摘要：本发明公开了一种基于石墨烯光电器件的光电集成方法，一种基于石墨烯光电器件的光电集成电路，包括衬底；基于所述衬底制作的包含石墨烯光电器件的基片；一片或多片电路芯片贴合于所述基片上；所述基片与所述电路芯片电性互联，并能将基片中传输的光信号转换成电信号传输至电路芯片，同时接收电路芯片传输过来的电信号，转换成光信号后继续在基片中进行传输。本发明采用石墨烯光电器件与现有的常规集成电路工艺基本兼容，利用现有的常规集成电路工艺就可以结合大规模集成电路芯片，进行比较完整的、低成本、兼容性好的光电集成。同时，石墨烯光电器件

摘要：本发明公开了一种采用石墨烯光电器件的单片光电集成电路，其特征在于，包括：衬底；设置于所述衬底上的电路层；所述电路层上设置有包含石墨烯光电器件的光器件层；所述光器件层与所述电路层之间电性互联，并能将光器件层中传输的光信号转换成电信号传输至电路层，同时接收电路层传输过来的电信号，转换成光信号后继续在光器件层中进行传输。本发明采用石墨烯光电器件与现有的常规集成电路工艺基本兼容，只需在现有的常规集成电路工艺的基础上进行简单的扩展，就可以实现比较完整的、低成本、兼容性好的单片光电集成。

摘要：本发明公开了一种宽带ESD保护电路，包括片上多层电感、ESD器件、阻抗匹配电阻、电路输入端口以及电路输出端口；所述片上多层电感为三维多层螺旋结构，层数为2层或2层以上，每层金属线圈的圈数为1或2；片上多层电感的顶部、底部和中部分别形成电感顶层端口、电感底层端口和电感中间端口；电感顶层端口与电路输入端口电连接，电感底层端口与阻抗匹配电阻电连接，电感中间端口与电路输出端口电连接；电感顶层端口、电感底层端口和电感中间端口中的至少一个连接有与电源端VDD电连接的ESD器件和与接地端GND连接的ESD器件。本发明能够获得较好的宽带特性，同时保持良好的ESD保护性能。

摘要：本发明涉及一种使用电阻阵列的恒振幅压控振荡器，包括：振荡核心电路、第一开关电阻阵列、第二开关电阻阵列、振幅检测电路、控制字产生电路以及反相器；振荡核心电路用于输出振荡信号VON和VOP；振幅检测电路根据输出信号VON和VOP产生峰值电压VP，并根据峰值电压VP和预先设定的参考电压VREF输出相应的电平；控制字产生电路根据当前电路的逻辑状态和振幅检测电路的输出电平产生n位控制字；反相器将n位控制字转换成相应的n位控制字反相信号；第二开关电阻阵列根据n位控制字关断或开启相应的NMOS晶体管；第一开关电阻阵列根据与n位控制字对应的n位控制字反相信号关断或开启相应中的PMOS晶体管。

摘要：本发明公开了一种SM3算法的数据加密实现方法和装置，方法包括：将明文消息通过状态机进行填充；将填充后的消息分组，分别进行扩展，输出消息字；通过CSA进位保留加法器和CPA进位传递加法器并行优化对所述消息字进行的迭代压缩计算，得到加密数据。装置包括消息填充模块、多组扩展压缩模块和控制模块，所述控制模块分别连接所述消息填充模块和扩展压缩模块，所述扩展压缩模块包括扩展模块和压缩模块。本发明解决现有SM3算法实现结构的电路资源占用率较大、运行功耗较高的问题。

摘要：本发明公开了一种基于卡尔曼滤波电路的桥梁结构健康监测系统及方法，该系统包括：桥梁支座监测芯片和卡尔曼滤波电路；方法包括以下步骤：S1.获取桥梁状态实时数据；S2.根据桥梁状态实时数据对状态先验估值#imgabs0#和误差先验估值#imgabs1#进行并行计算；S3.获取#imgabs2#和R，根据#imgabs3#计算卡尔曼增益Kk；S4.分别获取#imgabs4#和Kk，根据#imgabs5#和Kk并行计算k时刻下的最优估计值#imgabs6#和误差估值计算值Pk，并将#imgabs7#输出至寄存器组进行存储，将Pk输出至状态及误差先验估计并行计算模块用于进行下一轮的计算。

摘要：本申请涉及选矿技术领域，具体涉及从低品位钛矿砂中高效浮选石榴子石的捕收剂组合物及其应用，所述捕收剂组合物由胺类药剂、脂肪酸类药剂以及环己烷四乙酸复配后得到；其中，所述胺类药剂包括C12~C18的胺类药剂；所述脂肪酸类药剂包括油酸钠、氧化石蜡皂、环烷酸皂、油酸、硬脂酸等常见脂肪酸类药剂。该捕收剂组合物打破了现有捕收剂在浮选钛矿砂中石榴子石时存在的选择性差、浮选回收率低的瓶颈，至少实现了低品位钛矿砂中，钛铁矿的高质量回收。

摘要：本申请涉及选矿技术领域，具体涉及用于锆钛混合精矿的抑制剂组合物及其制备方法和应用，所述抑制剂组合物由有机酸、羧甲基淀粉、氟硅酸钠以及六偏磷酸钠复配后得到。该用于锆钛混合精矿的抑制剂组合物利用多种抑制剂之间的协同效应，对锆钛混合精矿这一难处理物料的有效浮选分离，实现对中矿堆积的锆钛资源有效利用，提高滨海砂矿的整体回收率。

摘要：本发明公开了一种电阻电容型环形振荡器，它包括二个电流通路和二个增益相位调制支路；第一电流通路包括NMOS管M1和PMOS管M2；第二电流通路由PMOS管M3与电流源Iss串联构成；第一增益相位调制支路包括电容C1，电阻R1，PMOS管M5与NMOS管M6；第二增益相位调制支路由第四PMOS管与第四NMOS管串联构成。本发明的特征是环路的传输函数在第一增益相位调制支路产生一个低频左半平面的零点的同时，通过第二增益相位调制支路，向第二电流通路耦合了一个右半平面的零点，满足巴克豪森准则以达到振荡的目的。该振荡器结构简单，实现成本低，能够在2.7-5V的工作范围内产生频率为1.544M的振荡，其稳定度可以达到407ppm。

摘要：本发明公开了一种漏极下具有埋层的射频LDMOS器件，针对传统射频LDMOS击穿电压限制做了两方面改进。即分别将栅极板(171)和栅极板(172)拉长到与STI(142)和STI(143)交叠；在漏极(153)正下方引入埋层(11)。栅极板拉长到STI上面可以避免由栅极板引入的电场尖峰对击穿电压的限制。埋层(11)的引入，使器件在纵向成n+n-p-p+结构，有助于耗尽位于漏极(153)正下方的漂移区，从而均匀化纵向电场，提高器件的击穿电压。另外本发明中的埋层(11)位于漂移区外，远离载流子通道，因而对器件的频率特性几乎没有影响。所以本发明的器件结构非常适合用作射频功率器件，可以有效提高射频功率放大器(PA)的性能。