摘要：本发明披露了一种光电元件及其制造方法、背光模块装置和照明装置。该光电元件包括一半导体发光叠层，该半导体发光叠层具有一第一半导体层、一有源层与一第二半导体层，其中第一半导体层的表面具有许多凹陷；一透明导电层，形成于第一半导体层的表面，使得凹陷形成内含空气的孔；更设置一金属反射层于透明导电层之上，以形成一具有高反射率的全方向性反射层。根据本发明，增加了元件的出光效率。

摘要：本发明披露了一种光电元件。该光电元件包括一半导体发光叠层，该半导体发光叠层具有一第一半导体层、一有源层与一第二半导体层，其中第一半导体层的表面具有许多凹陷；一透明导电层，形成于第一半导体层的表面，使得凹陷形成内含空气的孔；更设置一金属反射层于透明导电层之上，以形成一具有高反射率的全方向性反射层。根据本发明，增加了元件的出光效率。

摘要：本发明涉及一种结合边缘特征和纹理特征的图像混合分割方法及设备，包括以下步骤：获取待分割的高分辨率图像，对该高分辨率图像进行K‑L变换获取对应的主成分图像；采用多尺度多方向形态学梯度算子提取所述主成分图像的边缘特征，生成第一梯度图像；提取所述主成分图像中图像对象内部的局部方差纹理特征，获得图像对象标记；将所述图像对象标记作为第一梯度图像的局部极小值，形成第二梯度图像，对该第二梯度图像进行分水岭变换获得图像分割结果。与现有技术相比，本发明具有分割精度高等优点。

摘要：本发明涉及一种图像降噪方法、装置、设备及存储介质，所述方法用于对电气设备热像图进行降噪，包括以下步骤：获得待处理的电气设备热像图；对所述电气设备热像图进行波段分解，获得多个波段子集；引入高斯噪声项和稀疏噪声项，对每个波段子集构建分层字典学习模型；采用Metropolis–Hastings算法求解所述构建分层字典学习模型，获得降噪图像。与现有技术相比，本发明具有去噪性能佳等优点。

摘要：本申请涉及生物医药领域，公开了一种诊断骨髓增殖性肿瘤向急性白血病转化的生物标志物及其应用。所述生物标志物为HMGA1，所述应用指的是HMGA1在制备用于诊断骨髓增殖性肿瘤向急性白血病转化的试剂盒中的应用。本发明发现HMGA1作为单一标志物，在预测MPN向sAML转化方面的表现优于现有临床评分系统和CD34/CD117等传统标志物，为临床提供更长的预警窗口，以便进行及时的干预治疗。

摘要：本发明涉及一种车辆控制方法、装置、车辆控制应用系统及其测试方法，该方法包括：获取多源数据信息，该多源数据信息包括用户语音数据和/或车辆环境数据、用户画像数据以及车辆当前所处的负载等级；基于预置的智能模型，根据用户语音数据和/或车辆环境数据、和负载等级构建多模态提示词，负载等级用于指示多模态提示词的长度信息，并根据多模态提示词得到车控意图，以及根据车控意图和用户画像数据生成车控信息。通过上述方法，可以有效提高车控意图识别与决策的准确性，为用户提供更具个性化的车控建议，并有效解决车载算力受限响应不及时的问题，为用户带来了更好的体验。

摘要：本发明公开了一种兼顾几何形状与空间布局的翼型参数化优化设计方法，涉及翼型设计技术领域，包括：首先在设计域中布置随机的单翼型得到大量的翼型组合形式；再进行CFD计算进行数据预处理；然后利用所获数据训练代理模型，使其对更多翼型组合的气动性能进行预测，以获得后续优化设计所需的数据库；最后在代理模型的基础上，将升力系数、阻力系数和升阻比作为优化目标，构建子优化问题的数学模型，对参数化的翼型组合进行气动优化设计。本发明突破了传统气动优化方法在设计空间上的局限性，同时兼顾几何形状和空间拓扑两个要素进行气动设计与优化，能够显著提升翼型性能。

摘要：一种自棉籽粕中提取棉籽糖的方法，其特征在于采用以下步骤：(1)提油后的棉籽粕中加入重量百分浓度为85～95％的甲醇，在室温～65℃条件下浸取30～100分钟，得到含酚和棉籽糖的甲醇萃取液；(2)得到的含酚和棉籽糖的甲醇萃取液，经80～100℃蒸馏脱除甲醇和棉酚，并浓缩，得到棉籽糖粗料；(3)对棉籽糖粗料用水和/或稀酸溶解，使得到的棉籽糖溶液pH＝2～7，溶解时控制温度在室温～80℃；(4)将得到的棉籽糖溶液进行过滤、脱色、浓缩、结晶、烘干，得精品棉籽糖。本发明的优点是棉籽糖中甲醇、棉酚去除干净，棉籽糖的收率高，经济效益十分显著。本发明容易操作，适合于大批量工业化生产。

摘要：本发明揭示集成电路芯片和芯片封装，其包含所述集成电路芯片的顶部处的过钝化方案和所述集成电路芯片的底部处的底部方案，所述过钝化方案和底部方案使用顶部后钝化技术和底部结构技术。所述集成电路芯片可通过所述过钝化方案或所述底部方案连接到外部电路或结构，例如球栅格阵列(BGA)衬底、印刷电路板、半导体芯片、金属衬底、玻璃衬底或陶瓷衬底。还描述相关的制造技术。

摘要：本申请涉及使用顶部后钝化技术和底部结构技术的集成电路芯片。本发明揭示集成电路芯片和芯片封装，其包含所述集成电路芯片的顶部处的过钝化方案和所述集成电路芯片的底部处的底部方案，所述过钝化方案和底部方案使用顶部后钝化技术和底部结构技术。所述集成电路芯片可通过所述过钝化方案或所述底部方案连接到外部电路或结构，例如球栅格阵列(BGA)衬底、印刷电路板、半导体芯片、金属衬底、玻璃衬底或陶瓷衬底。还描述相关的制造技术。