摘要：本发明公开了一种车辆用混合动力系统，包括发动机、行星齿轮机构、发电机、逆变系统、电池、电动机，所述行星齿轮机构置于发动机和发电机之间，所述发动机的输出端可以连接所述行星齿轮机构的行星架，此时所述行星齿轮机构的齿圈上设置有用于车辆的动力输出接口；所述发动机的输出端也可以连接所述行星齿轮机构的齿圈，此时所述行星齿轮机构的行星架上设置有用于车辆的动力输出接口；所述行星齿轮机构的太阳轮连接所述发电机，所述发电机经逆变系统连接所述电池，所述电池经逆变系统连接所述电动机，所述电动机设置有另外的用于车辆的动力输出接口。本发明实现了车辆的多轴驱动，结构简单，安装方便，成本低。

摘要：一种基于炉内燃烧处理煤化工含盐污水的方法，属于污水处理技术领域。该方法是将含盐污水首先通过浓缩设备处理，形成含盐浓度至少为5％的含盐污水，将浓缩后的含盐污水喷入炉膛进行掺烧，并综合考虑了沾污结渣、高温氯腐蚀，计算出不同浓度含盐污水最大喷入量，在高温燃烧环境中有效处理掉含盐污水中的各类有机物以及大量无机盐，从而解决含盐污水的规模化处理问题。本发明在保证锅炉的安全经济运行且锅炉热效率下降可接受的情况下，极大的降低了煤化工污水处理成本，适用于高碱金属含量的煤化工污水的处理。

摘要：一种基于炉内燃烧处理煤化工含盐污水的方法，属于污水处理技术领域。该方法是将含盐污水首先通过结晶设备处理，形成结晶物，将结晶物加入锅炉中进行掺烧，并综合考虑了沾污结渣、高温氯腐蚀，由结晶物中碱金属盐占原含盐污水的质量分数计算出不同浓度含盐污水中最大处理量，在高温燃烧环境中有效处理掉含盐污水结晶物中的各类有机物以及大量无机盐，从而解决含盐污水的规模化处理问题。本发明在保证锅炉的安全经济运行且锅炉热效率下降可接受的情况下，极大的降低了煤化工污水处理成本，适用于高碱金属含量的煤化工污水的处理。

摘要：本发明提供一种台尾机构的伺服驱动、运动控制方法、系统、终端及数控机床，运动控制终端根据伺服电机的输出力矩信息确定台尾机构伺服终端的工作模式为转速模式或力矩模式，并根据所述工作模式发送对应的控制指令至所述台尾机构伺服终端，以供所述台尾机构伺服终端根据所述控制指令控制伺服电机执行对应的操作，从而实现台尾机构的进给、预紧和回退动作。本发明的台尾机构的伺服驱动、运动控制方法、系统、终端及数控机床能够在台尾顶紧过程中实时调整顶紧力和台尾移动速度，从而保证了工件的生产质量，提升了工件的生产效率。

摘要：本发明涉及一种磁共振扫描仪的图像采集方法、装置、设备和介质。其中，该方法包括：实时采集生命体征数据；对所述生命体征数据进行预处理；将预处理后的所述生命体征数据输入到训练完备的循环神经网络；获取所述训练完备的循环神经网络输出的预测生命体征数据，其中，所述预测生命体征数据是由所述训练完备的循环神经网络根据所述生命体征数据预测的未来预设时间段内的生命体征数据；根据所述预测生命体征数据，控制磁共振扫描仪进行图像采集。通过本发明，解决了相关技术中门控采集技术容易因门控误触发或漏触发而导致门控触发采集的图像质量变差的问题，提高了采集的图像质量。

摘要：本发明公开了一种基于3R相的二硫化钨场效应晶体管及其制备方法，属于半导体器件技术领域。器件包括：硅衬底、设置在所述硅衬底上的栅介质、设置在所述栅介质上的3R相双层二硫化钨沟道材料及设置在所述3R相双层二硫化钨沟道材料表面的源漏电极。同时还提出了一种基于3R相的二硫化钨场效应晶体管制备方法。本发明制备的基于3R相的二硫化钨场效应晶体管能够提升场效应晶体管的电学性能，有利于未来过渡金属硫属族化合物的大规模器件集成。

摘要：本发明公开了一种基于3R相的p型二硒化钨场效应晶体管及其制备方法，属于半导体器件技术领域。器件包括：p型掺杂硅衬底、设置在所述p型掺杂硅衬底上的二氧化硅栅介质、设置在所述二氧化硅栅介质上的3R相双层二硒化钨沟道材料及设置在所述3R相双层二硒化钨沟道材料表面的源漏电极。同时还提出了一种基于3R相的p型二硒化钨场效应晶体管制备方法。本发明制备的基于3R相的p型二硒化钨场效应晶体管能够提升场效应晶体管的电学性能，有利于未来过渡金属硫属族化合物的大规模器件集成。

摘要：本发明公开了一种高热导率二维半导体场效应晶体管的制作方法及晶体管，包括：S1、在衬底上生成预设厚度的氧化铍薄膜作为栅介质；S2、在氧化铍薄膜上转移沟道材料，依次在沟道材料上进行电子束曝光、隔离区刻蚀和金属沉积制备电极，得到基于氧化铍衬底的二维半导体场效应晶体管。解决了传统散热办法无法满足二维半导体器件的散热需求，自热效应增加使得器件性能降低，以及需要输入更多功率从而造成能源浪费的技术问题，实现了提高热传输能力，减少热量累积，降低器件工作时的温度，提高器件稳定性的有益效果。

摘要：本发明公开了一种在硅基绝缘层上生长大面积高性能空穴导电二硒化钨单晶的方法。该方法是利用熔融盐与钨源反应生成更低熔点更高蒸气压的中间产物，使得硅基底上的氧化硅或高介电常数绝缘层上更易基于化学气相沉积的原理生长二硒化钨单晶，同时通过改变衬底放置方式实现二硒化钨的大面积生长。本发明方法能够有效控制大面积多层二硒化钨单晶的生长，得到硅基兼容的高迁移率的空穴导电二维材料，且操作简单，无需转移，材料质量更高。

摘要：本发明公开了一种基于二维沟道的堆叠纳米片器件及其制备方法，属于半导体器件领域。所述基于二维沟道的堆叠纳米片器件由两层或更多层以二维纳米片为沟道的全环栅场效应晶体管堆叠组成，其制备方法包括：在衬底上选择性刻蚀凹槽并填充底部牺牲层；在底部牺牲层两侧制备源漏电极；沿源漏电极在牺牲层上外延二维纳米片；在二维纳米上沉积新的牺牲层；重复制备二维纳米片和沉积牺牲层；刻蚀去除牺牲层，在二维纳米片周围沉积栅介质层，并在栅介质层中间填充栅极。本发明通过垂直堆叠结构提高了器件性能和器件密度，原位制备二维纳米片沟道还简化了工艺流程，为二维半导体器件在后摩尔集成电路工艺中的应用提供了一种实施方案。