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发明专利:4635实用新型: 731外观设计: 277
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申请号:201710370257.X 公开号:CN109064968A 主分类号:G09G3/32(2016.01)I
申请人:TCL集团股份有限公司 申请日:2017.05.23 公开日:2018.12.21
摘要:本发明公开一种主动式驱动量子点显示面板的驱动方法,包括:每个像素点均配备具有开关功能的薄膜晶体管,当任一像素点对应的薄膜晶体管切换为关闭状态时,在驱动电路中添加一反向驱动的激励源信号;当所述激励源信号被激发时,对所述像素点施加一反向驱动信号,以消除限制在所述像素点中的电荷;通过施加所述反向驱动信号改变了缺陷势阱的势垒,消除了限制和聚集于势阱中的电荷,减小了限制电荷的密度,从而延长了主动式驱动量子点显示面板的使用寿命并提高了其显示亮度。
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申请号:201710464477.9 公开号:CN109148698A 主分类号:H01L51/50(2006.01)I
申请人:TCL集团股份有限公司 申请日:2017.06.19 公开日:2019.01.04
摘要:本发明公开量子点与载体交联的混合薄膜及制备方法与QLED器件,方法包括步骤:将量子点与载体混合于溶剂中,得到混合液;通过溶液法将混合液制成含量子点与载体的混合薄膜;在混合薄膜完全干燥前,进行抽真空处理;在抽真空过程中进行HHIC处理,使得量子点与载体之间发生交联,得到量子点与载体交联的混合薄膜;其中,所述载体为聚合物和小分子中的一种或两种。本发明在溶液成膜过程中,进行抽真空处理(为常规的慢速抽真空)。在抽真空过程中,薄膜完全干燥前,进行HHIC交联处理,固定溶质的相对位置。增加相分离所需要的能量,可以制备均匀的薄膜,减小抽速的要求,有效避免了传统加热交联方法使混合薄膜出现分布不均的问题。
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申请号:201710464478.3 公开号:CN109148699A 主分类号:H01L51/50(2006.01)I
申请人:TCL集团股份有限公司 申请日:2017.06.19 公开日:2019.01.04
摘要:本发明公开量子点与聚合物交联的混合薄膜及制备方法与QLED,方法包括步骤:将量子点与带有至少两个官能团的单体混合于溶剂中,得到混合液;通过溶液法将混合液制成含量子点与带有至少两个官能团的单体的混合薄膜;通过HHIC技术对混合薄膜进行交联处理,使得带有至少两个官能团的单体之间发生交联形成聚合物,形成的聚合物与量子点之间发生交联从而得到量子点与聚合物交联的混合薄膜。本发明利用HHIC方法,避免了杂质的产生,从而提高量子点与聚合物交联的混合薄膜的纯度。
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申请号:201710464619.1 公开号:CN109148649A 主分类号:H01L33/00(2010.01)I
申请人:TCL集团股份有限公司 申请日:2017.06.19 公开日:2019.01.04
摘要:本发明公开一种量子点发光二极管器件及其制备方法,其中,方法包括步骤:通过H等离子对沉积在阳极基板上的第一功能层进行处理,使所述第一功能层中的溶质成分发生交联;之后在交联后的第一功能层中依次沉积量子点发光层、第二功能层和阴极层,并分别对所述量子点发光层和第二功能层进行交联处理,从而制备出量子点发光二极管;本发明提供的量子点发光二极管器件的制备方法不需要考虑功能层和量子点发光层之间溶剂的正交性问题,极大地扩展了QLED等光电器件的材料选择和工艺过程;并且本发明方法不会改变交联基团的性质,也不会产生副产物,极大地提高了QLED器件的稳定性和使用寿命以及发光效率。
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申请号:201710464627.6 公开号:CN109148700A 主分类号:H01L51/50(2006.01)I
申请人:TCL集团股份有限公司 申请日:2017.06.19 公开日:2019.01.04
摘要:本发明公开了量子点与无机纳米粒子交联的薄膜及其制备方法、应用,所述制备方法包括步骤:将量子点与表面含有机配体的无机纳米粒子混合于溶剂中,得到混合液;通过溶液法将混合液制成混合薄膜;通过HHIC技术对混合薄膜进行交联处理,使得量子点与无机纳米粒子之间发生交联,得到量子点与无机纳米粒子交联的混合薄膜。本发明利用HHIC技术使得混合薄膜中独立的量子点与无机纳米粒子交联在一起,不会改变非交联基团的性质,且不会产生副产物。此外,HHIC方法相比于其他方法不会影响或较小影响量子点的性质,经过HHIC方法交联的薄膜在稳定性上优于传统加热交联的薄膜。
