摘要：本申请涉及闪存器件及其中闪存单元块的擦除方法。闪存器件包括具有多个块的存储器单元阵列。地址寄存器部被配置为接收要擦除的多个块中的要擦除的第一块的起始块地址和要擦除的最后块的最后块地址。控制逻辑电路被配置为输出擦除命令信号和与要擦除的块之一对应的擦除块地址。块地址比较部被配置为比较控制逻辑电路输出的擦除块地址与最后块地址，如果擦除块地址和最后块地址不同，则向控制逻辑电路输出擦除进展信号。控制逻辑电路在接收到擦除进展信号时输出要擦除的另一块的擦除块地址，直到要擦除的最后块已经或正在被擦除。地址寄存器部包括配置为存储起始块地址的第一地址寄存器和配置为存储最后块地址的第二地址寄存器。

摘要：本发明公开了一种用于将离子注入晶片的设备以及局部离子注入方法。此局部离子注入设备和方法期望地提供对所注入的掺杂剂的能量的控制。该局部离子注入设备通常包括离子束发生器、以及第一和第二减速单元。该第一减速单元减速由该离子束发生器产生的离子束的能量；且随后的第二减速单元根据晶片区域将该能量进一步减速为不同能量水平，其中离子将被注入晶片区域。

摘要：本发明提供一种半导体存储装置的占空比校正电路，包括：占空比校正单元，被配置为响应于占空比校正范围控制信号来确定占空比校正范围，响应于占空比校正码来将输入时钟的占空比校正为落在所确定的占空比校正范围内，并产生占空比校正时钟；占空比检测单元，被配置为检测占空比校正时钟的占空比，并输出占空比信息；以及占空比校正码发生单元，被配置为基于占空比信息来产生占空比校正码。

摘要：本发明提供一种半导体装置的输入/输出电路和输入/输出方法以及具有其的系统，所述系统包括：控制器，所述控制器能够以第一速度以及比第一速度慢的第二速度之一来工作；半导体存储装置，所述半导体存储装置以第一速度来工作；以及输入/输出装置，所述输入/输出装置连接在半导体存储装置与控制器之间，并被配置为控制所述控制器与半导体存储装置之间的信号的输入/输出，其中输入/输出装置在与半导体存储装置和以第一速度来工作的控制器之间的信号的输入/输出相对应的正常模式中工作，以及在与半导体存储装置和以第二速度来工作的控制器之间的信号的输入/输出相对应的测试模式中工作。

摘要：本发明提供一种半导体装置的输入/输出电路和输入/输出方法以及具有其的系统，所述系统包括：控制器，所述控制器能够以第一速度以及比第一速度慢的第二速度之一来工作；半导体存储装置，所述半导体存储装置以第一速度来工作；以及输入/输出装置，所述输入/输出装置连接在半导体存储装置与控制器之间，并被配置为控制所述控制器与半导体存储装置之间的信号的输入/输出，其中输入/输出装置在与半导体存储装置和以第一速度来工作的控制器之间的信号的输入/输出相对应的正常模式中工作，以及在与半导体存储装置和以第二速度来工作的控制器之间的信号的输入/输出相对应的测试模式中工作。

摘要：本发明提供一种半导体装置的输入/输出电路和输入/输出方法以及具有其的系统，所述系统包括：控制器，所述控制器能够以第一速度以及比第一速度慢的第二速度之一来工作；半导体存储装置，所述半导体存储装置以第一速度来工作；以及输入/输出装置，所述输入/输出装置连接在半导体存储装置与控制器之间，并被配置为控制所述控制器与半导体存储装置之间的信号的输入/输出，其中输入/输出装置在与半导体存储装置和以第一速度来工作的控制器之间的信号的输入/输出相对应的正常模式中工作，以及在与半导体存储装置和以第二速度来工作的控制器之间的信号的输入/输出相对应的测试模式中工作。

摘要：本发明提供一种半导体装置，可以包括：第一芯片ID发生单元，所述第一芯片ID发生单元被配置为经由第一穿通硅通孔接收使能信号以及经由第二穿通硅通孔接收时钟信号，并产生第一芯片ID信号和延迟的使能信号；第二芯片ID发生单元，所述第二芯片ID发生单元被配置为接收时钟信号以及经由第三穿通硅通孔从第一芯片ID发生单元接收延迟的使能信号，并产生第二芯片ID信号；第一芯片选择信号发生单元，所述第一芯片选择信号发生单元被配置为接收第一芯片ID信号和主ID信号并产生第一芯片选择信号；以及第二芯片选择信号发生单元，所述第二芯片选择信号发生单元被配置为接收第二芯片ID信号和主ID信号并产生第二芯片选择信号。

摘要：本发明公开一种非易失性存储器件。所述非易失性存储器件包括：交替地彼此平行布置的位线和源极线；以及交替地布置在位线与源极线之间并且每个包括漏极选择晶体管、存储器晶体管和源极选择晶体管的偶数串和奇数串。漏极选择晶体管包括结构与存储器晶体管相同的第一漏极选择晶体管和结构与源极选择晶体管相同的第二漏极选择晶体管。所述非易失性存储器件还包括与所述偶数串的第一漏极选择晶体管和奇数串的第二漏极选择晶体管连接的偶数漏极选择线，以及与奇数串的第一漏极选择晶体管和偶数串的第二漏极选择晶体管连接的奇数漏极选择线。

摘要：本发明提供一种半导体集成电路的信号传输方法。所述半导体集成电路包括：多个半导体芯片，所述多个半导体芯片被层叠成多层结构；每个半导体芯片中的校正电路，所述校正电路被配置为将与芯片在层叠中的位置相对应的延迟时间反映到输入信号中，以输出至每个半导体芯片；以及多个穿通芯片通孔，所述多个穿通芯片通孔垂直地穿通所述半导体芯片中的每个而形成，且被配置为将输入信号传送至半导体芯片。

摘要：本发明提供一种半导体装置，包括扫描电路模块，所述扫描电路模块包括：接收部，所述接收部被配置为响应于第二控制信号而从设置在第一芯片中的另一个电路单元的输出信号和设置在第二芯片中的电路单元的输出信号中的一个来产生输出信号；以及输出部，所述输出部被配置为响应于第一控制信号而将所述接收部的输出信号输出至设置在所述第一芯片中的又一个电路单元和设置在第三芯片中的电路单元中的一个，其中，所述扫描电路模块被设置在所述第一芯片中。