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发明专利:625实用新型: 369外观设计: 70
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申请号:02141023.2 公开号:CN1433062 主分类号:H01L21/768
申请人:联华电子股份有限公司 申请日:2002.07.11 公开日:2003.07.30
发明人:王志荣;陈东郁
摘要:一种在低介电常数材料层中形成开口的方法。依序在具有金属线的基底上形成盖层、第一介电层、蚀刻阻挡层、第二介电层、CMP阻挡层、金属硬罩幕层、硬罩幕层、以及BARC层,在定义硬罩幕层以及金属硬罩幕层以形成一第一开口以后,在硬罩幕层上形成一种液态充填材料层并填满第一开口,用一层定义过的光阻层作为罩幕定义充填材料层以及低介电常数介电层,以得到一个第二开口,将光阻层随着充填材料一并移除以后,利用金属硬罩幕层以及硬罩幕层作为罩幕,盖层为蚀刻阻挡层,以形成一个镶嵌开口。
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申请号:200510079423.8 公开号:CN1885498 主分类号:H01L21/306(2006.01)I
申请人:联华电子股份有限公司 申请日:2005.06.21 公开日:2006.12.27
发明人:周珮玉;陈东郁
摘要:本发明提供一种限定多晶硅图案的方法,其方法包括于一基底上形成一多晶硅层,以及于多晶硅层上形成一图案化的屏蔽层,接着进行一第一蚀刻工艺,蚀刻未被屏蔽层覆盖的部分多晶硅层,以于多晶硅层表面形成多个凹洞,然后进行一剥除工艺,使用不含氧(O2)的气体剥除屏蔽层,最后进行一第二蚀刻工艺,继续蚀刻部分的多晶硅层,以使多个凹洞通达至基底表面。
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申请号:201110230893.5 公开号:CN102931184A 主分类号:H01L27/02(2006.01)I
申请人:联华电子股份有限公司 申请日:2011.08.12 公开日:2013.02.13
发明人:陈东郁
摘要:本发明提供一种半导体结构及其制法,该半导体结构包括基板、第一物质层以及第二物质层。基板上定义有沟槽区域,沟槽区域具有两个不相邻的第一区域,以及具有位于两个第一区域之间且与两个第一区域相邻的第二区域。第一物质层设置于基板的沟槽区域以外的区域。第二物质层设置于该第二区域中,第二物质层与第一物质层齐高。
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申请号:201210019069.X 公开号:CN103219366A 主分类号:H01L29/423(2006.01)I
申请人:联华电子股份有限公司 申请日:2012.01.20 公开日:2013.07.24
发明人:陈东郁;王志荣
摘要:本发明公开一种鳍状场效晶体管结构及其制作方法。鳍式场效晶体管结构包含基底、鳍状结构、绝缘层与栅极结构。绝缘层覆盖基底以及部分围绕鳍状结构的侧面形成一L型绝缘层,其中该L型绝缘层与鳍状结构有蚀刻选择比。栅极结构部分包围鳍式结构,通过L型绝缘层,可以控制鳍状场效晶体管的通道宽度。
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申请号:201210093060.3 公开号:CN103367224A 主分类号:H01L21/76(2006.01)I
申请人:联华电子股份有限公司 申请日:2012.03.31 公开日:2013.10.23
发明人:陈东郁;王志荣
摘要:本发明公开一种在基板中形成沟槽的方法。其首先在一基板上形成一第一图案化掩模层,第一图案化掩模层具有一第一沟槽。接着在基板上全面形成一物质层,物质层共形地沿着该第一沟槽形成。然后在物质层上形成一第二图案化掩模层,以填满第一沟槽。接着移除部分的物质层,而保留位于第二图案化掩模层与基板之间的物质层,以形成一第二沟槽。最后,以第一图案化掩模层以及第二图案化掩模层为掩模进行一蚀刻制作工艺。
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申请号:201310270870.6 公开号:CN104282747A 主分类号:
申请人:联华电子股份有限公司 申请日:2013.07.01 公开日:2015.01.14
发明人:陈东郁;杨国裕
摘要:一种可抑制谐波效应的半导体结构及形成可抑制谐波效应的结构的方法。半导体结构包括半导体基板、装置、深沟槽、硅层及介电层。半导体基板包括半导体基板基底、埋入式介电层、表面半导体层及位于表面半导体层内的浅沟隔离层。装置设置于表面半导体层上。深沟槽邻近于装置并延伸通过浅沟隔离层及埋入式介电层而至半导体基板基底中。硅层设置于深沟槽下部中。硅层高度为与半导体基板基底顶表面高度相同或较低。介电层设于深沟槽中的硅层上。本发明形成可抑制谐波效应结构的方法,可于层间介电层形成前或后对半导体基板进行蚀刻,以形成如上述深沟槽,再于深沟槽中形成硅层。可利用硅层吸引住或攫获载流子或电荷,减缓寄生表面电荷,抑制谐波效应。