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申请号:201710465119.X 公开号:CN109148731A 主分类号:H01L51/56(2006.01)I
申请人:TCL集团股份有限公司 申请日:2017.06.19 公开日:2019.01.04
摘要:本发明公开量子点与碳纳米材料交联的薄膜及制备方法与QLED,方法包括步骤:将量子点与导电碳纳米材料混合于溶剂中,得到混合液;通过溶液法将混合液制成含量子点与导电碳纳米材料的混合薄膜;通过HHIC技术对含量子点与导电碳纳米材料的混合薄膜进行交联处理,使得量子点与导电碳纳米材料之间发生交联,得到量子点与导电碳纳米材料交联的混合薄膜。本发明利用HHIC技术对包含量子点与导电碳纳米材料的混合薄膜进行交联处理,使得混合薄膜中独立的量子点与导电碳纳米材料交联在一起,得到量子点与导电碳纳米材料交联的混合薄膜。利用HHIC技术,不会改变非交联基团的性质,且不会产生副产物。
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申请号:201710465120.2 公开号:CN109148701A 主分类号:H01L51/50(2006.01)I
申请人:TCL集团股份有限公司 申请日:2017.06.19 公开日:2019.01.04
摘要:本发明公开量子点与载体交联的混合薄膜及制备方法与QLED器件,方法包括步骤:将量子点与载体混合于溶剂中,得到混合液;通过溶液法将混合液制成含量子点与载体的混合薄膜;通过HHIC技术对含量子点与载体的混合薄膜进行交联处理,使得量子点与载体之间发生交联,得到量子点与载体交联的混合薄膜。本发明利用HHIC技术可使独立的量子点与载体交联在一起,得到量子点与载体交联的混合薄膜。另外,本发明HHIC交联方法不需要交联基团,可以大大减少交联基团对量子点的淬灭,提高量子点的发光效率。此外,由于HHIC交联过程中产生大量的自由基,自由基可以迁移到杂质上,钝化杂质对量子点的淬灭,从而进一步提高量子点的发光效率。
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申请号:201710465142.9 公开号:CN109148702A 主分类号:H01L51/50(2006.01)I
申请人:TCL集团股份有限公司 申请日:2017.06.19 公开日:2019.01.04
摘要:本发明公开量子点与载体交联的混合薄膜及制备方法与QLED器件,方法包括步骤:将量子点与载体混合于溶剂中,得到混合液;通过溶液法将混合液制成含量子点与载体的混合薄膜;将所述含量子点与载体的混合薄膜放入HHIC反应器中,通入H2和不饱和气体,使得量子点与载体之间发生交联,得到量子点与载体交联的混合薄膜。本发明利用HHIC技术使得混合薄膜中量子点与载体交联在一起,得到量子点与载体交联的混合薄膜。利用HHIC技术,本发明量子点与载体通过碳链连接在一起,利于电荷更通过碳链进行传输,提高了电荷传输能力。同时通入不饱和气体,不饱和气体含有不饱和键,交联后,形成不定域的π键,可以导电,从而提高薄膜的光电性能。
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申请号:201710465143.3 公开号:CN109148703A 主分类号:H01L51/50(2006.01)I
申请人:TCL集团股份有限公司 申请日:2017.06.19 公开日:2019.01.04
摘要:本发明公开无机物包裹量子点的混合薄膜及制备方法与QLED,包括步骤:配制含无机物前驱体和量子点的混合液;通过溶液法将混合液制成混合薄膜;通过HHIC技术对混合薄膜进行交联处理,得到无机物包裹量子点的混合薄膜。本发明利用HHIC技术,通过溶液法即可制成无机物和量子点交联的混合薄膜,形成无机物包裹量子点的结构。本发明还可在无机物前驱体和量子点的体系中加入有机物,然后通过溶液法制成含无机物前驱体、有机物和量子点的混合薄膜,最后通过HHIC技术,使得形成的无机物、有机物和量子点交联在一起,形成无机物和有机物包裹量子点的结构。
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申请号:201710465231.3 公开号:CN109148732A 主分类号:H01L51/56(2006.01)I
申请人:TCL集团股份有限公司 申请日:2017.06.19 公开日:2019.01.04
摘要:本发明公开一种基于金属粒子与有机小分子交联的器件封装方法,通过预先将有机小分子掺杂到器件金属电极表面,之后将所述金属电极放入HHIC反应器中并通入H2,所述H2电离后形成H等离子,通过所述H等离子使金属电极上的金属粒子与有机小分子发生交联,在所述金属电极表面形成一层封装薄膜层;通过本发明方法可以极大地提高封装薄膜的致密性,减小封装薄膜内部的空隙和水氧通过途径,提升封装薄膜的水氧阻隔效果,从而达到保护器件的目的,延长器件的使用寿命。
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