摘要：本发明公开一种半导体装置及其制作方法，该半导体装置包括栅极金属层、第一层间介电层、底部掩模层、顶部掩模层和第二层间介电层。第一层间介电层会包围栅极金属层的周边，底部掩模层设置在栅极金属层上，其中掩模层和栅极金属层的组成包括至少一相同的金属原子成分，顶部掩模层会顺向性地设置在底部掩模层的表面上，第二层间介电层会设置在顶部掩模层上且直接接触第一层间介电层。

摘要：本发明公开一种半导体结构及其制造方法。所述半导体结构包括基底、第一介电层、第一导电型的第一掺杂层以及第二导电型的第二掺杂层。基底具有鳍部分。第一介电层配置于所述基底上且围绕所述鳍部分。第一导电型的第一掺杂层配置于所述第一介电层上且位于所述鳍部分的相对两侧壁上。第二导电型的第二掺杂层配置于所述鳍部分的相对两侧壁上且位于所述鳍部分与所述第一掺杂层之间。所述第一掺杂层覆盖所述第二掺杂层的侧壁与底面。

摘要：本发明是一种臭氧投加均布器，包括壳体和分布板，所述壳体由四个钢板首尾相连垂直围成，所述分布板包括母管、分配管和投加单元，所述母管固定在所述壳体上，所述分配管与所述母管垂直交叉连接，并在连接点通过法兰固定并连通。本发明采用多点均衡布气的专用布气器，保证臭氧气体与烟气充分混合，阻力小，不堵塞，不会对后段设备产生影响。

摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法。该制作半导体元件的方法为，首先形成一鳍状结构于一基底上，然后形成一第一栅极结构以及一第二栅极结构于鳍状结构上以及一层间介电层环绕第一栅极结构以及第二栅极结构，将第一栅极结构以及第二栅极结构转换为第一金属栅极以及第二金属栅极，形成一硬掩模于第一金属栅极以及第二金属栅极上，去除部分硬掩模、第二金属栅极以及部分鳍状结构以形成一开口，再形成一介电层于凹槽内以形成一单扩散隔离结构。

摘要：本发明提供了一种湿法脱硫脱硝吸收装置，所述脱硫脱硝吸收装置包括脱硫脱硝塔，烟气入气口设置在脱硫脱硝塔侧壁的下部，脱硫脱硝塔内自下向上依次设置烟气混合分布器、氧化喷淋层、第一气帽层、喷氨分布层、第二气帽层、吸氨喷淋层、除雾器、烟气出气口；所述脱硫脱硝吸收装置还包括氧化剂供应池、缓冲池。本发明的脱硫脱硝吸收装置先将二氧化硫和氮氧化物氧化后，用氨水吸收，然后用过氧化氢吸收溢出的氨气和氧化残留的二氧化硫和氮氧化物。本发明的脱硫脱硝吸收装置的脱硫效率高，脱硝效率高，氨气溢出少。

摘要：本发明提供了一种烟气节能降耗脱硫脱硝装置，所述脱硫脱硝装置包括第一换热器、鼓风机、脱硫脱硝塔、回收池、第二换热器，第一换热器将焦化厂焦炉烟气的热量转移至用于脱硝反应的空气中，第二换热器将脱硝区处理的烟气后的热量转移至用于脱硝反应的氨水中，本发明的烟气节能降耗脱硫脱硝装置通过对具体的结构的改进和连接关系的改进提升了脱硫脱硝效率，克服了传统的装置在先脱硫后脱硝工艺技术中脱硫对烟气温度的影响和余热利用率低的问题。

摘要：本发明提供了一种臭氧氧化协同的烟气综合处理系统及方法，所述的综合处理系统包括依次连接的进料单元、脱硫脱硝单元和消白单元；所述的进料单元与消白单元循环连接；所述的脱硫脱硝单元包括依次连接的反应装置和吸收装置，反应装置内设置有紫外发生装置。本发明通过增设紫外发生装置并优化了进料分流比例，大幅提高了臭氧的有效利用率，同时利用了高温烟气的余热实现了对烟气排放阶段的除雾消白。

摘要：本发明提供一种脱硫脱硝催化剂床层交错设置的脱硫脱硝塔，所述塔体内部间隔设置有脱硫催化剂床层以及脱硝催化剂床层，所述脱硫催化剂床层为不饱和聚酯树脂基体负载脱硫催化剂，所述脱硝催化剂床层为不饱和聚酯树脂基体负载脱硝催化剂。所述脱硫脱硝塔将脱硫步骤和脱硝步骤合并，减少了脱硫塔和脱硝塔的占地面积，提高了脱硫脱硝效率以及脱硫脱硝的效果。

摘要：本发明涉及一种结构简单的脱硫脱硝系统及方法，所述系统包括臭氧供给装置、气液分离装置以及依次连接的脱硫单元与脱硝单元；脱硫单元包括第一气体混合装置、第一换热装置以及脱硫液存储装置；脱硝单元包括第二气体混合装置、脱硝液存储装置以及第二换热装置；脱硫液存储装置与第二气体混合装置之间的连接管道上设置有气液分离装置；臭氧供给装置与第一气体混合装置以及第二气体混合装置连接。第一换热装置的气体入口高于脱硫存储装置的气体出口；第二气体混合装置的气体出口与气体入口高于脱硝液存储装置的气体出口。本发明通过连通器的设计减少了循环泵的设置，并能够降低烟道气中颗粒物对后续脱硝的影响，且通过能量回收无需设置脱白装置。

摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法。该制作半导体元件的方法为，首先形成一鳍状结构于一基底上，然后形成一第一栅极结构以及一第二栅极结构于鳍状结构上以及一层间介电层环绕第一栅极结构以及第二栅极结构，将第一栅极结构以及第二栅极结构转换为第一金属栅极以及第二金属栅极，形成一硬掩模于第一金属栅极以及第二金属栅极上，去除部分硬掩模、第二金属栅极以及部分鳍状结构以形成一开口，再形成一介电层于凹槽内以形成一单扩散隔离结构。