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发明专利:221实用新型: 103外观设计: 1
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申请号:201010515176.2 公开号:CN102455222A 主分类号:G01J5/52(2006.01)I
申请人:甘志银 申请日:2010.10.21 公开日:2012.05.16
发明人:甘志银
摘要:金属有机物化学气相沉积设备中实时测量薄膜温度的方法及测量装置,在气相沉积工艺过程中,监测外延片的热辐射通过喷淋孔的辐射光,通过对辐射光进行滤波分离来检测两个或两个以上不同波长的薄膜辐射光能量,本发明的测量装置包括分光机构、光学探测器和数据采集系统,本发明简化掉现有在线测量采用单波长光学测温技术中首先测量薄膜表面发射率的步骤,消除了接收探测器立体接收角的变化和探测器与被测物距离变化所带来的误差,极大地提高了MOCVD在线温度测量仪器的使用范围和测量精度,通过本发明方法进行处理获得更准确的薄膜温度。
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申请号:201010272456.5 公开号:CN102383106A 主分类号:C23C16/44(2006.01)I
申请人:甘志银 申请日:2010.09.03 公开日:2012.03.21
发明人:甘志银
摘要:快速清除残余反应气体的金属有机物化学气相沉积反应腔体,包括:反应腔进气口、反应腔进气管道、上缓冲腔、下缓冲腔、喷淋口、载片台、加热组件、残余气体排放管路、尾气管路、控制阀、缓冲腔压力检测表、真空泵,反应腔进气管道为多路进气管道,载片台的上部设有反应气体喷淋口。反应腔体内设有尾气管路,缓冲腔内设有残余气体排气管路,残余气体排放管路与反应腔的尾气管路通过接头汇合成一条管路与抽除尾气的真空泵相连。本发明的优点是能够在气相沉积反应腔体内快速清除残余气体,利用气相沉积反应腔体的抽气真空泵和部分尾气管路来排放残余气体,使得不同外延层薄膜之间的界面陡峭,提高设备的性能。
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申请号:201110341401.X 公开号:CN103088414A 主分类号:C30B25/10(2006.01)I
申请人:甘志银 申请日:2011.11.02 公开日:2013.05.08
发明人:甘志银
摘要:可实现氮化物晶体同质外延的气相外延沉积装置,包括一金属氯化物供应腔和一气相外延反应腔,其中供应腔外部设有加热装置和通气管道,内部设有一石英舟以放置金属源;气相外延反应腔上部设有一个反应气体进气装置,内部设有载片盘以放置衬底材料,在载片盘上、下方设有加热装置。本发明的优点是载片盘上、下方设置加热装置改变反应腔内的温度梯度分布,结合氢化物气相外延与金属有机物化学气相外延各自的优点,在同一个反应腔内实现氮化的氢化物外延与金属有机物外延,实现厚膜及薄膜的外延生长,从而实现同质外延;本方法也可以单独用于通过反应腔内的温度梯度改变而改善独立的金属有机物外延工艺,改进氮化物晶体的质量,提高器件性能。
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申请号:201110377192.4 公开号:CN103132140A 主分类号:C30B25/10(2006.01)I
申请人:甘志银 申请日:2011.11.23 公开日:2013.06.05
发明人:甘志银
摘要:氢化物气相外延装置,包括一气相外延反应腔,反应腔上部设有进气装置,进气装置下方设有一石英舟,反应腔下部设有载片盘,载片盘下方和上方设有加热装置,载片盘下方的加热装置与反应区由载片盘支撑隔开,反应腔底部设有排气口。本发明的优点是可在一个反应腔内生成金属氯化物并进行材料的外延生长,结构简单;载片盘上方和下方的加热装置可调节反应腔内部的温度梯度分布,从而改进材料的晶体质量;该装置设计方案具有可扩展性,并可与金属有机化合物气相外延设备结合使用。
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申请号:201110280045.5 公开号:CN103014662A 主分类号:C23C16/455(2006.01)I
申请人:甘志银 申请日:2011.09.20 公开日:2013.04.03
发明人:甘志银;王亮
摘要:一种化学气相沉积设备中用于精确控制反应物流量的气路装置,包括:反应气体入口、管路、流量控制器、反应腔,反应气体以流量分为大流量的载气、小流量载气,其特征在于反应气体入口经管路与流量控制器连接,各流量控制器的出口经管路接入反应腔,接入反应腔的管路由数条反应气体管路直接接入反应腔,或者由数种反应气体汇合成一条管路接入反应腔。本发明的优点是通过对不同气体所需流量不同采用不同的管路注入反应腔,实现设备对反应气体的精确控制,降低管路的压损,降低设备的制造成本。
