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1:
[发明]
半导体结构
申请号:
201510150356.8
公开号:CN106158832A 主分类号:H01L23/60(2006.01)I
申请人:
联华电子股份有限公司
申请日:2015.04.01 公开日:2016.11.23
发明人:
赵美玲
;
陈秉睿
;
王礼赐
;
唐天浩
摘要:本发明公开一种半导体结构,包括阱区、第一轻掺杂区、第二轻掺杂区、第一重掺杂区、第二重掺杂区及栅极。第一轻掺杂区设置于阱区中。第二轻掺杂区设置于阱区中并与第一轻掺杂区分离。第一重掺杂区设置于第一轻掺杂区中。第二重掺杂区部分设置于第二轻掺杂区中。第二重掺杂区具有接触阱区的表面。栅极设置于阱区上并介于第一重掺杂区及第二重掺杂区之间。阱区具有第一掺杂类型。第一轻掺杂区、第二轻掺杂区、第一重掺杂区及第二重掺杂区具有第二掺杂类型。
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2:
[发明]
静电放电保护装置及制造静电放电保护装置的方法
申请号:
201510660962.4
公开号:CN106549012A 主分类号:H01L27/02(2006.01)I
申请人:
联华电子股份有限公司
申请日:2015.10.14 公开日:2017.03.29
发明人:
王礼赐
;
赵美玲
;
唐天浩
;
苏冠丞
摘要:本发明涉及一种静电放电保护装置及制造静电放电保护装置的方法。该静电放电保护装置包含阳极、阴极、抗负压晶体管及抗正压晶体管。阳极耦接至输入端,而阴极耦接至地端。抗负压晶体管包含N井区。抗正压晶体管包含N井区。抗正压晶体管的N井区浮接至抗负压晶体管的N井区。抗负压晶体管及抗正压晶体管以背对背的方式串接于阳极与阴极之间。
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3:
[发明]
高压晶体管
申请号:
201610017653.X
公开号:CN106960841A 主分类号:H01L27/02(2006.01)I
申请人:
联华电子股份有限公司
申请日:2016.01.12 公开日:2017.07.18
发明人:
王志铭
;
王礼赐
;
唐天浩
摘要:本发明公开一种高压晶体管,包括基底、具有第一导电类型的第一基体区以及具有互补于第一导电类型的第二导电类型的第一掺杂区、第二掺杂区、第二基体区与第三掺杂区。第一基体区、第二掺杂区、第二基体区与第三掺杂区设置于基底中,且第一掺杂区设置于第一基体区中。第三掺杂区、第二基体区与第二掺杂区依序堆叠,且掺杂浓度依序递增。并且,第二基体区面对第一基体区的侧边与基底相接触。
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4:
[发明]
半导体静电放电保护元件
申请号:
201610861342.1
公开号:CN107887375A 主分类号:H01L27/02
申请人:
联华电子股份有限公司
申请日:2016.09.29 公开日:2018.04.06
发明人:
王志铭
;
王礼赐
;
唐天浩
摘要:本发明公开一种半导体静电放电保护元件,包含有一基底、一设置于该基底内的第一隔离结构、一设置于该基底上且覆盖部分该第一隔离结构的栅极、一设置于该栅极的一第一侧的该基底内的源极区域、以及一设置于该栅极的一第二侧的该基底内的漏极区域,且该第一侧与该第二侧为该栅极的相对两侧。该基底与该漏极区域包含有一第一导电型态,而该源极区域包含一第二导电型态,且该第二导电型态与该第一导电型态互补。
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5:
[发明]
电连接装置
申请号:
201710441934.2
公开号:CN109087906A 主分类号:H01L23/62(2006.01)I
申请人:
联华电子股份有限公司
申请日:2017.06.13 公开日:2018.12.25
发明人:
王志铭
;
王礼赐
;
唐天浩
摘要:本发明公开一种电连接装置,其包含一金属内连线结构、一第一垂直单元以及一第二垂直单元。金属内连线结构包含多个水平单元。第一垂直单元物理性连接各水平单元的一上表面。第二垂直单元物理性连接各水平单元的一下表面,且第一垂直单元与第二垂直单元错位。本发明又提供一种电连接装置,其特征在于包含一第一垂直单元以及一第二垂直单元。第一垂直单元物理性连接一水平单元的一上表面。第二垂直单元物理性连接水平单元的一下表面,且第一垂直单元与第二垂直单元错位,施加电压时在第二垂直单元烧断之前第一垂直单元或水平单元先烧断。
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6:
[发明]
一种计算与存储融合的异构计算硬件加速系统及方法
申请号:
201810627987.8
公开号:CN110618963A 主分类号:G06F15/78
申请人:
上海威固信息技术股份有限公司
申请日:2018.06.19 公开日:2019.12.27
发明人:
邱赐云
;
李礼
;
叶韬
;
周正
;
吴春
;
王雨雷
