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1:
[发明]
平台能量收集
申请号:
201010623233.9
公开号:CN102361386A 主分类号:H02K35/00(2006.01)I
申请人:
英特尔公司
申请日:2010.12.24 公开日:2012.02.22
发明人:
Q·马
;
H·纳伊米
摘要:本申请涉及平台能量收集。本文提供的是使用主板和/或已经在平台中的其它质量的方式。
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2:
[发明]
平台能量收集
申请号:
201710468941.1
公开号:CN107237726A 主分类号:F03G7/08(2006.01)I
申请人:
英特尔公司
申请日:2010.12.24 公开日:2017.10.10
发明人:
Q.马
;
H.纳伊米
摘要:本发明的名称为平台能量收集。本申请涉及平台能量收集。本文提供的是使用主板和/或已经在平台中的其它质量的方式。
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3:
[发明]
一种生产热稳定热塑性聚氨酯的工艺
申请号:
01143127.X
公开号:CN1373147 主分类号:C08G18/72
申请人:
拜尔公司
申请日:2001.12.10 公开日:2002.10.09
发明人:
F·米勒
;
W·布罗伊尔
;
H·-G·霍佩
;
H·-G·乌索
;
H·瓦格纳
摘要:公开了一种生产可热塑性加工的聚氨酯弹性体的连续工艺。此工艺包含加入一定计算量的酸H化合物以控制和实现产物的恒定熔体粘度。本发明制备的弹性体具有恒定的熔融流动特性和高度的热稳定性。
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4:
[发明]
半导体装置以及用于制造这种半导体装置的方法
申请号:
201680080911.7
公开号:CN108604551A 主分类号:H01L21/336(2006.01)I
申请人:
ABB瑞士股份有限公司
申请日:2016.10.28 公开日:2018.09.28
发明人:
H.巴托夫
;
M.拉伊莫
;
L.诺尔
;
A.米海拉
;
R.米纳米萨瓦
摘要:一种制造半导体装置的方法提供有:(a)提供宽带隙衬底产品(10),(b)通过施加具有第一和第二掩膜层(35、36)的第一掩膜(34)并且施加n掺杂剂(31)来形成源区(3、3’),通过去除第一掩膜(34)的、布置在两个源区(3、3’)之间的这种部分,并且施加p掺杂剂(51)来形成阱层(5),通过形成第三掩膜(46)通过执行蚀刻步骤并且施加p掺杂剂(41)来形成两个沟道区域(4、4’),通过该蚀刻步骤,与第二掩膜层(36)相比,第一掩膜层(35)在开口处进一步被去除,其中剩余的第一掩膜层(35’)形成第三掩膜(46),),其中阱层深度(50)至少与沟道层深度(40)同样大,(c)在步骤(b)之后,为了形成插塞(6),施加覆盖源区(3、3’)和沟道层(4、4’)的第四掩模,并且将p第四掺杂剂施加到比阱层深度(50)更大的深度并且具有比阱层(5、5’)更高的掺杂浓度。
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5:
[发明]
半导体装置以及用于制造这种半导体装置的方法
申请号:
201680080912.1
公开号:CN108604552A 主分类号:H01L21/336(2006.01)I
申请人:
ABB瑞士股份有限公司
申请日:2016.10.28 公开日:2018.09.28
发明人:
H.巴托夫
;
M.拉伊莫
;
L.诺尔
;
A.米海拉
;
R.米纳米萨瓦
摘要:一种制造半导体装置的方法提供有:(a)提供宽带隙衬底产品(10),(b)为了形成两个沟道层(4、4’),施加第一掩模(42)并且施加p第一掺杂剂(41),为了形成两个源区(3、3’),通过在第一掩模(42)的横向侧上施加另外层并且施加n第二掺杂剂(31)来形成第二掩模(32),为了形成两个阱层(5、5’),通过去除源区(3、3’)之间的第二掩模(32)的这种部分并且施加p第三掺杂剂(51)来形成第三掩模(52),其中阱层深度(50)与沟道层深度(40)至少同样大,(c)在步骤(b)之后,为了形成插塞(6),施加覆盖源区(3、3’)和沟道层(4、4’)的第四掩模,并且将p第四掺杂剂施加到比阱层深度(50)更大的深度并且以比阱层(5、5’)更高的掺杂浓度施加,其中阱层(5、5’)在横向方向上包围插塞(6),并且将它与两个源区(3、3’)分隔。
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6:
[发明]
用于制造半导体装置的方法
申请号:
201680080934.8