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申请号:201110288427.2 公开号:CN103014670A 主分类号:C23C16/455(2006.01)I
申请人:甘志银 申请日:2011.09.26 公开日:2013.04.03
发明人:甘志银;王亮
摘要:一种反应源配送装置,包括:化学原料钢瓶、流量控制器、压力计、压力控制器,其特征在于所述压力控制器的入口端通入载气,插入化学原料钢瓶底部的入口管道与压力控制器的出口端连接,压力计经管道与化学原料钢瓶输出端连接,压力计与压力控制器的控制端经电路连接,流量控制器的进口端经管道插入化学原料钢瓶内的上部,化学原料钢瓶的输出管道与多个流量控制器的进口端相连接,流量控制器的出口端经管道接入反应室。本发明的优点是本装置不仅能够精确控制进入反应室的每一路源物质的浓度,而且能更好的节省源物质的消耗,减少相关零部件的数量,从而达到降低成本的目的。
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申请号:201210396163.7 公开号:CN103779450A 主分类号:H01L33/00(2010.01)I
申请人:甘志银 申请日:2012.10.17 公开日:2014.05.07
发明人:甘志银;严晗
摘要:增大LED发光功率的集成方法,在衬底上由下至上依次外延缓冲层薄膜系、n型薄膜系、多量子阱系、p型薄膜系组成传统的LED外延结构,在此之上继续外延另外的n型薄膜系、多量子阱系、p型薄膜系组成半导体光放大器。本发明还提供了在传统的LED芯片结构中沿着外延生长方向增加多节LED结构。本发明的优点是在传统的LED芯片结构生长方向上增加具有光放大增益的结构大幅增大出光效率,同时不扩大芯片的发光面积,有效提高了单个圆片的器件实际产能。在传统的LED芯片结构中沿着外延生长方向增加多节LED结构,使得LED芯片具有多级串联的效果,大幅提高了发光功率,实现了大功率的光输出,同时降低了芯片的成本。
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申请号:201410043094.0 公开号:CN104803368A 主分类号:
申请人:甘志银 申请日:2014.01.28 公开日:2015.07.29
发明人:甘志银;吕强
摘要:一种定向生长碳纳米管的电磁对准处理工艺,其工艺特征包括两个步骤:(1).采用电子束蒸发技术在碳纳米管(CNT)顶部形成磁性纳米颗粒;(2).采用电磁场辅助工艺,对CNT定向对准及键合。本发明的优点是采用反铁磁性材料(FeMn)作为催化剂,降低CNT顶部缠绕和团聚,采用水蒸汽刻蚀技术使垂直排布的CNT顶端开口,增强整体的热传导能力,一定程度上降低CNT顶部缠绕现象,通过电磁场辅助对准技术在CNT顶部沉积磁性纳米颗粒,并使得CNT尽可能多的呈现垂直排布,通过施加一定的压力使CNT与衬底间的接触几率大幅度提高,提高参与热传导的CNT的比例和效率,从而降低界面热阻。
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申请号:201510182670.4 公开号:CN104772460A 主分类号:
申请人:华中科技大学 申请日:2015.04.17 公开日:2015.07.15
发明人:甘志银;刘胜
摘要:本发明公开了一种离子团束3D打印装置,包括离子源、离子团束打印头、XYZ三轴移动平台和载物平台,离子源用于提供离子团束;离子团束打印头包括牵引电极、一级静电透镜、限束光阑、多极磁偏转装置和二级静电透镜,牵引电极用于从离子源中引出离子团束;一级静电透镜用于提高离子团束的速度;多级磁偏转装置用于调整离子团束的位置以减少像散以及实现离子团束消隐;二级静电透镜用于聚焦得到所需孔径的离子团束;XYZ三轴移动平台用于带动离子源和离子团束打印头移动;载物平台,用于承接工件。本发明采用将离子团束引入3D打印加工,可完成形状复杂的三维离子团束注入加工,具有低污染、精度高、效率高以及可选用的加工材料比较广泛等优势。
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申请号:201510368940.0 公开号:CN104960202A 主分类号:
申请人:华中科技大学 申请日:2015.06.29 公开日:2015.10.07
发明人:甘志银;刘胜
摘要:本发明公开了一种3D打印装置和方法。该装置包括打印室、送料装置、运动支架、打印喷头、加热体、气压控制器、打印平台、机械臂和修复刀头。采用熔融挤出冷凝的方式进行3D打印,严格控制打印喷头喷出的材料和工件的温差,保证了打印出来冷凝的材料的一致性和质量,对材料的要求较低,大部分材料均能实现3D打印;此外,本发明还在打印室设置机械臂和修复刀头对工件进行边打印边修复,最终实现3D打印工艺,具有精度高、可被加工材料广泛等优势。
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