摘要:本发明公开了一种计算与存储融合的异构计算硬件加速系统,包括冯·诺依曼体系结构的计算子系统,FPGA芯片,活跃存储子系统,外部存储系统;FPGA芯片与存储子系统通过高速互联接口通信;冯·诺依曼计算子系统与FPGA芯片,通过高速互联设施通信;FPGA芯片与外部存储系统,通过以太网协议进行通信。本发明通过将计算任务分类,数据在进入活跃存储子系统前采用异构硬件加速单元完成特定的计算,在后续对活跃存储子系统的数据进行处理时,CPU与FPGA协同工作,执行各自擅长的任务,减少数据在计算过程中的行进距离,达到提高计算效率和降低功耗的积极效果。本发明还公开了一种异构计算硬件加速方法,具有上述有益效果。
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7:
[发明]
一种多通道数据源DDR缓存的FPGA实现方法
申请号:
201810818446.3
公开号:CN109271335A 主分类号:G06F13/16(2006.01)I
申请人:
上海威固信息技术股份有限公司
申请日:2018.07.24 公开日:2019.01.25
发明人:
吴春
;
李礼
;
邱赐云
;
王雨雷
;
周正
摘要:本发明公开了一种多通道数据源DDR缓存的FPGA实现方法,用FPGA挂若干个DDR颗粒,随意配置通道个数,然后对每个通道DDR读写进行仲裁,仲裁规则是通过轮询,或匹配带宽的仲裁规则。本发明将各个通道的数据缓存至DDR的各个通道对应的地址空间,每个通道的地址空间大小可以任意划分,地址空间总共大小为每个DDR颗粒内存空间的总和,通道数据和DDR之间分别是通过异步fifo进行交接。本发明灵活高效使用多个DDR颗粒对各个通道进行读写仲裁,可以对扩展若干个异步时钟时终域通道进行交接,灵活匹配缓存DDR映射的地址空间,集中多个DDR的缓存数据带宽对得到仲裁的通道进行缓存。
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8:
[发明]
一种采用新型垃圾回收机制的数据存储方法
申请号:
201811442057.1
公开号:CN109753240A 主分类号:G06F3/06
申请人:
上海威固信息技术股份有限公司
申请日:2018.11.28 公开日:2019.05.14
发明人:
兰海洋
;
李礼
;
王雨雷
;
吴春
;
周正
;
邱赐云
摘要:本发明提出了一种采用新型垃圾回收机制的数据存储方法,文件系统删除擦除要删除数据的目录,发给nand flash这些数据所在的block地址和地址个数,nand flash控制模块接收到这些信息后,使能擦除功能,擦除第一个block地址中的数据,计数器加1,若计数器等于地址个数,则擦除完成;文件系统给nand flash控制模块发送空闲block地址和写使能,nand flash控制模块接收到后,数据源的数据有效时开始执行写操作。本发明提高了写入带宽,提高了雷达数据采集效率;不存在写放大效应,减少了对nand flash的操作,提高了存储设备寿命;保证了数据的正确性。
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9:
[发明]
一种用于通信设备间传输介质盲插拔的方法
申请号:
201811532842.6
公开号:CN109802727A 主分类号:H04B10/25
申请人:
上海威固信息技术股份有限公司
申请日:2018.12.14 公开日:2019.05.24
发明人:
王雨雷
;
李礼
;
吴春
;
周正
;
邱赐
摘要:本发明提供了一种用于通信设备间传输介质盲插拔的方法,包括:选择通信协议中的冗余信息;对冗余信息进行重新定义,用以标识数据为拆分前所处的位置;接收方接收解码,获取接收后的冗余信息并根据重新定义的规则确认该数据发送前位置;根据接收方解码出来的位置信息对该数据进行重排序;根据重排序的位置进行拼接,恢复出发送前的数据。本发明通过协商定义通信协议的未使用的冗余信息,增加数据通道位置的标识信息,可以任意端口互联,无需端口一一对应,实现传输介质盲插拔,在多设备外接多个介质传输数据中,将介质错位导致的风险降低为0,极大的提高设备组装效率,大大的降低错误的产生,提高了设备总体的使用寿命。
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10:
[发明]
一种冷凝式除油烟与热能回收利用装置及其控制方法
申请号:
202310411416.1
公开号:CN116624902A 主分类号:F24C15/20
申请人:
嵊州市浙江工业大学创新研究院
申请日:2023.04.17 公开日:2023.08.22
发明人:
高翠兰
;
王天赐
;
周水清
;
何兴
;
郭礼建
;
金伟娅
摘要:本发明属于餐饮油烟处理技术领域,尤其涉及一种冷凝式除油烟与热能回收利用装置及其控制方法。本发明,包括位于集成灶头部风道内的若干冷凝板,所述的冷凝板内设有涡流引导结构和共振吸声结构,所述的涡流引导结构和共振吸声结构分别与集成灶头部风道的位置相对应,所述的集成灶头部风道内设有电加热设备,所述的冷凝板远离集成灶头部风道一侧设有温差发电储能组件。本发明通过冷凝板表面涡流引导结构引导纵向涡流,阻碍热边界层充分发展,增强换热,加速油烟凝结在冷凝板表面,提高冷凝板内相变储能材料对油烟热量的吸收率。
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