摘要：本发明提供一种显色材料及其制备方法，该显色材料包括颜料以及包覆该颜料的无机烷氧缩合物。该制备方法包括将无机烷氧化合物加入颜料中，以溶胶-凝胶缩合反应，形成无机烷氧缩合物包覆该颜料，使得颜料具有更高的耐热性与化学稳定性。

摘要：本发明提供一种颜料型感光材料，包括：碱可溶树脂、多官能团单体、光引发剂、以无机烷氧缩合物包覆的颜料以及溶剂。本发明的颜料型感光材料通过颜料表面包覆无机烷氧缩合物，与碱可溶树脂、多官能团单体以及光引发剂搭配，使其具有高耐热性、尺寸稳定性以及较少的色度变化，以应用于制备一般液晶显示器或柔性显示器的彩色滤光片。

摘要：本发明为一种利用所产生的空乏区降低逆向漏电流的萧特基二极管结构，具有一第一导电性材料半导体基板及与其结合的一金属层，在第一导电性材料半导体与金属层结合的周缘具有一氧化层，其中，该第一导电性材料半导体基板于邻接金属层的表面内部形成有多个呈线状排列的第二导电性材料区域，该第二导电性材料区域可在第一导电性材料半导体基板内形成空乏区，由此空乏区能减少萧特基二极管的漏电面积，进而降低其逆向漏电流及顺向压降；前述第一导电性材料为P型半导体时，第二导电性材料即为N型半导体，反之，第一导电性材料为N型半导体时，第二导电性材料即为P型半导体。

摘要：本发明一种可减少逆向漏电流及具有低顺向压降的萧特基二极管结构，具有一第一导电性材料半导体基板及与其结合的一金属层，在第一导电性材料半导体基板与金属层结合的周缘具有一氧化层，其中，该第一导电性材料半导体基板于邻接金属层的表面内部形成有多个呈点状排列的第二导电性材料区域，该第二导电性材料区域可在第一导电性材料半导体基板内形成空乏区，由此空乏区能减少萧特基二极管的漏电面积，进而降低其逆向漏电流及顺向压降；前述第一导电性材料为P型半导体时，第二导电性材料即为N型半导体，反之，第一导电性材料为N型半导体时，第二导电性材料即为P型半导体。

摘要：一种耐热的可挠式彩色滤光片，包括：可挠式透明基板，其形成材料包括二氧化硅与聚酰亚胺，其中，该二氧化硅占该形成材料的比例约为20-70wt％；以及涂布于该可挠式透明基板上的热稳定彩色光阻材料，其中，该热稳定彩色光阻材料包括约30-90wt％的碱可溶树脂系统，约5-60wt％的感光系统，以及约10-50wt％的以无机烷氧化物包覆的颜料。

摘要：一种以温差致电的纺织品，包括基布以及至少两个不同材质的热电传导线材。热电传导线材以车缝或刺绣的方式配置于基布，其中两个热电传导线材为交错排列，并在交错处形成多个交织点。另外，本发明还提供了一种上述纺织品的制造方法。该纺织品的热电传导线材可利用车缝或刺绣的方式配置于其上，不需再利用例如焊接的额外加工方式即可在基布上形成交织点，再藉由交织点间的温度差异产生电压。

摘要：本发明公开一种微机电结构及其制作方法。该微机电结构的制作方法，包含首先提供一基底包含一逻辑元件区和一微机电元件区，接着形成一逻辑元件于逻辑元件区，之后全面形成一含氮材料层覆盖逻辑元件区和微机电元件区，然后移除位于微机电元件区内的部分的含氮材料层以在含氮材料层上定义出至少一退缩区域，在形成退缩区域之后，形成至少一介电层覆盖逻辑元件区和微机电元件区，并且介电层填入退缩区域，接续蚀刻位于微机电元件区的部分的介电层以形成至少一孔洞穿透介电层，其中退缩区域环绕孔洞，最后蚀刻基底以形成一腔室。

摘要：本发明公开一种半导体制作工艺，包括以下步骤。提供晶片，其中晶片具有正面与背面，且在晶片的正面上具有半导体元件。在晶片的正面上形成保护层，其中保护层覆盖半导体元件，且保护层的材料包括光致抗蚀剂材料。对保护层进行表面硬化处理制作工艺。对晶片的背面进行第一图案化制作工艺。上述半导体制作工艺在进行晶背制作工艺时可有效地对晶片的正面进行保护。上述半导体制作工艺在进行晶背制作工艺时可有效地对晶片的正面进行保护。

摘要：本发明公开一种微机电系统麦克风及其制造方法，其中该微机电系统麦克风包含：基板；相对于该基板而被支撑住的薄膜；贯穿该薄膜的整个厚度的开口；以及间隙壁，设置在该开口的侧壁上，其中，该间隙壁突出于该薄膜的顶面。

摘要：本发明公开一种微机电装置与用以制造其的方法。微机电装置包含基板、在基板上的聚合物膜、贯穿基板的空腔、以及在基板上且在聚合物膜中的多个线圈结构。聚合物膜具有面对基板的下表面。聚合物膜包含配置于下表面的波纹图案。聚合物膜的一部分暴露于空腔中。