摘要：本申请公开了一种相变超晶格材料及其相变存储器单元，所述相变超晶格材料包含半导体材料层与半金属材料层，所述半导体材料层为(AxTe1‑x)y(Sb0.4Te0.6)1‑y，所述半金属材料层AxTe1‑x，其中所述A为钪Sc、钇Y、锰Mn、锌Zn、镉Cd、汞Hg中的一种，x为0.4至0.7，y为0至0.6。本申请基于半导体材料层制备的相变存储器单元具有较高的相变速度，可以提高写操作速度；且基于半导体材料层与半金属材料层制备的相变存储器单元具有较好的逻辑值区分特性，有效提升基于半导体材料层与半金属材料层制备的相变存储器单元的可用性。

摘要：含有含氟聚合物的多层膜，其具有改进的层间附着力。更具体地，多层膜包含经由含有聚(酯-氨基甲酸酯)共聚物的中间粘合层附着于热塑性聚合物层的含氟聚合物层，以及由该多层膜制备的制品，和被该多层膜包覆的产品。所述膜适合于包覆场致发光灯的敏感性发光组件。

摘要：本发明公开了一种自驱动电致发光的液体传感系统及其制备方法，所述传感系统包括基底和基底上的电极层，电极层上还设置有电致发光层和摩擦起电层；电致发光层和摩擦起电层分别位于电极层的不同侧；电致发光层浸没于极性液体中，液面波动时，极性液体在摩擦起电层表面波动产生交流电压输出驱动电致发光层发光。本发明将电致发光层和摩擦起电层设置在电极层平面上，使用时将电致发光层浸没于极性液体中，极性液体液面位于摩擦起电层上；液面波动时，极性液体在所述摩擦起电层表面波动产生交流电压输出驱动所述电致发光层发光；本发明的自驱动电致发光的液体传感系统集成度高，结构精简，便携性好，具有广阔的应用前景。

摘要：本发明属于催奶技术领域，具体为一种手动挤奶辅助器，包括环套，所述环套的左右两侧面均固定连接有固定座，且两个所述固定座相互远离的一侧均固定连接有弹力带，且两个所述弹力带的自由端均固定连接有指套，所述环套的内侧呈环形阵列开设有多个滑槽，且每个所述滑槽内都设置有一个与之相配的滚珠，且所述环套的内侧位于所述滚珠后侧的位置固定连接有棉圈；本发明，通过环套贴合在乳房上将乳头套住，将指套套在拇指和食指上，结合传统的挤奶手法，能够帮助哺乳期的母亲实现360度挤奶，方便实用，且指套能避免手指接触到乳汁，减小了病菌感染乳汁的风险。

摘要：本发明公开了一种显示器亮度调节方法，包括：从摄像装置获取的数字图像信息中提取环境亮度数据；根据预先设置的环境亮度与显示器亮度的对应关系，判断当前的显示器亮度是否与调整后的环境亮度数据相对应，如果不对应则将显示器亮度调节为与所述环境亮度数据相对应的显示器亮度。本发明还公开了一种显示器亮度调节装置以及一种计算机。能够根据环境光线条件的变化及时有效地对显示器亮度进行调节。

摘要：多个实施例涉及使用具有预定第一形态的去耦层来构建的磁传感器。磁性自由层可被沉积为接触地邻近于去耦层，磁性自由层被配置为具有预定第二形态的至少第一子层。

摘要：本发明涉及一种基于随机进程代数的并发系统死锁检测方法，属于计算机应用技术领域。现有并发系统死锁检测技术都受状态空间爆炸问题的影响而效果不佳。本发明所述的方法主要是基于并发系统的逻辑架构和由它所决定的状态空间的结构特性来进行死锁检测，这种检测方法的复杂度基本不随系统中相同类型进程的数目的增加而增大。因而采用本发明所述的方法，能够有效地缓解一些大型并发系统死锁检测的状态空间爆炸问题。

摘要：本发明属于电化学合成技术领域，涉及一种四烷基氢氧化铵的制备方法，采用三膜四隔室电渗析装置，以四烷基铵盐为原料制备四烷基氢氧化铵，先将四烷基铵盐水溶液、纯水、阳极液和酸液分别加入盐室、阴极室、阳极室和酸室中，打开电源，四烷基铵根阳离子透过第一阳离子膜进入阳极室，阴离子透过阴离子膜进入酸室；阳极液电解生成O₂和阳离子H⁺，H⁺进入酸室后与从盐室出来的阴离子结合成酸液；水分子在阴极板处进行电解，生成H₂和阴离子OH^－，阴离子OH^－与四烷基铵根阳离子结合形成四烷基氢氧化铵溶液；其工艺简单，操作方便，原理科学，成本低，环境友好，易于大规模工业化生产。

摘要：本发明提供一种相变材料层、相变存储器单元及其制备方法，所述相变材料层包括Ti

摘要：本发明提供一种用于相变存储器的相变材料及其制备方法，用于相变存储器的相变材料的化学通式为Sc_100-x-y-zGe_xSb_yTe_z，其中，0≤x≤60，0≤y≤90，0＜z≤65，0＜100-x-y-z＜100。本发明的可用于相变存储的相变材料，具有反复相变的能力；Sc_100-x-y-zGe_xSb_yTe_z具有高阻和低阻两种不同阻值的状态，且高阻值态与低阻值态之间可以通过施加脉冲电信号实现可逆转换，满足相变存储器存储材料的基本要求，是一种新型的存储材料；材料的热稳定性、相变速度以及疲劳循环特性得到了提高；可采用脉冲电压或脉冲激光驱动相变材料在不同的结构状态之间发生可逆转变，同时使相变材料的性能发生可逆变化，从而实现相变存储器的信息存储。