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吴秀海
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外观设计:
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1:
[发明]
一种耐磨PVC保温板及其制备方法
申请号:
202110401848.5
公开号:CN113136078A 主分类号:C08L27/06
申请人:
吴海秀
申请日:2021.04.14 公开日:2021.07.20
发明人:
吴海秀
摘要:本发明公开了一种耐磨PVC保温板及其制备方法,涉及新材料技术领域。本发明先用碳酸钙对纳米二氧化硅进行包覆,并用多巴胺盐酸盐进行处理,制得改性碳酸钙,然后用间苯三酚和1,6‑二溴己烷对木质素磺酸钠进行处理,制得改性磺化木质素,随后,将改性磺化木质素包覆于金属微球表面,并再用改性碳酸钙进行包覆,制得改性金属微球,将改性金属微球外侧用混合聚乳酸包覆后,再用戊二醛和乙二胺四乙酸二钠处理,制得耐磨填料,最后将耐磨填料与聚氯乙烯树脂、三氧化二锑和交联剂捏合,并注模,热压成型,制得耐磨PVC保温板。本发明制备得到耐磨PVC保温板具有优异的耐磨性能和保温性能。
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2:
[发明]
一种机器人加工用板材表面精磨装置
申请号:
202310471115.8
公开号:CN116494045A 主分类号:B24B7/07
申请人:
吴海秀
申请日:2023.04.27 公开日:2023.07.28
发明人:
吴海秀
摘要:本发明涉及机器人加工设备技术领域,且公开了一种机器人加工用板材表面精磨装置,包括底座,所述底座内顶部设置有驱动机构,所述底座顶部左右两侧设置有升降机构,所述升降机构内侧设置有打磨设备,所述升降机构外侧内设置有定位机构,所述驱动机构包括驱动组件、第一传动组件和第二传动组件,所述驱动组件设置于底座内顶部,所述第一传动组件设置于驱动组件左右两侧。该机器人加工用板材表面精磨装置,通过设置的驱动机构,工作人员只需启动双轴电机即可带动位于底座顶部四角内的第二转动轴同步进行旋转,使位于底座上方四角的第一螺纹杆同步旋转带动打磨设备向上或向下进行移动,操作简单便于工作人员使用。
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3:
[发明]
豌豆细菌性萎蔫病菌实时荧光PCR快速检测方法
申请号:
200610042235.2
公开号:CN1844895 主分类号:G01N21/64(2006.01)I
申请人:
邵秀玲
申请日:2006.02.05 公开日:2006.10.11
发明人:
邵秀玲
;
吴兴海
摘要:本发明公开了一种豌豆细菌性萎蔫病菌实时荧光PCR快速检测方法,其检测步骤为:1.材料:豌豆细菌性萎蔫病菌;2.试剂:DNA聚合酶,基因克隆载体;3.豌豆细菌性萎蔫病菌DNA的提取;4.引物设计与合成。5.实时荧光PCR检测反应:6.实时荧光PCR检测的特异性;7.实时荧光PCR检测的灵敏度;8.检测结果:PCR产物的克隆及鉴定。本发明能够实时快速检测豌豆细菌性萎蔫病菌,准确性高、灵敏度高,时间短,不易出现漏检,避免了疫性的逃逸和扩散。并无需对PCR产物进行其无害化处理,可以有效地解决溴化乙锭的环境污染问题等。
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4:
[发明]
根癌土壤杆菌实时荧光PCR快速检测方法
申请号:
200610042236.7
公开号:CN1844896 主分类号:G01N21/64(2006.01)I
申请人:
吴兴海
申请日:2006.02.05 公开日:2006.10.11
发明人:
吴兴海
;
邵秀玲
摘要:本发明公开了一种根癌土壤杆菌实时荧光PCR快速检测方法,其检测步骤如下:1.材料:采用根癌土壤杆菌菌株;2.试剂:DNA聚合酶,基因克隆载体;3.对细菌DNA及植物肿瘤组织的DNA的提取;4.引物设计与合成;5.实时荧光PCR检测反应;6.实时荧光PCR检测的特异性;7.阳性植物材料的实时荧光PCR检测;8.实时荧光PCR检测的灵敏度;9.检测结果。本发明能够快速、敏感、准确地检测进境种苗中的根癌土壤杆菌,建立了一种可应用于日常检测的方法,有效地避免了假阳性和假阴性。本发明所述的荧光PCR技术操作步骤简单,具有自动化程度高、检测快速、灵敏度高的特点,另外整个过程闭管操作,减少了体系污染的可能,降低了检测结果的假阳性几率等。
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5:
[发明]
一种MOS型功率器件及其制造方法
申请号:
201010190265.4
公开号:CN102263127A 主分类号:H01L29/739(2006.01)I
申请人:
比亚迪股份有限公司
申请日:2010.05.29 公开日:2011.11.30
发明人:
肖秀光
;
吴海平
摘要:一种MOS型功率器件包括:P型集电区;N型漂移区,位于P型集电区上;P阱,在漂移区上选择性地形成,与N型漂移区的导电类型相反;N型源区在P阱的表面区域选择性地形成;第一绝缘层位于N型漂移区上并部分地覆盖P阱;门极位于第一绝缘层上;第二绝缘层覆盖门极并部分覆盖N型源区;发射极电极覆盖第二绝缘层并部分电连接P阱和N型源区;集电极电极位于P型集电区背面并电连接P型集电区;其中P阱体内具有一导电杂质浓度峰值区域,其杂质浓度从浓度峰值区域到P阱的边缘呈递减趋势,P阱的结弯曲中心在体内;以及MOS型功率器件的制造方法。这样体内的电阻率降低的同时满足了表面沟道长度的要求,使得体电阻减小,从而减小了闩锁效应。
