摘要：一种主动式有机发光显示器及其制造方法，是由含有栅极、栅极绝缘层、信道层与低粗糙度源/漏极金属的薄膜晶体管与含有阳极层、有机发光层与阴极层的有机发光组件所构成，其配置栅极位于一基底上、信道层则位于栅极上，而栅极绝缘层是位于栅极与信道层间，低粗糙度源/漏极金属则置于栅极两侧并覆盖部分信道层与栅极绝缘层。在信道层与低粗糙度源/漏极金属间还包括一欧姆接触层。另外，阳极层与低粗糙度源/漏极金属的一端连结，阴极层位于基底上，以及有机发光层位于阳极层与阴极层之间。此外，在薄膜晶体管与有机发光层之间还有一护层。

摘要：本发明揭露一种图像处理装置，其是用以调整输入图像的饱和度。输入图像并且具有亮度以及色调。图像处理装置包含对照表、处理单元以及乘法器。其中，对照表用以记录M个亮度范围、N个色调范围以及M*N个相对应的增益值。处理单元用以储存对照表，并且根据对照表来判断输入图像的亮度落于哪一个亮度范围以及色调落于哪一个色调范围，以决定对应增益值。而乘法器是与处理单元相耦接，并且用以将输入图像的饱和度乘以对应增益值。藉此，图像质量可获得提升。

摘要：本发明提供一种发光二极管灯泡，包括一座体、一导电接头、一散热本体、一发光模块及一外罩，导电接头设置于该座体的一端。散热本体设置于该座体的另一端，该散热本体设有多个散热片，所述散热片之间形成多个散热通道。发光模块容置于该散热本体内。外罩罩设于该散热本体外，该外罩具有一围绕壁及多个贯穿该围绕壁的第一气孔，该围绕壁围绕于所述散热片外围，该围绕壁远离该座体的一端与该散热本体之间形成有一第二气孔。由此，可使发光二极管灯泡具有较高的散热效率。

摘要：本发明关于一种冷却装置及投影机，本发明要解决的技术问题是提供一种冷却装置，其包含：风扇，具有送风口，供送出一冷却气流；吹嘴，具有入风口与所述风扇的送风口连结，该吹嘴具有出风口，该吹嘴的出风口具有第一风道与第二风道；重力式切换装置，包含摆锤、闸门，其中，该重力式切换装置由第一状态切换成第二状态时，该摆锤使该闸门由第一位置切换至第二位置，其中该闸门在第一位置时使冷却气流通过第一风道，该闸门在第二位置时使冷却气流通过第二风道。

摘要：本申请提供了一种基于遗传算法的飞机指标参数敏感度优化方法，包括：分析单参数敏感度；基于所述单参数敏感度的分析结果，确定影响指标参数的决策变量与约束条件；对飞机指标参数值进行大样本寻优，获取飞机指标参数值优化解空间；以优化解空间对飞机的指标参数敏感度进行优化。

摘要：本发明公开一种半导体结构及其制作方法，其中该半导体结构包含一基底，两浅沟隔离结构位于该基底内，其中在该两浅沟隔离结构之间定义有一第一区域、一第二区域以及一第三区域，其中该第二区域位于该第一区域以及该第三区域之间，两厚氧化层，分别位于该第一区域以及该第三区域之内，且分别直接接触该两浅沟隔离结构，以及一薄氧化层，位于该第二区域内，其中该第一区域内的该厚氧化层的厚度大于该第二区域内的该薄氧化层的厚度。

摘要：本发明公开一种半导体结构及其制作工艺。该半导体结构包含一基底、一薄膜晶体管位于该基底上，该薄膜晶体管包含一薄膜晶体管通道层、一第一源极与一第一漏极位于该薄膜晶体管通道层中以及一第一覆盖层位于该薄膜晶体管通道层上、一金属氧化物半场效晶体管位于该基底上，该薄膜晶体管包含一第二栅极、一第二源极与一第二漏极位于该第二栅极两侧以及一第二覆盖层位于该第二栅极上，其中该第二覆盖层与该第一覆盖层的顶面同高、以及一第一层间介电层位于该第一覆盖层与该第二覆盖层上，其中该第一层间介电层与该第一覆盖层共同作为该薄膜晶体管的栅介电层。

摘要：本发明公开一种半导体高压元件及其制作方法，其中该半导体高压元件包含半导体基底；高压阱，设置在半导体基底中；漂移区，设置在高压阱中；凹陷沟道区，邻近漂移区；重掺杂漏极区，设置在漂移区中并与凹陷沟道区间隔开；隔离结构，设置在凹陷沟道区与漂移区中的重掺杂漏极区之间；埋入栅介电层，设置在凹陷沟道区上，其中埋入栅介电层的顶面低于重掺杂漏极区的顶面；以及栅极，设置在埋入栅介电层上。

摘要：本发明公开一种半导体装置及其制作方法，半导体装置包括基底、第一晶体管以及第二晶体管。基底包括高压区以及低压区。第一晶体管设置在高压区内，包括设置在基底的第一平面上的第一栅极介电层，以及设置在第一栅极介电层上的第一栅极电极，其中，第一栅极介电层包括复合结构，其包括由下而上依序堆叠的第一介电层与第二介电层。第二晶体管设置在低压区内，包括突出于基底的第二平面的多个鳍状结构，以及跨设于鳍状结构的第二栅极电极，其中，第一介电层覆盖第二栅极电极的侧壁，且第一介电层的顶面与第二栅极电极齐平。

摘要：本发明公开一种中压晶体管结构及其制作方法，其中该中压晶体管结构包含一基底，一栅极结构设置于基底上，一源极轻掺杂区和一漏极轻掺杂区埋入于栅极结构的两侧的基底中，一导电结构接触漏极轻掺杂区，一第一间隙壁环绕栅极结构以及一第二间隙壁环绕导电结构，第一间隙壁接触第二间隙壁。