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申请号:201610004548.2 公开号:CN106941091A 主分类号:H01L21/768(2006.01)I
申请人:联华电子股份有限公司 申请日:2016.01.05 公开日:2017.07.11
发明人:陈东郁;林佳芳
摘要:本发明公开一种内连线结构、内连线布局结构及其制作方法,该具有气隙的内连线布局结构包含有多个沿一方向延伸的气隙,以及设置于该多个气隙之间的至少一第一内连线单元。该第一内连线单元包含有一第一导线、一设置于该第一导线上的第一接着标记、以及一设置于该第一接着标记上且穿透该第一接着标记而电连接至该第一导线的第一插塞结构。该第一接着标记实体分离沿一直线排列的该多个气隙。
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申请号:201711386154.9 公开号:CN108162439A 主分类号:B29D7/00(2006.01)I
申请人:石家庄英利体育用品有限公司 申请日:2017.12.20 公开日:2018.06.15
发明人:李郁;陈东
摘要:本发明提供了一种复合地板的加工方法,包括以下步骤:注塑硬质地板骨架,所述硬质地板骨架设有排水孔和注塑通孔;在除排水孔外的所述硬质地板骨架的上表面以及注塑通孔内同时注塑热塑性弹性体材料,且下表面预留与所述注塑通孔对应的型腔;冷却后,在所述注塑硬质地板骨架的上表面形成设有对应排水孔的上弹性层,且所述热塑性弹性体材料穿过所述注塑通孔在硬质地板骨架的下表面形成与所述型腔对应的弹性支脚。本发明的复合地板具有良好的冲击吸收性能和良好的球回弹性能,并且抗湿滑、耐磨性能好。
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申请号:201711386162.3 公开号:CN107974024A 主分类号:C08L51/06(2006.01)I
申请人:石家庄英利体育用品有限公司 申请日:2017.12.20 公开日:2018.05.01
发明人:李郁;陈东
摘要:本发明公开了一种热塑性弹性体组合物及其制备方法和应用,所述组合物包括以下重量份的原料组分:SEPS或SEEPS或SEPS与SEEPS的混合物,20‑150份;乙烯‑辛烯嵌段共聚烯烃,20‑150份;石蜡油,20‑200份;马来酸酐接枝丁二烯,20‑160份;马来酸酐接枝聚丙烯,20‑150份;橡胶粉末,10‑200份;硅酮粉,10‑100份;无机填料,10‑50份;DCP母粒1.9‑10%,TMPTMA1.9‑10%;PP颗粒30‑50份。其制备方法为:通过两步法将热塑性弹性体材料与橡胶粉末共混形成新的热塑性弹性体共混体系。采用该热塑性弹性体制备的地板耐湿滑、耐磨和耐候性能高。
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申请号:202211154024.3 公开号:CN115322677A 主分类号:C09D179/04
申请人:河北英利奥体育用品有限公司 申请日:2022.09.21 公开日:2022.11.11
发明人:李郁;陈东
摘要:本发明涉及一种运动地板的涂装材料及涂装方法。其中,本发明的涂装材料包括如下重量份的组分:90~96份的UV处理剂,0.1~0.2份的增稠剂,0.3~0.4份的消泡剂,0.2~0.3份的分散剂,0.5~0.9份的流平剂,1.5~2.5份的光引发剂。本发明的运动地板的涂装材料,通过在UV处理剂中配入适宜份量的增稠剂,能够调整涂装材料的粘稠度,进而便于控制涂装材料的涂层厚度;而配置的消泡剂,能够减少涂层中的气泡,从而改善涂装材料的性能。配置的分散剂,便于各种不同成分的均匀混合,而光引发剂和UV处理剂的共同作用,便于在运动地板的表面形成性能优良的涂层,取代现有的运动地板的耐磨层,从而取消运动地板的复合工序,简化生产工序,提高生产效率,符合节能减排、绿色环保的生产理念。
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申请号:202211154024.3 公开号:CN115322677A 主分类号:C09D179/04
申请人:河北英利奥体育用品有限公司 申请日:2022.09.21 公开日:2022.11.11
发明人:李郁;陈东
摘要:本发明涉及一种运动地板的涂装材料及涂装方法。其中,本发明的涂装材料包括如下重量份的组分:90~96份的UV处理剂,0.1~0.2份的增稠剂,0.3~0.4份的消泡剂,0.2~0.3份的分散剂,0.5~0.9份的流平剂,1.5~2.5份的光引发剂。本发明的运动地板的涂装材料,通过在UV处理剂中配入适宜份量的增稠剂,能够调整涂装材料的粘稠度,进而便于控制涂装材料的涂层厚度;而配置的消泡剂,能够减少涂层中的气泡,从而改善涂装材料的性能。配置的分散剂,便于各种不同成分的均匀混合,而光引发剂和UV处理剂的共同作用,便于在运动地板的表面形成性能优良的涂层,取代现有的运动地板的耐磨层,从而取消运动地板的复合工序,简化生产工序,提高生产效率,符合节能减排、绿色环保的生产理念。
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