Patent9 专利在线
高级搜索 ▼
申请号或专利号
公开号
专利名称
专利摘要
申请人
发明人
全部专利
发明专利
实用新型专利
外观设计专利
高级搜索 - 多字段组合检索
+ 增加条件
查询语句:
(请输入搜索条件)
普通搜索
当前查询到
369
条专利与查询词 "
曾超珍
"相关,搜索用时0.2655703秒!
排序方式:
按相关度排序
按申请日升序↑
按申请日降序↓
按公开日升序↑
按公开日降序↓
发明专利:
202
实用新型:
161
外观设计:
6
共
202
条,当前第
1-10
条
下一页
最后一页
返回搜索页
1:
[发明]
一种拮抗菌筛选方法
申请号:
201810884388.4
公开号:CN108949895A 主分类号:C12Q1/04(2006.01)I
申请人:
中南林业科技大学
申请日:2018.08.06 公开日:2018.12.07
发明人:
曾超珍
;
刘志祥
摘要:本发明涉及一种拮抗菌株筛选方法,所述方法包括以下步骤:制备待筛选的样品液,将其涂布接种至平板1的表面并加以培养;通过复印接种法将所述平板1表面生长的菌落转接种至已接种靶标微生物的平板2的表面,继续培养;挑选平板2表面靶标微生物生长受抑制区域生长的菌落,即为所述靶标微生物的拮抗菌株。本发明所述方法无需事先分离单菌株,节约时间,简单高效,直接从样品中筛选拮抗菌,不易遗漏样品中微生物。可精确控制条件,避免了接种不均匀、接种量难以精确控制、易导致设备污染等问题。
详细信息
下载全文
2:
[发明]
一种基于真空蒸发的污水处理装置
申请号:
202511375970.4
公开号:CN120964919A 主分类号:C02F1/04
申请人:
广东赛威赢环境技术工程有限公司
申请日:2025.09.25 公开日:2025.11.18
发明人:
曾清
;
黄超
;
李美珍
摘要:本发明涉及污水处理技术领域,具体为一种基于真空蒸发的污水处理装置,包括蒸发箱、供水泵、压缩泵、净水箱、蓄水箱、抽水管、排水头、导流板、传动箱、控制台、循环机构、调节机构、调控机构。本发明通过循环机构使得污水可以回收利用压缩纯净水的热量,便于导流板上流动的污水进行高效蒸发,通过调节机构使得部分装置可以依据依据污水浓度来调节液幕的流动面积,从而调节流动液幕的蒸发时间,通过调控机构使得部分装置可以依据污水浓度来调节出水液幕的厚度,便于将循环的污水浓缩至预定浓度,提升了装置的高效性、调节性和调控性。
详细信息
下载全文
3:
[发明]
多功能除锈清洗剂及其制备方法
申请号:
201811231859.8
公开号:CN109536969A 主分类号:C23G1/08(2006.01)I
申请人:
新疆水处理工程技术研究中心有限公司
申请日:2018.10.22 公开日:2019.03.29
发明人:
周爱珍
;
曾凡付
;
周林超
摘要:一种多功能除锈剂,按重量份包括:柠檬酸16‑20份、草酸10‑15份、JFC‑1快捷渗透剂8‑13份、壬基酚聚氧乙烯醚TX‑10 3‑5份、盐酸羟胺4‑6份、氯化亚锡0.8‑1.2份、自来水45‑51份;所述除锈剂的制作方法为:先加入自来水于搅拌容器中,开始搅拌,将柠檬酸、草酸、依次加入搅拌器中,在常温常压下,搅拌速度75r/min,搅拌时间10min至溶液溶解透亮,再加入氯化亚锡、盐酸羟胺原料搅拌溶解,再加壬基酚聚氧乙烯醚TX‑10、FC‑1,搅拌1h至溶液呈均匀清亮液体即得。本发明所述多功能除锈剂,用固体配成液体喷洒在铁锈表面,使其能够长时间停留,有充分的化学反应时间,通过还原、络合、螯合、快速渗透以及表面活性剂乳化的协同配伍,除锈速度快,使用效率高,且原材料易于获取,经济实惠。
