摘要：本发明公开了一种半导体器件，所述半导体器件包括：熔丝单元，所述熔丝单元与检测节点连接，且被配置成响应于经由检测节点供应的第一电压而被编程；输出单元，所述输出单元与检测节点连接，且被配置成输出指示熔丝单元是否被编程的熔丝信息信号；以及阻挡单元，所述阻挡单元被配置成响应于熔丝信息信号而阻挡经由检测节点供应的第一电压。

摘要：本发明涉及一种半导体器件，其可以包括非易失性存储单元、选择信号生成单元、多个存储单元和时钟阻断单元。所述选择信号生成单元适于使用时钟生成多个选择信号；所述多个存储单元适于分别响应于所述多个选择信号存储从所述非易失性存储单元传送的数据；以及所述时钟阻断单元适于当从所述非易失性存储单元传送的数据与存储在所述多个存储单元中的数据相同时，阻断输入至所述选择信号生成单元的时钟。

摘要：一种半导体器件包括：熔丝阵列，其包括验证熔丝和正常熔丝；判断块，其适于：基于读取参考电压来读取被编程在所述验证熔丝中的数据，且在启动准备区段期间，判断读取值是否与预定值相同；以及电平控制块，其适于：在所述启动准备区段期间，基于判断结果来调整所述读取参考电压的电平。

摘要：一种存储器件，包括非易失性存储器电路，其适合储存系统硬修复数据；暂时存储器电路，其适合储存系统软修复数据；系统寄存器电路，其适合在启动操作期间接收和储存系统硬修复数据或系统软修复数据；以及存储体，其适合基于储存在系统寄存器电路中的第一数据进行修复操作。

摘要：本发明公开了一种连铸连轧生产高端8㎜低氧铜杆的生产工艺，利用高纯度的鳞片石墨降低铜液中的含氧量，提高铜杆品质，对铜杆表面进行刻痕，刻痕方便识别,生产日期、尺寸位于铜杆端面,刻痕防止铜杆被盗。

摘要：本公开实施例提供了一种地磁数据校准方法、装置、设备及存储介质，方法包括：获取当前地磁数据；基于预先确定的目标地磁数据校准参数对所述当前地磁数据进行校准，得到目标地磁数据，其中，所述目标地磁数据校准参数基于设备使用时的姿态传感数据确定，实现了在不需用户刻意操作的情况下，在用户使用设备的过程中确定目标地磁数据校准参数，并在需要进行地磁数据校准时，通过用户无感确认的目标地磁数据校准参数进行地磁数据的校正，实现了地磁数据的快速、准确校准，提高了用户无感的校准体验。

摘要：本申请公开了半导体存储器件及其操作方法。一种半导体存储器件，包括：输控制电路，适于提供与激活命令一起输入的激活地址作为输入地址；多个锁存器，适于根据输入控制信号顺次存储输入地址作为锁存地址，并根据输出控制信号输出锁存地址作为目标地址；多个计数器，分别与锁存器对应，每个计数器适于在激活地址与锁存器中存储的锁存地址匹配时增加与锁存器对应的计数值；以及刷新控制器，适于基于计数值将计数器和锁存器分成多个组，并响应于刷新命令生成用于初始化多个组中的一个组中包括计数器的复位信号。

摘要：本发明涉及一种具有用于修复缺陷单位单元的冗余电路的半导体存储装置。该半导体存储装置包括：第一区块，其包括多个单元矩阵；第二区块，其包括多个单元矩阵；和共用的熔丝组件，其由第一和第二区块共用，被配置为在第一区块或第二区块被使能并且使能的区块中包括缺陷单元矩阵时输出缺陷指示信号。

摘要：本发明公开了一种熔丝电路和一种存储器件。所述熔丝电路包括：多个熔丝单元、放大单元和多个寄存器。放大单元被配置为顺序地将储存在熔丝单元中的数据放大。寄存器被配置为顺序地储存由放大单元放大的数据。

摘要：一种存储器件可以包括：多个字线，每个字线可操作地耦接到一个或更多个存储单元；外围电路，适用于对多个字线执行第一刷新操作和第二刷新操作；其中，第一刷新操作适用于保存存储器件的大多数存储单元的储存的数据，以及第二刷新操作适用于保存一个或更多个弱存储单元的储存的数据。