摘要：本发明提供一种发光二极管灯泡，包括一座体、一导电接头、一散热本体、一发光模块及一外罩，导电接头设置于该座体的一端。散热本体设置于该座体的另一端，该散热本体设有多个散热片，所述散热片之间形成多个散热通道。发光模块容置于该散热本体内。外罩罩设于该散热本体外，该外罩具有一围绕壁及多个贯穿该围绕壁的第一气孔，该围绕壁围绕于所述散热片外围，该围绕壁远离该座体的一端与该散热本体之间形成有一第二气孔。由此，可使发光二极管灯泡具有较高的散热效率。

摘要：本发明关于一种冷却装置及投影机，本发明要解决的技术问题是提供一种冷却装置，其包含：风扇，具有送风口，供送出一冷却气流；吹嘴，具有入风口与所述风扇的送风口连结，该吹嘴具有出风口，该吹嘴的出风口具有第一风道与第二风道；重力式切换装置，包含摆锤、闸门，其中，该重力式切换装置由第一状态切换成第二状态时，该摆锤使该闸门由第一位置切换至第二位置，其中该闸门在第一位置时使冷却气流通过第一风道，该闸门在第二位置时使冷却气流通过第二风道。

摘要：本发明公开一种半导体结构及其制作方法，其中该半导体结构包含一基底，两浅沟隔离结构位于该基底内，其中在该两浅沟隔离结构之间定义有一第一区域、一第二区域以及一第三区域，其中该第二区域位于该第一区域以及该第三区域之间，两厚氧化层，分别位于该第一区域以及该第三区域之内，且分别直接接触该两浅沟隔离结构，以及一薄氧化层，位于该第二区域内，其中该第一区域内的该厚氧化层的厚度大于该第二区域内的该薄氧化层的厚度。

摘要：本发明公开一种半导体结构及其制作工艺。该半导体结构包含一基底、一薄膜晶体管位于该基底上，该薄膜晶体管包含一薄膜晶体管通道层、一第一源极与一第一漏极位于该薄膜晶体管通道层中以及一第一覆盖层位于该薄膜晶体管通道层上、一金属氧化物半场效晶体管位于该基底上，该薄膜晶体管包含一第二栅极、一第二源极与一第二漏极位于该第二栅极两侧以及一第二覆盖层位于该第二栅极上，其中该第二覆盖层与该第一覆盖层的顶面同高、以及一第一层间介电层位于该第一覆盖层与该第二覆盖层上，其中该第一层间介电层与该第一覆盖层共同作为该薄膜晶体管的栅介电层。

摘要：本发明公开一种半导体高压元件及其制作方法，其中该半导体高压元件包含半导体基底；高压阱，设置在半导体基底中；漂移区，设置在高压阱中；凹陷沟道区，邻近漂移区；重掺杂漏极区，设置在漂移区中并与凹陷沟道区间隔开；隔离结构，设置在凹陷沟道区与漂移区中的重掺杂漏极区之间；埋入栅介电层，设置在凹陷沟道区上，其中埋入栅介电层的顶面低于重掺杂漏极区的顶面；以及栅极，设置在埋入栅介电层上。

摘要：本发明公开一种半导体装置及其制作方法，半导体装置包括基底、第一晶体管以及第二晶体管。基底包括高压区以及低压区。第一晶体管设置在高压区内，包括设置在基底的第一平面上的第一栅极介电层，以及设置在第一栅极介电层上的第一栅极电极，其中，第一栅极介电层包括复合结构，其包括由下而上依序堆叠的第一介电层与第二介电层。第二晶体管设置在低压区内，包括突出于基底的第二平面的多个鳍状结构，以及跨设于鳍状结构的第二栅极电极，其中，第一介电层覆盖第二栅极电极的侧壁，且第一介电层的顶面与第二栅极电极齐平。

摘要：本发明公开一种中压晶体管结构及其制作方法，其中该中压晶体管结构包含一基底，一栅极结构设置于基底上，一源极轻掺杂区和一漏极轻掺杂区埋入于栅极结构的两侧的基底中，一导电结构接触漏极轻掺杂区，一第一间隙壁环绕栅极结构以及一第二间隙壁环绕导电结构，第一间隙壁接触第二间隙壁。

摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该半导体元件包括:基材、第一阱区、第二阱区、第一栅介电层、第二栅介电层、第一栅电极、第二栅电极、源极以及漏极。第一阱区位于基材中，且具有第一电性。第二阱区位于基材中，与第一阱区分离，且具有第一电性。第一栅介电层，位于第一阱区上方，且具有第一厚度。第二栅介电层位于第二阱区上方，与第一栅介电层分离，且具有第二厚度，其中第厚一度大于第二厚度。第一栅电极位于第一栅介电层上方。第二栅电极位于第二栅介电层上方，且第一栅电极分离。漏极位于第一阱区中；以及源极位于第二阱区中。

摘要：本发明公开一种半导体结构及其制造方法。所述半导体结构包括第一电极、第二电极、绝缘层、信道层、栅介电层、源极电极以及漏极电极。所述第一电极设置于衬底上。所述第二电极设置于所述第一电极上。所述绝缘层设置于所述第一电极与所述第二电极之间。所述信道层设置于所述第二电极上。所述栅介电层设置于所述信道层与所述第二电极之间。所述源极电极与所述第一电极以及所述信道层电连接。所述漏极电极与所述信道层电连接。

摘要：本发明公开一种具有遮光层的半导体元件及其制作方法，其中该具有遮光层的半导体元件包含一介电层，一导电插塞穿透介电层，一第一阳极设置在介电层的上表面上并且第一阳极接触导电插塞的末端，一遮光层埋入介电层，其中遮光层位于导电插塞的一侧并且遮光层的上表面和导电插塞的末端切齐，遮光层包含氮化钛、银、铝、氮化硅、氮碳化硅或氮氧化硅，一开关元件电连接导电插塞。