摘要：本发明公开了一种触控面板、触控显示设备及触控面板的驱动方法。所述触控面板包括一基板，多条感应电极及一驱动器。所述多条感应电极设置于所述基板上，用以传送多个驱动信号，并用以根据所述多个驱动信号产生多个感应信号。所述驱动器用以驱动所述多条感应电极以进行一触控感应操作，其中，所述驱动器进一步用以检知一显示面板的噪声后决定一干扰时段，并于所述干扰时段内停止所述触控感应操作。本发明触控面板得于检知显示面板的噪声后，于一干扰时段内禁能所述驱动器，如此，便得以排除受噪声干扰的感应信号。借此，本发明触控面板可以避免受到显示面板的噪声影响，并增加触控数据的准确度。

摘要：本发明涉及针织技术领域，具体涉及一种移圈织针。包括针杆，所述针杆为弧形，针杆的一侧设有与针杆相配的弹性的移圈片。本申请采用弧形的移圈织针，由于弧形移圈织针的末端方向位置不是朝向针盘或者针筒圆心方向，所以在同样口径的针盘和针筒上可以设置更多针槽和针数，进而可以达到编织更多新式和更高品质编织物的要求，增加产品的时尚感和竞争力。

摘要：本发明提供了一种组合型任意拉毛的提花针及其选针系统，属于针织机械技术领域。它解决了现有拉毛生克盘片在任意拉毛的过程中容易因碰撞折断的技术问题。它包括提花针，提花针包括外针和内针，外针具有用于容置内针的容针腔，内针卡入到容针腔内与外针形成卡接配合，当内针的顶部接触选针器的提花三角时，内针能发生形变从而使内针顶部向靠近容针腔的底部方向运动，当内针顶部与选针器的提花三角脱离时，内针顶部能向远离选针腔的底部方向运动。本提花针具有弹性结构，有效避免与提花三角碰撞而发生折断。

摘要：本发明提供了一种任意拉毛走针系统及其走针方法，属于针织机械技术领域。它解决了现有技术中提花针以及生克片易折断等技术问题。它包括呈圆盘状的生克盘和针筒，生克盘上并沿生克盘的周向均布有针槽，每个针槽中设有一个提花针，提花针能沿针槽的轴向移动，提花针包括外针及与外针卡接的内针，在生克盘上方设有一个生克罩，生克罩罩设在生克盘上方，当生克盘沿周向转动时，内针上表面能与生克罩接触并在生克罩下表面的作用下往靠近外针内部的方向移动。本发明具有生克片、提花针不易发生折断状况，提高拉毛作业的稳定性的优点。

摘要：本发明公开了一种基于对象的社交方法，包括：接收拍摄对象所拍摄的图像数据，确定所述图像数据的特征数据；将所述图像数据的特征数据与预设的特征数据库中的特征数据进行匹配，确定所述图像数据所包含的对象；将所确定对象与预设的社交对象数据库中的社交对象进行匹配，匹配成功后，确定所述社交对象数据库中与所述对象匹配的社交对象所对应的社交群组，并对所述拍摄对象执行第一社交操作；当匹配失败后，在所述社交对象数据库中建立对应于所述拍摄对象的社交群组，并对所述拍摄对象执行第二社交操作。本发明还同时公开了一种基于对象的社交装置。

摘要：本发明公开了一种卸料平台的加固装置，应用在建筑工程设备领域，其技术方案要点是：包括主梁和矩形台架，还包括基架、若干加固杆和从上至下依次分布的第二楼层和第一楼层，主梁搭建在第二楼层上，所述矩形台架底面设有加强板；第一楼层地面铺设有两个相互平行的导轨，基架与导轨滑动连接，第一楼层地面上预埋有若干固定座，基架通过固定螺栓与固定座螺纹连接，基架上转动连接有固定筒，基架内转动连接有液压缸，液压缸的活塞杆与固定筒转动连接，若干加固杆通过连接件连接成承载杆，其优点是：通过承载杆对矩形台架的支撑作用，减轻了卸料平台在工作时钢丝拉索和主梁所承受的载荷，从而降低了对操作者人身安全的影响。

摘要：用于对比网络分析和可视化的系统和方法。一种用于使用机器学习相对于数据的背景网络来分析目标网络的方法和系统。该方法可以包括以下步骤：从表示目标网络的邻接矩阵中提取第一特征矩阵；从表示背景网络的邻接矩阵中提取第二特征矩阵；使用对比学习算法，基于第一特征矩阵和第二特征矩阵生成投影矩阵；基于投影矩阵和第一特征矩阵，生成目标网络的第一对比矩阵表示；基于投影矩阵和第二特征矩阵，生成背景网络的第二对比矩阵表示；以及基于第一对比矩阵和第二对比矩阵，显示对于目标网络相对于背景网络的独有特征的可视化。

摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该半导体元件包括一基底，一缓冲层设置在该基底上，一通道层设置在该缓冲层上，一势垒层设置在该通道层上，一钝化层设置在该势垒层上，以及一元件隔离区，其贯穿该钝化层、该势垒层，以及至少部分该通道层，并且包围该半导体元件的一第一元件区。该元件隔离区具有沿着一深度方向变化的缺陷浓度，且在该通道层和该势垒层之间的一结附近具有最高的缺陷浓度。

摘要：本发明公开一种高电子迁移率晶体管及其制作方法，其中该高电子迁移率晶体管包含一基底，一通道层设置在基底上，一主动层设置在通道层上，其中主动层包含一P型氮化铝镓层，一P型氮化镓栅极设置在主动层上以及一源极电极以及一漏极电极设置于主动层上。

摘要：本发明提供一种高电子迁移率晶体管(HEMT)器件及其制造方法。HEMT器件包括衬底、沟道层、阻挡层、栅极、源极、漏极与源极场板。沟道层位于衬底上。阻挡层位于沟道层上。栅极位于阻挡层上，且具有彼此相对的第一侧与第二侧。源极位于栅极的第一侧。漏极位于栅极的第二侧。源极场板连接于源极。源极场板包括第一场板部、第二场板部与第三场板部。第一场板部连接于源极，且位于栅极的第一侧。第二场板部位于栅极的第二侧。第三场板部连接于第一场板部的末端以及第二场板部的末端。源极场板具有位于栅极的正上方的第一开口。第一开口位于第一场板部与第二场板部之间。第三场板部的俯视图案与栅极的俯视图案部分重叠。HEMT器件可降低功率损耗并提升器件速度。