摘要：本实用新型公开了一种集成电路芯片针测垫的结构，包括：一衬底，其上具有一介电层；一嵌入金属导线，设于该介电层上，且该嵌入金属导线具有一暴露出来的上表面；一保护介电层，覆盖在该上表面以及该介电层上；一强化图案，设于该嵌入金属导线的该上表面，且该强化图案具有一间隙，暴露出部分的该嵌入金属导线；以及，一金属垫，设于该强化图案以及该保护介电层上，且该金属垫填满该嵌入金属导线的该间隙。通过本实用新型的集成电路芯片针测垫的结构，防止了因测试力量过大而造成裸铜或是绝缘层破裂。

摘要：一种晶片承载装置，包括一承载箱、一盖板、一固定器与一垫片。承载箱内部设置有相互平行的多个凹槽，这些凹槽适于容置多个晶片，且承载箱具有一个开口可供晶片置入或移出。盖板为可拆卸地连接承载箱，适于保护承载箱内部的晶片。固定器配置于盖板的一面。垫片配置于盖板与固定器之间，使部分固定器突起，以固定上述晶片至少其中之一。

摘要：一种具有电容器的半导体器件，包括衬底、MOS晶体管与电容器。MOS晶体管是位于衬底的一MOS晶体管区，且其中具有第一底扩散区域。电容器则位于衬底的一电容器区，其中电容器包括位于衬底中的第二底扩散区域、位于第二底扩散区域上的第一介质层、位于第一介质层上的底导体层、位于底导体层上的第二介质层和位于第二介质层上的顶导体层。其中，第二底扩散区域与该第一底扩散区域具有不同的导电态。此种电容器可依照不同的介质层厚度，得到不同的电容值，并可防止MOS晶体管的Vt值受到供应至电容器的电压影响。

摘要：一种晶片承载装置，包括：一机械手臂，向其前方延伸出一盘体；至少一倾斜支撑片，设置在该盘体的一端，且该倾斜支撑片具有一倾斜表面，用来支撑一晶片；至少一末端固定卡件，设置在该盘体的另一端；一可内缩式活动卡件，设于该倾斜支撑片的一侧，用来将该晶片由该倾斜表面推向该末端固定卡件，并与该末端固定卡件共同夹住并定位该晶片；以及一绝缘材料薄膜，贴覆于该倾斜支撑片的该倾斜表面上以及该末端固定卡件上，用来降低该晶片与该晶片承载装置之间的摩擦力。

摘要：本实用新型有关一种金属氧化物半导体(MOS)晶体管元件，其中，一半导体基底包括一有源区与一隔离区，有源区与栅极结构之间具有一选择性外延层，并且外延层的一周边部分是覆盖在隔离区的一周边部分的上方。如此，可增加沟道宽度，而增进漏极电流。

摘要：一种彩色滤光片的布局图案，该布局图案包括多个像素矩阵，各该像素矩阵具有以阵列方式排列的四个彩色滤光片，且相邻的彩色滤光片为不相同的颜色，其中，该布局图案在角隅处设有加大型彩色滤光片或延伸棱边，该些加大型彩色滤光片或该些延伸棱边可以加大该布局图案与基底的接触面积，以提高彩色滤光片对基底的附着力，防止彩色滤光片剥离的现象发生，以提高工艺的良率。

摘要：一种溅镀机台的晶片承载装置，包含有一基座(pedestal)、一沉积环(deposition ring)以及覆盖环(cover ring)。该基座系设置于一溅镀反应室内，用以载置一待溅镀的晶片。而该沉积环设置于该基座的周边部分，且具有一凹槽(recess)。该覆盖环则设置于该基座与该沉积环上，且具有一对应于该沉积环的该凹槽的闸门(gate)。

摘要：本实用新型公开一种修整器，应用于化学机械研磨机台。该修整器包含一基座，其上半部具有一沟槽，且该沟槽由该基座的多个挡墙与一底面所构成，而其下半部包含一下凸部与二侧翼部分设于该下凸部的两侧，以及一修整部，固定于该基座下半部的该下凸部。由于本实用新型的修整器具有沟槽与下凸部等结构，故可大幅改善研磨浆结晶于修整器并掉落在研磨垫上造成刮伤源的情况。

摘要：本实用新型公开一种气体供应装置及其连接件，该连接件适于连接于第一管路的第一端部与第二管路的第二端部之间，连接件包括底部与多个从底部朝第二端部延伸出的定位壁。底部连接于第一端部与第二端部之间，而第二端部更抵靠于这些定位壁。底部更具有贯孔以连通第一管路与第二管路。此连接件具有组装容易，且可降低漏气的优点。本实用新型另提出一种使用此连接件的气体供应装置。

摘要：本实用新型公开一种覆盖环以及物理气相沉积系统。其中该覆盖环适用于物理气相沉积系统中，以至少覆盖一晶片的边缘。覆盖环包括一楔型环，有一基面以及一斜面。该基面当作水平的参考面，该斜面往内部方向倾斜且与该基面夹有一倾斜角度，该倾斜角度小于5°，且大于或等于0.5°，且该楔型环的内直径大于297.9mm且小于300mm。