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6:
[发明]
一种利用边角料板生产细木工板的生产工艺
申请号:
201310516741.0
公开号:CN103600404A 主分类号:B27N3/08(2006.01)I
申请人:
黄山市永锦工艺品有限公司
申请日:2013.10.28 公开日:2014.02.26
发明人:
孙海峰
;
吴秀惠
摘要:本发明公开一种利用边角料板生产细木工板的生产工艺,包括如下过程:将原木旋切时产生的边角料板,进行去皮处理;再在变薄机器上进行变薄处理;再在边角料处理机的组坯台上根据细木工板产品的要求进行组坯,组坯过程中,对所述边角料板的侧面进行施胶;将施胶组坯后的边角料板设置蒸汽汽压为1-1.5Pa,温度为130-145℃的条件下,在边角处理机高温蒸汽液压台上进行高温蒸汽烘干和液压处理,处理时间为20分钟;将经高温蒸汽液压处理过的坯板自然冷却后,进行定厚砂光处理,再进行精细砂光处理得成品。本发明提供一种利用废弃的原木旋切边角料板加工制作细木工板的生产工艺,胶合成型的细木工板纹理丰富、韧性强可直接用于加工地板、家具。
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7:
[发明]
一种指接细木工板的生产工艺
申请号:
201310517902.8
公开号:CN103600382A 主分类号:B27D1/08(2006.01)I
申请人:
黄山市永锦工艺品有限公司
申请日:2013.10.28 公开日:2014.02.26
发明人:
孙海峰
;
吴秀惠
摘要:本发明公开一种指接细木工板的生产工艺,包括如下过程:锯截分段:将原木按照实际可用性锯截分成若干木段;旋切:将木段旋切成预定厚度的原木旋切单板;变薄:在变薄机器上进行变薄处理;剖片:将原木旋切单板经剖片机剖切成预定宽度的板条;干燥:将剪切的板条直竖间隔错位垒堆,放进蒸汽干燥窑中进行干燥;陈放,将干燥后的板条陈放2-3天;制榫:对板条的两端制榫,两端的榫分别为公榫和母榫;将板条进行拼接、涂胶、组坯成板坯;将板坯经热压、厚砂、精砂和裁边处理得细木工板成品。本发明提供一种指接细木工板的生产工艺,板条通过榫合、胶合和热压的方法生产成细木工板,增强了木工板纵向胶合强度高和横向静曲强度高。
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8:
[发明]
一种高强韧性双金属锯条及其制造工艺
申请号:
201611038437.X
公开号:CN106424941A 主分类号:B23D61/12(2006.01)I
申请人:
江苏爱利德科技有限公司
申请日:2016.11.23 公开日:2017.02.22
发明人:
汪海滨
;
吴秀萍
摘要:本发明公开了一种高强韧性双金属锯条,包括钢带和均匀焊接在钢带上的齿部;所述齿部由以下按照重量百分比的原料制成:C 1.3‑1.6%、Cr 6‑7%、Si 0.7‑1.0%、Mo 2‑2.5%、W 5.5‑6.0%、V 2.3‑2.7%、Co 1‑2%、Nb 0.5‑1.0%、Mn 1.2‑1.8%、Ti 0.4‑0.8%、B 0.2‑0.5%,余量为Fe。本发明还公开了所述高强韧性双金属锯条的制造工艺。本发明制备的双金属锯条,通过合理配置齿部材料,能够获得韧性优异的齿部材料,从而提高该双金属锯条的性能,能够满足市场的需求。
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9:
[发明]
半导体功率器件及其形成方法
申请号:
201610092375.4
公开号:CN107093621A 主分类号:H01L29/06(2006.01)I
申请人:
比亚迪股份有限公司
申请日:2016.02.18 公开日:2017.08.25
发明人:
肖秀光
;
吴海平
摘要:本发明公开了一种半导体功率器件,该半导体功率器件包括衬底、功能结构、导磁环体和导电环路,其中,功能结构位于衬底之上,功能结构包括有源区;导磁环体位于功能结构之上,且包围有源区;导电环路环绕于导磁环体上。该半导体功率器件,基于电磁感应原理,过流检测精度提高。本发明还提出一种半导体功率器件的形成方法。
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10:
[发明]
MOS型功率器件及其制造方法
申请号:
201610624767.0
公开号:CN107680933A 主分类号:H01L21/768(2006.01)I
申请人:
比亚迪股份有限公司
申请日:2016.08.02 公开日:2018.02.09
发明人:
吴海平
;
肖秀光
摘要:本发明公开了一种MOS型功率器件及其制造方法。所述方法包括:在衬底上方依次生成第一绝缘介质层、第一半导体层、第二绝缘介质层、以及第二半导体层,形成第一多层结构;在第一多层结构上进行蚀刻,直至露出第一绝缘介质层的部分区域,形成第二多层结构;向衬底中注入杂质,使得在衬底中形成阱区和源区,得到第三多层结构;在第三多层结构的上方沉积第三绝缘介质层,形成第四多层结构;通过自对准的方式对第四多层结构进行蚀刻,形成连接孔,形成第五多层结构;在第五多层结构的上方沉积金属层,形成发射极。这样,避免了出现偏移,保证了MOS型功率器件性能参数的一致性和稳定性。
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