公开号:CN108701617A 主分类号:H01L21/336(2006.01)I
申请人:
ABB瑞士股份有限公司
申请日:2016.11.22 公开日:2018.10.23
发明人:
H.巴托夫
;
M.拉伊莫
;
L.诺尔
;
A.米海拉
;
R.米纳米萨瓦
摘要:一种宽带隙半导体装置被提供,其包括在第一主侧(20)和第二主侧(22)之间的(n‑)掺杂漂移层。在第一主侧(20)上,n掺杂源区(3、3')被布置,其被具有沟道层深度(40)的p掺杂沟道层(4、4’)横向包围。具有与沟道层深度(40)至少同样大的阱层深度(50)的P+掺杂阱层(5、5’)被布置在源区(3、3’)的底部处。p++掺杂插塞6从与源层深度(30)至少同样深并且与阱层深度(50)相比没那么深的深度延伸到与阱层深度(50)至少同样深的插塞深度(60),并且具有比阱层(5、5’)更高的掺杂浓度,所述插
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7:
[发明]
包括硅氧烷包多元醇乳液的个人护理组合物
申请号:
01823386.4
公开号:CN1520282 主分类号:A61K7/48
申请人:
宝洁公司
申请日:2001.06.20 公开日:2004.08.11
发明人:
H·马斯达
;
M·伊史伽米
;
;
G·E·德科纳
摘要:本发明公开了硅氧烷包多元醇乳液,该乳液基本上由下述物质组成:(i)烷基聚二甲基硅氧烷共聚醇,其HLB值为约4至约6,且分子量为约10,000至约20,000,其中烷基由约10至约22个碳原子组成;和(ii)多元醇,其中烷基聚二甲基硅氧烷共聚醇与多元醇的重量比为约100∶1至约2∶8;配制这种硅氧烷包多元醇乳液和无水个人护理组合物的方法,其中该组合物包括按重量计:(a)约0.01%至约15%的烷基聚二甲基硅氧烷共聚醇,其HLB值为约4至6,且分子量为约10,000至约20,000,其中烷基由约10至约22个碳原子组成;(b)约0.01%至约35%的多元醇,其中烷基聚二甲基硅氧烷共聚醇与多元醇的重量比为约100∶1至约2∶8;和其中组合物基本上不含水。
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8:
[发明]
抗氧化镍合金
申请号:
201310435390.0
公开号:CN103589911A 主分类号:C22C19/05(2006.01)I
申请人:
阿尔斯通技术有限公司
申请日:2013.08.16 公开日:2014.02.19
发明人:
M·Y·纳滋米
;
A·库恩滋勒
;
H·津恩
;
G·班迪伊拉
摘要:本发明涉及一种抗氧化镍合金,其特征在于具有以下化学组成(按重量%计):4-7的Cr、4-5的Si、0.1-0.2的Y、0.1-0.2的Mg、0.1-0.2的Hf,剩余为Ni和不可避免的杂质。优选的实施方案为具有以下的化学组成(按重量%计):6的Cr、4.4的Si、0.1的Y、0.15的Mg、0.1的Hf,剩余为Ni和不可避免的杂质。该合金具有改进的抗氧化性能和高温下良好的蠕变性能。
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9:
[发明]
用于借助于机动车操纵移动设备的方法
申请号:
201280036568.8
公开号:CN103687744A 主分类号:B60K37/06(2006.01)I
申请人:
大众汽车有限公司
申请日:2012.06.26 公开日:2014.03.26
发明人:
F.许格
;
H.诺伊纳
;
M.米尔特申克
摘要:本发明提供了一种用于借助于机动车的带有显示和操纵装置的电子装置操纵不与车辆相关联的移动设备的方法。程序包括用于用户界面和用于操作顺序的程序块,数字证书与该程序块相关联。用户界面包括用于示出可变的内容的固定区域。程序块与数字证书一起被传输给机动车的电子装置并且在成功验证证书时被实施。数据的未通过数字证书防护的传输局限于用于在用户界面的固定区域中示出的可变的内容。
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10:
[发明]
用于车辆的高电压蓄存器
申请号:
201480023499.6
公开号:CN105142968A 主分类号:
申请人:
宝马股份公司
申请日:2014.04.16 公开日:2015.12.09
发明人:
M·瓦格纳
;
S·本萨拉
;
H·米内伊夫
摘要:本发明涉及一种用于车辆的高电压蓄存器(1),其包括:一个壳体(2),该壳体具有单壳式的金属下壳(3)和将该下壳封闭的塑料顶盖(4);和多个设置在壳体(2)内的蓄能单元(7)和/或蓄能模块。本发明的目的是,提供一种高电压蓄存器,该高电压蓄存器在构造经济而轻量的同时对于在车辆中的应用是稳定的。
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