详细信息
下载全文
4:
[发明]
一种梳齿间距可调的相干梳状光谱产生装置及产生方法和应用
申请号:
202410573961.5
公开号:CN118472775A 主分类号:H01S3/1118
申请人:
西北工业大学
申请日:2024.05.10 公开日:2024.08.09
发明人:
杜岳卿
;
张珍珠
;
毛东
;
曾超
摘要:本发明公开了一种梳齿间距可调的相干梳状光谱产生装置及产生方法和应用,属于光通信技术领域。相干梳状光谱产生装置包括泵浦源,还包括依次连接形成环形谐振腔的光学集成模块、高掺杂增益光纤、偏振控制器,第一偏振分束器、偏振合束器和可饱和吸收体,第一偏振分束器将信号光分成两路,一路通过延迟线连接后再与偏振合束器连接,另一路直接通过保偏光纤与偏振合束器连接;泵浦源和可饱和吸收体均与光学集成模块;光学集成模块的输出端连接有第二偏振分束器。本发明中通过调节延迟线的相对延时量即可调节光频梳的梳齿间距,这种产生光频梳的激光器结构简单,原理新颖,梳齿间距在百皮米至数纳米范围连续调谐,受到环境干扰的因素小。
详细信息
下载全文
5:
[发明]
一种收集指甲的一体式指甲剪
申请号:
202310386890.3
公开号:CN116369654A 主分类号:A45D29/02
申请人:
广州大学
申请日:2023.04.11 公开日:2023.07.04
发明人:
桂珍珍
;
曾灏
;
郭超文
;
邵志杰
;
曾耀华
;
周晓思
摘要:本发明提供了一种收集指甲的一体式指甲剪,属于指甲剪技术领域。其包括上钳片、下钳片和按压片,上钳片和下钳片的尾部固定连接,销钉穿过下钳片和上钳片的前端,并与按压片可拆卸连接,通过按压和松开按压片,可使上钳片的钳刃和下钳片的钳刃咬合和分离,上钳片和下钳片的前端两侧处分别安装有集料罩,两侧的集料罩通过横轴相连接,集料罩的底部分别设置有可相对其转动打开的集料盒。本发明通过集料罩可以阻挡飞溅的指甲屑,且指甲屑可沿着集料罩的内侧落入集料盒内,当使用指甲剪修剪指甲时,集料盒处于闭合状态,防止指甲屑流出,当修剪完毕,可将集料盒相对集料罩转动打开,从而将指甲屑倾倒到垃圾桶内。
详细信息
下载全文
6:
[发明]
大电流电池及大电流电池的过流保护方法
申请号:
202510996873.0
公开号:CN120710179A 主分类号:H02J7/00
申请人:
深圳市睿能技术服务有限公司
申请日:2025.07.18 公开日:2025.09.26
发明人:
韩金奎
;
张超超
;
胡泽龙
;
曾玉珍
;
胡京琳
摘要:本发明涉及一种大电流电池及大电流电池的过流保护方法,所述大电流电池包括:电池组,用于输出电流;检测电路,第一端与所述电池组相连,用于检测所述电池组的输出电流;控制电路,第一端与所述检测电路的第三端相连,用于在所述检测电路检测到所述电池组的输出电流大于等于预设阈值时,输出关断信号;保护电路,第一端与所述检测电路的第二端相连,第二端与所述控制电路的第二端相连,第三端与所述控制电路的第三端相连,第四端与负极端口相连,用于在接收到所述关断信号后,关断所述电池组与所述负极端口之间的电流。本发明的大电池电流,可以在过流时进行保护,提高大电池电流的安全性能。
详细信息
下载全文
7:
[发明]
恒流式紫外诱变仪及细胞紫外诱变育种方法
申请号:
202511916519.9
公开号:CN121555315A 主分类号:C12M1/42
申请人:
中南林业科技大学
申请日:2025.12.18 公开日:2026.02.24
发明人:
彭继庆
;
薛超
;
董旭杰
;
曾超珍
