漂移区的制作方法包含利用一光掩模在基底上定义一漏极漂移预定区,光掩模包含一第一梳子状图案,第一梳子状图案包含一第一矩形和多个第一齿状结构以及进行一离子注入制作工艺,在漏极漂移预定区内注入掺质,在注入掺质后扩散漏极漂移预定区中的掺质以形成漏极漂移区。
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6:
[发明]
高压半导体装置以及其制作方法
申请号:
202210311169.3
公开号:CN116864533A 主分类号:H01L29/78
申请人:
联华电子股份有限公司
申请日:2022.03.28 公开日:2023.10.10
发明人:
吴欣翰
;
张凯焜
;
江品宏
摘要:本发明公开一种高压半导体装置以及其制作方法,其中该高压半导体装置包括半导体基底、第一漂移区、栅极结构、第一子栅极结构、第一间隙壁结构、第二间隙壁结构以及第一绝缘结构。第一漂移区设置在半导体基底中。栅极结构设置在半导体基底上并与第一子栅极结构分离。第一子栅极结构与第一绝缘结构设置在第一漂移区上。第一间隙壁结构设置在栅极结构的侧壁上。第二间隙壁结构设置在第一子栅极结构的侧壁上。第一绝缘结构的至少一部分位于第一间隙壁结构与第二间隙壁结构之间。第一绝缘结构与位于第一间隙壁结构与第二间隙壁结构之间的第一漂移区直接相连。
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7:
[发明]
轻型航空用组合式防燃电缆
申请号:
202210601410.6
公开号:CN114974662A 主分类号:H01B3/44
申请人:
安徽中邦特种电缆科技有限公司
申请日:2022.05.30 公开日:2022.08.30
发明人:
张潇渊
;
路焜鹏
;
余宗双
;
唐磊
;
张兵
;
吴凯
摘要:本发明公开了轻型航空用组合式防燃电缆,包括:至少一根线芯,所述线芯包括内导体和包覆内导体的绝缘层;以包覆线芯周围的方式设置的屏蔽层、以包覆屏蔽层周围的方式设置的护套;所述绝缘层和护套都由交联乙烯四氟乙烯共聚物绝缘料制成。本发明的轻型航空用组合式防燃电缆,护套和绝缘层都采用交联乙烯四氟乙烯共聚物绝缘料,具有耐高温、重量轻、弯曲半径小等特点,可以广泛应用于对重量、外径、弯曲半径小、耐温等级要求高的场合,产品性能优异;采用石墨烯对乙烯四氟乙烯共聚物进行改性,解决乙烯四氟乙烯共聚物导热性差的问题,同时,结合卡爪的设计,形成内外相连的导热路径,对内部导体产生的热量进行散发,解决传统交联乙烯四氟乙烯共聚物护套电缆导热性差的问题。
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8:
[发明]
一种用于高速高频连接器的线圈绕线方法及结构
申请号:
202310282208.6
公开号:CN116206888A 主分类号:H01F41/06
申请人:
东莞湧德电子科技有限公司
;
湧德电子股份有限公司
;
中江湧德电子有限公司
;
张智凯
;
张世宏
;
许焜杰
申请日:2023.03.21 公开日:2023.06.02
发明人:
张智凯
;
张世宏
;
许焜杰
;
陈政官
摘要:本发明公开一种用于高速高频连接器的线圈绕线方法及结构,包括有以下步骤:(1)取第一磁环、第二磁环、第一四线绞线、第二四线绞线、第三B铜线和第三N铜线;该第一四线绞线由第一R铜线、第一B铜线、第一G铜线和第一N铜线绞绕形成,该第二四线绞线由第二R铜线、第二B铜线、第二G铜线和第二N铜线绞绕形成;(2)将第一四线绞线和第二四线绞线以两根四线绞线并排缠绕的方式绕制在第一磁环上多圈;通过采用两磁环、两四线绞线和两铜线,并配合按照本发明步骤绕制形成线圈,其可使信号实现更高速率传输,电气特性更好,可满足高速高频连接器的信号传输要求。
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9:
[发明]
半导体结构及其制作方法
申请号:
202310477222.1
公开号:CN118825016A 主分类号:H01L27/088
申请人:
联华电子股份有限公司
申请日:2023.04.28 公开日:2024.10.22
发明人:
张凯焜
摘要:本发明公开一种半导体结构及其制作方法,其中该半导体结构包括基材以及第一开关元件。第一开关元件位于基材的第一元件区域之中,且包括沟道区、第一栅极介电层、第一栅极层以及源极/漏极区。沟道区位于第一元件区域的凹室的底部。第一栅极介电层具有第一区域和第二区域,延伸进入凹室之中,第一区域具有第一厚度;第二区域具有第二厚度,且第一厚度小于第二厚度。第一栅极层位于第一栅介电层上方。源极/漏极区位于基材之中,并邻接栅极介电层。
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10:
[发明]
一种生物信息捕捉储存装置
申请号:
202410981967.6
公开号:CN118760948A 主分类号:G06F18/241
申请人:
广东沃伦勒夫健康科技有限公司
申请日:2024.07.22 公开日:2024.10.11
发明人:
张富凯
;
张茗焜
摘要:本申请涉及生物信号处理领域,具体地公开了一种生物信息捕捉储存装置,其通过生物信息接收处理装置采集生物信号,并采用基于深度学习的信号处理和分析技术来对所述生物信号进行信号分解和编码,以此根据多个分解后的信号时频分量之间的匹配特征来自动地判别生物信号时频分量是否为噪声分量,并将剔除后的剩余生物信号时频分量进行逆变换以得到降噪后生物信号。通过该方式,自动化的生物信号接收和数字化处理装置能够快速采集并细致地分析信号的时频特性,以此来对于原始采集的生物信号进行降噪处理,为后续的信号处理和分析提供了更高质量的数据信号。
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