摘要:本发明提供了恒流式紫外诱变仪及细胞紫外诱变育种方法,通过样品进样区存储不同操作液体并选择性与输送管路连通;恒流输送系统以恒定流速连续输送细胞液;紫外诱变区包括沿细胞液流动路径设置的诱变管道及对该诱变管道提供平行照射的紫外灯组,使流经诱变管道内的细胞液在恒定流速条件下接受可控紫外诱变剂量;取样区与诱变管道的输出端连通,收集完成紫外诱变的细胞液;其中,样品进样区与紫外诱变区之间、以及紫外诱变区与取样区之间分别设有光屏蔽隔离结构,以形成连续、密闭且独立的三段式诱变流程通道。通过恒流输送系统自动进样,实现自动化添加,减少人工操作,相比传统紫外诱变育种过程更加高效精准。
详细信息
下载全文
8:
[发明]
一种轨道防护涂层有效性的验证方法
申请号:
202411429490.7
公开号:CN119309902A 主分类号:G01N3/02
申请人:
中国兵器工业试验测试研究院
申请日:2024.10.14 公开日:2025.01.14
发明人:
闫华东
;
屈小婷
;
谢波涛
;
王波
;
朱晓
;
解珍珍
;
曾一
;
庞超
摘要:本发明公开了一种轨道防护涂层有效性的验证方法,利用二级轻气炮高压实验平台作为高速发射装置,发射滑靴材料制成的实心圆柱,使其与滑轨材料制成的试验靶体以一定角度相撞,对比试验靶体上有防护涂层和无防护涂层时的撞击结果,对防护涂层的有效性进行定性分析。本发明可为高超声速火箭橇试验轨道的涂层涂覆工作进行指导,提高试验效率,保证试验成功率。
详细信息
下载全文
9:
[发明]
一种VDMOS器件及其制作方法
申请号:
201110076188.4
公开号:CN102723363A 主分类号:H01L29/78(2006.01)I
申请人:
比亚迪股份有限公司
申请日:2011.03.29 公开日:2012.10.10
发明人:
朱超群
;
钟树理
;
任文珍
;
曾爱平
;
陈宇
摘要:本发明公开了一种VDMOS器件及其制作方法,VDMOS器件包括:第一导电类型衬底,在其背面设置有漏极;第一导电类型漂移区,设置在第一导电类型衬底上;第二导电类型阱区,其在第一导电类型漂移区的表面区域选择性的形成,与第一导电类型漂移区的导电类型相反;第一导电类型源区,设置在第二导电类型阱区内;栅极,位于第一导电类型漂移区上并部分覆盖第二导电类型阱区和第一导电类型源区;肖特基接触,设置在第一导电类型漂移区上并位于栅极区域中。形成的肖特基接触位于栅极区域内并在第一导电类型漂移区上,在不增加器件整体尺寸、不增大器件导通电阻的情况下,提高了VDMOS器件结构中包含的体二极管的恢复速度。
详细信息
下载全文
10:
[发明]
一种超级结半导体元件及其制造方法
申请号:
201010564950.9
公开号:CN102479805A 主分类号:H01L29/12(2006.01)I
申请人:
比亚迪股份有限公司
申请日:2010.11.30 公开日:2012.05.30
发明人:
朱超群
;
任文珍
;
钟树理
;
陈宇
;
曾爱平
摘要:一种超级结半导体元件,包括:第一导电类型衬底;设置于第一导电类型衬底上的至少一层第一导电类型的第一外延层,所述第一外延层中包括第二导电类型掺杂;设置于第一导电类型的第一外延层上的至少第一导电类型第二外延层;所述第二外延层包括第二导电类型掺杂;第二外延层上设置有器件特征层。以及其制造方法;也会在一定程度上减轻因为多次外延生长、离子注入和扩散而产生的晶格缺陷问题,避免了外延次数过多产生的高成本。同时,刻蚀和填充沟槽的工艺难度随着沟槽大大降低;也减轻了因沟槽深度过深造成应力及晶圆的翘曲的问题。
详细信息
下载全文
共
202
条,当前第
1-10
条
下一页
最后一页
返回搜索页